T7024
Preliminary Information
Rev. A5, 02-May-01 1 (15)
ISM 2.4 GHz Front End IC
Description
The T7024 is a monolithic SiGe transmit/ receive front
end IC with power amplifier, low-noise amplifier and T/R
switch driver. It is especially designed for operation in
TDMA systems like Bluetooth, DECT, IEE 802.11 FHSS
WLAN, home RF and ISM proprietary radios.
Due to the ramp-control feature and a
very low quiescent current an external
switch transistor for VS is not required.
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Features
DSingle 3-V supply voltage
DHigh-power-added efficient power amplifier
(Pout typ. 23 dBm)
DRamp-controlled output power
DLow-noise preamplifier (NF typ. 2.3 dB)
DBiasing for external PIN diode T/R switch
DCurrent-saving standby mode
DFew external components
DPSSO20 plastic package with down set paddle heat
slug or HP-VFQFP-N20
Block Diagram
GND
V2_PA
V1_PA
GND
VS_LNA
V3_PA_OUT
LNA_IN
PA_IN
V2_PA
GND
RAMP
GND
PU
TX / RX /
standby
control LNA PA
RX_ON
LNA_OUT
GND
R_SWITCH
SWITCH_OUT
SiGe FE
TX
V3_PA_OUT
V3_PA_OUT
T7024
Figure 1. Block diagram
Ordering Information
Extended Type Number Package Remarks
T7024-TRS PSSO20 Tube
T7024-TRQ PSSO20 Taped and reeled
T7024-PGS HP-VFQFP-N20 Tube
T7024-PGQ HP-VFQFP-N20 Taped and reeled
T7024-DB Flipchip
T7024
Rev. A5, 02-May-01
Preliminary Information
2 (15)
Pin Description
1
2
3
4
5
6
7
8
10
9
19
18
17
16
14
15
13
12
11
20
LNA_IN
VS_LNA
GND
V3_PA_OUT
V3_PA_OUT
V3_PA_OUT
SWITCH_OUT
GND
GND
PA_IN
V1_PA
GND
V2_PA
V2_PA
RX_ON
LNA_OUT
GND RAMP
R_SWITCH PU
T7024
Figure 2. Pinning PSSO20
1
2
3
4
5
15
14
13
12
11
10 6789
16 20191817 LNA_OUT
RX_ON
PU
R_SWITCH
SWITCH_OUT
GND
VS_LNA
GND
LNA_IN
GND
V3_PA_OUT
V3_PA_OUT
V3_PA_OUT
GND
RAMP
V2_PA
V2_PA
GND
V1_PA
PA:IN
T7024
Figure 3. Pinning HP–VFQFP–N20
Pin
SSO20 Pin
N20 Symbol Function
ÁÁÁ
Á
Á
Á
Á
Á
Á
ÁÁÁ
1
ÁÁÁ
Á
Á
Á
Á
Á
Á
ÁÁÁ
4
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
R_SWITCH
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Resistor to GND
sets the PIN diode
current
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
2
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
5
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
SWITCH_OUT
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Switched current
output for PIN
diode
ÁÁÁ
ÁÁÁ
3
ÁÁÁ
ÁÁÁ
6
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
GND
ÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁ
Ground
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
4
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
7
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
LNA_IN
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Low-noise ampli-
fier input
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
5
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
9
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
VS_LNA
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Supply voltage in-
put for low-noise
amplifier
ÁÁÁ
ÁÁÁ
6
ÁÁÁ
ÁÁÁ
8
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
GND
ÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁ
Ground
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
7
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
11
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Inductor to power
ÁÁÁ
ÁÁÁ
8
ÁÁÁ
ÁÁÁ
12
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
V3_PA_OUT
ÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁ
supply and match-
ing network for
ÁÁÁ
ÁÁÁ
9
ÁÁÁ
ÁÁÁ
13
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁ
power amplifier
output
ÁÁÁ
ÁÁÁ
10
ÁÁÁ
ÁÁÁ
10
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
GND
ÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁ
Ground
11 15 RAMP Power ramping
control input
12 16 Inductor to power
13 17 V2_PA supply for power
amplifier
ÁÁÁ
ÁÁÁ
14
ÁÁÁ
ÁÁÁ
14
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
GND
ÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁ
Ground
15 19 V1_PA Supply voltage for
power amplifier
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
16
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
20
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
PA_IN
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Power amplifier
input
ÁÁÁ
ÁÁÁ
17
ÁÁÁ
ÁÁÁ
18
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
GND
ÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁ
Ground
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
18
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
1
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
LNA_OUT
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Low-noise ampli-
fier output
ÁÁÁ
ÁÁÁ
19
ÁÁÁ
ÁÁÁ
2
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
RX_ON
ÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁ
RX active high
ÁÁÁ
ÁÁÁ
20
ÁÁÁ
ÁÁÁ
3
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
PU
ÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁ
Power-up active
high
Slug Slug GND Ground
T7024
Preliminary Information
Rev. A5, 02-May-01 3 (15)
Pad Description
Pad Symbol Function X–Coordinate of
Pad *) (mm) Y–Coordinate of
Pad *) (mm)
1 R_SWITCH Resistor to GND sets the PIN diode current 0 400
2 SWITCH_OUT Switched current output for PIN diode 400 400
3 GND Ground 0 0
4 LNA_IN Low–noise amplifier input 400 0
5 GND Ground 800 0
6 VS_LNA Supply voltage input for low–noise amplifier 1200 0
7 GND Ground 1600 0
8 GND Ground 2000 0
9 V3_PA_OUT Inductor to power supply and matching network for
power amplifier output 2400 0
10 GND Ground 2780 150
11 GND Ground 2780 550
12 RAMP Power ramping control input 2780 950
13 V2_PA Inductor to power supply for power amplifier 2450 1200
14 GND Ground 2050 1200
15 GND Ground 1650 1200
16 V1_PA Supply voltage for power amplifier 1250 1200
17 PA_IN Power amplifier input 850 1200
18 GND Ground 400 1200
19 LNA_OUT Low–noise amplifier output 0 1200
20 RX_ON RX active high 0 800
21 PU Power–up active high 400 800
*) relative to centre of Pad 3
Pad Location
12
4356789
13
1415161718
2120
19
10
11
12
R_SWITCH SWITCH_OUT
GND LNA_IN GND VS_LNA GND GND V3_PA_OUT
GND
GND
RAMP
V2_PA
GNDGNDV1_PAPA_INGND
PURX_ON
LNA_OUT
3180 mm
1600 mm
Pad diameter 180 mm
Ball diameter 200 mm
Figure 4. Pad location, die thickness: 450 mm
T7024
Rev. A5, 02-May-01
Preliminary Information
4 (15)
Absolute Maximum Ratings
All voltages are referred to ground (Pins GND and slug), no RF
Parameters Symbol Value Unit
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply voltage Pins VS_LNA, V1_PA, V2_PA and
V3_PA_OUT
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
VS
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
6
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Junction temperature
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
Tj
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
150
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
°C
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Storage temperature
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
Tstg
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
–40 to +125
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
°C
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
RF input power LNA
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
PinLNA
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
– 5 dBm
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
dBm
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
RF input power PA
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
PinPA
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
+ 10 dBm
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
dBm
Thermal Resistance
Parameter Symbol Value Unit
Junction ambient PSSOP20, slug soldered on PCB RthJA 19 K/W
Junction ambient HP–VFQFP–N20, slug soldered on
PCB RthJA 27 K/W
Operating Range
All voltages are referred to ground (Pins GND and slug). Power supply points are VS_LNA, V1_PA, V2_PA, V3_PA_OUT.
The following table represents the sum of all supply currents depending on the TX/RX mode.
Parameters Symbol Min. Typ. Max. Unit
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply voltage Pins V1_PA, V2_PA and
V3_PA_OUT
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
VS
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
2.7
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
3.0
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
4.6
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply voltage Pin VS_LNA
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
VS
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
2.7
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
3.0
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
5.5
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply current TX PSSO20
N20
RX
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
IS
IS
IS
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
190
165
8
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
mA
mA
mA
Standby current PU = 0 IS10 µA
Ambient temperature Tamb –25 +25 +70 °C
Electrical Characteristics
Test conditions (unless otherwise specified): VS = 3.0 V, Tamb = 25°C
Parameter Test Conditions / Pins Symbol Min. Typ. Max. Unit
Power amplifier 1)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply voltage
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Pins V1_PA, V2_PA and
V3_PA_OUT
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
VS
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
2.7
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
3.0
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
4.6
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply current
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX PSSO20
N20
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
IS_TX
IS_TX
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
190
165
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
mA
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
RX (PA off),
VRAMP x 0.1 V
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
IS_RX
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
10
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
µA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Standby current
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Standby
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
IS_
standby
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
10
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
µA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Frequency range
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
f
ÁÁÁ
ÁÁÁ
2.4
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
2.5
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
GHz
T7024
Preliminary Information
Rev. A5, 02-May-01 5 (15)
Electrical Characteristics (continued)
Test conditions (unless otherwise specified): VS = 3.0 V, Tamb = 25°C
UnitMax.Typ.Min.SymbolTest Conditions / PinsParameter
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Gain-control range
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
DGp
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
60
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
42
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
dB
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Power gain max.
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Gp
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
28
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
30
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
33
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
dB
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Power gain min.
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Pin PA_IN to V3_PA_OUT
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Gp
ÁÁÁ
ÁÁÁ
–40
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dB
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Ramping voltage max.
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX, power gain (max)
Pin RAMP
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
VRAMP
max
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
1.7
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
1.75
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
1.83
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Ramping voltage min.
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX, power gain (min)
Pin RAMP
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
VRAMP
min
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.1
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Ramping current max.
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX, VRAMP = 1,75 V
Pin RAMP
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
IRAMP
max
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
0.5
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Power-added efficiency
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX PSSO20
N20
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
PAE
PAE
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
30
35
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
35
40
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
%
%
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Saturated output power
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX, input power = 0 dBm re-
ferred to Pins V3_PA_OUT
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Psat
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
22.5
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
23
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
23.5
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
dBm
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Input matching 2)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX Pin PA_IN
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Load
VSWR
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
<1.5:1
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
1.5 : 1
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Output matching 2)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX Pins V3_PA_OUT
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Load
VSWR
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
<1.5:1
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
1.5 : 1
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Harmonics @P 1dBCP
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX Pins V3_PA_OUT
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
2 fo
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–30
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dBc
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Harmonics @P 1dBCP
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX Pins V3_PA_OUT
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
3 fo
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–30
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dBc
T/R–switch driver (current programming by external resistor from R_SWITCH to GND)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Switch-out current output
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Standby
Pin SWITCH_OUT
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
IS_O_
standby
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
1
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
µA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
RX
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
IS_O_RX
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
µA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX @ 100 Ω
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
IS_O_100
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.7
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX @ 1.2 kΩ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
IS_O_1k2
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
7
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX @ 33 kΩ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
IS_O_33k
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX @ R
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
IS_O_R
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
19
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mA
Low-noise amplifier 3)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply voltage
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
All Pin VS_LNA
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
VS
ÁÁÁ
ÁÁÁ
2.7
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
3.0
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
5.5
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
V
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply current
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
RX
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
IS
ÁÁÁ
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
8
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
9
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Supply current
(LNA and control logic)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
TX (control logic active)
Pin VS_LNA
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
IS
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
0.5
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
mA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Standby current
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Standby Pin VS_LNA
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
IS_
standby
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
1
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
10
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
µA
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Frequency range
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
RX
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
f
ÁÁÁ
ÁÁÁ
2.4
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
2.5
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
GHz
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Power gain
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
RX Pin LNA_IN to
LNA_OUT
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Gp
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
15
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
16
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
19
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
dB
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Noise figure
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
RX PSSO20
N20
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
NF
NF
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
2.3
2.1
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
2.5
2.3
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
dB
T7024
Rev. A5, 02-May-01
Preliminary Information
6 (15)
Electrical Characteristics (continued)
Test conditions (unless otherwise specified): VS = 3.0 V, Tamb = 25°C
UnitMax.Typ.Min.SymbolTest Conditions / PinsParameter
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Gain compression
3rd-order input interception
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
RX,
referred to Pin LNA_OUT
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
O1dB
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
–9
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
–7
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
–6
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
dBm
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
3rd-order input interception
point
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
RX
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
IIP3
ÁÁÁ
ÁÁÁ
–16
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–14
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–13
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
dBm
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Input matching 4)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
RX Pin LNA_IN
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
VSWR
in
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
<2:1
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
2:1
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Output matching 4)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
RX Pin LNA_OUT
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
VSWR
out
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁ
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
<2:1
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
2:1
ÁÁÁÁ
Á
ÁÁ
Á
ÁÁÁÁ
Logic input levels (RX_ON, PU)
High input level = ‘1’Pins RX_ON and PU ViH 2.4 VS, LNA V
Low input level = ‘0’ViL 0 0.5 V
High input current = ‘1’ViH = 2.4 V IiH 40 60 µA
Low input current = ‘0’IiL 0.2 µA
Note: 1) Power amplifier shall be unconditional stable, maximum duty cycle 100%, true cw operation, maximum
load mismatch and duration t.b.d.
2) With external matching network, load impedance 50 Ω
3) Low-noise amplifier shall be unconditional stable
4) with external matching components
Control Logic for LNA and T/R-Switch Driver
PU
Power up 1
Standby 0
RX_ON
RX mode 1
TX mode 0
T7024
Preliminary Information
Rev. A5, 02-May-01 7 (15)
Typical Operating Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
2000 2200 2400 2600 2800 3000
NF ( dB )
Gain ( dB )
Frequency ( MHz )
Gain
NF
Figure 5. LNA: Gain and noise figure vs. frequency
0
10
20
30
40
50
2.7 3.1 3.5 3.9 4.3 4.7
100
150
200
250
I_S_TX ( mA )
Pout ( dBm ), PAE ( % )
Supply voltage ( V )
PAE I_S_TX
f = 2.4 GHz
Vramp = 1.75 V
PinPA = 0 dB
Pout
Figure 6. PA (PSSO20): Output power and PAE vs. supply
voltage
0
10
20
30
40
50
2400 2420 2440 2460 2480 2500 0
50
100
150
200
250
I_S_TX ( mA )
Pout ( dBm ), PAE ( % )
Frequency ( MHz )
PAE
Pout
I_S_TX
VS = 3 V
Vramp = 1.7 V
PinPA = 0 dBm
Figure 7. PA (PSSO20): Output power and PAE vs. frequency
–2.5
–2.0
–1.5
–1.0
–0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
–40 –200 20406080
Rel. gain, rel. NF ( dB )
Temperature ( °C )
NF
Gain
VS = 3 V
Figure 8. LNA: NF and gain vs. temperature
0
10
20
30
40
50
2.7 3.1 3.5 3.9 4.3 4.7
125
150
175
200
225
250
I_S_TX ( mA )
Pout ( dBm ), PAE ( % )
Supply voltage ( V )
PAE
Pout
I_S_TX f = 2.4 GHz
Vramp = 1.8 V
PinPA = 0 dB
Figure 9. PA (N20): Output power and PAE vs. supply voltage
0
50
100
150
200
250
0
10
20
30
40
50
2400 2420 2440 2460 2480 2500
I_S_TX ( mA )
Pout ( dBm ), PAE ( % )
Frequency ( MHz )
PAE
Pout
I_S_TX
VS = 3 V
Vramp = 1.8 V
PinPA = 0 dBm
Figure 10. PA (N20): Output power and PAE vs. frequency
T7024
Rev. A5, 02-May-01
Preliminary Information
8 (15)
–50
–30
–10
10
30
50
1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0
50
100
150
200
250
I_S_TX ( mA )
Pout ( dBm ), PAE ( % )
Vramp ( V )
PAE
Pout
I_S_TX f = 2.4 GHz
VS = 3 V
PinPA = 0 dBm
Figure 11. PA (SSO20): Output power and PAE vs. ramp
voltage
–10
0
10
20
30
40
–40 –30 –20 –10 0 10
–10
0
10
20
30
40
–40 –30 –20 –10 0 10 0
50
100
150
200
250
I_S_TX ( mA )
Pout ( dBm ), PAE ( % ), Gp ( dB )
Input power ( dBm )
PAE
Gain
Pout
I_S_TX
VS = 3 V
f = 2.4 GHz
Vramp = 1.75 V
PinPA = 0 dBm
Figure 12. PA (PSSO20): Output power and PAE vs. input
power
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Rswitch ( Ohm )
Switch out ( mA )
100 101 102 103 104 105 106 107
Figure 13. LNA: Typical switch-out current vs. Rswitch
0
50
100
150
200
250
I_S_TX ( mA )
–50
–30
–10
10
30
50
1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
Pout ( dBm ), PAE ( % )
Vramp ( V )
PAE
Pout
I_S_TX f = 2.4 GHz
VS = 3 V
PinPA = 0 dBm
Figure 14. PA (SSO20): Output power and PAE vs. ramp
voltage
0
50
100
150
200
250
I_S_TX ( mA )
–10
0
10
20
30
40
–40 –30 –20 –10 0 10
Pout ( dBm ), PAE ( % ), Gp ( dB )
Input power ( dBm )
PAE
Gain
Pout
I_S_TX
VS = 3 V
f = 2.4 GHz
Vramp = 1.8 V
PinPA = 0 dBm
Figure 15. PA (N20): Output power and PAE vs. input power
6.0
6.2
6.4
6.6
6.8
7.0
7.2
7.4
7.6
7.8
8.0
–40 –200 20406080
Supply current ( mA )
Temperature ( °C )
Figure 16. LNA: Supply current vs. temperature
T7024
Preliminary Information
Rev. A5, 02-May-01 9 (15)
–15
5
25
80
0
50
100
150
200
250
1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
I ( mA )
Vramp ( V )
–40_C
Pin = 0dBm
f = 2.4 GHz
VS = 3 V
Figure 17. PA (PSSO20): Current vs. Vramp and
temperature
–40_C
–15
25
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
25
30
1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
5
80
Pout ( dBm )
Vramp ( V )
Pin = 0dBm
f = 2.4 GHz
VS = 3 V
Figure 18. PA (PSSO20, N20): Pout vs. Vramp and temperature
Input / Output Circuits
PA_IN
V1_PA
GND
Figure 19.
V1_PA
RAMP
Figure 20.
V2_PA
GND
Figure 21.
V3_PA_OUT
GND
Figure 22.
T7024
Rev. A5, 02-May-01
Preliminary Information
10 (15)
Input / Output Circuits (continued)
V1_PA
GND
SWITCH_OUT
R_SWITCH
Figure 23.
VS_LNA
GND
LNA_IN
Figure 24.
VS_LNA
LNA_IN /
PU
Figure 25.
VS_LNA
GND
LNA_OUT
Figure 26.
T7024
Preliminary Information
Rev. A5, 02-May-01 11 (15)
R1
Var
100p
1n
10p
1u
15nH
0p8
1p5 HQ
56p
1u
5.6nH
56p
1.8p
3.9nH
3.9p
1n
1u10p
3p3 HQ 1n
15p 1u
5
16
1234
20 19 18 17 15 14 13 12 11
109876
Switch Out
LNA OUT
RX ON
PU
R1 is sel ected
with DIL–switch
pin–diode replaced
by LED on application–
board
PA OUTV3_PA
VS_LNALNA IN
PA IN
V2_PA
PA ramp
V1_PA
harm.
termination
100p
T7024
HQ
Blocking capacitors de-
pending on application
Figure 27. Application board SS020
100pF
100pF 3.9nH 3.9pF 0R
5.6nH 1nF
1uF
1uF1nF
15pF
56pF
3.3pF HQ
1uF
10pF
1nF
15nH
56pF1uF
1.5pF HQ
0.8pF HQ
1.8pF
0R
LED
LNA_IN PA_OUT
0R
0R
2k7
390R
0R
LNA_OUT PA_IN
LNA_SUPPLY
PA_SUPPLY
DIL–Switch
Figure 28. Layout for SSO20
T7024
Rev. A5, 02-May-01
Preliminary Information
12 (15)
1.8p
R1
Var 1n10p
1u
18nH 0p8
2p2
56p
2.2p
100p
1n15p 1u
1n15p 1u
56p
2
3
4
789
12
13
14
171819
1
5610
11
15
1620
T7024
3p3
R1 is selected
with DIL–switch
pin–diode replaced
by LE D on appli cati on–
board
harm.
termination
PA OUTV3_PAVS_LNALNA IN
Switch Out
PU
RX ON
LNA OUT PA IN
V2_PA
V1_PA
PA ramp
100p
1p
1u Blocking capacitors de-
pending on application
Figure 29. Application board N20
0R
1pF
0R
0R
2.2pF
100pF
100pF
LED
0R
390R
2k7
0R
1.8pF
0R
56p
2.2pF
HQ
1nF
1nF15pF
1nF
10pF
56pF
3.3pF
0R
0R
HQ
18nH HQ
0.8pF HQ
LNA_OUT PA_IN
LNA_IN PA_OUT
15pF 1 mF
1 mF
1 mF
1 mF
Figure 30. Layout for N20
T7024
Preliminary Information
Rev. A5, 02-May-01 13 (15)
Package Information
Package PSSO20
Dimensions in mm
T7024
Rev. A5, 02-May-01
Preliminary Information
14 (15)
T7024
Preliminary Information
Rev. A5, 02-May-01 15 (15)
Ozone Depleting Substances Policy Statement
It is the policy of Atmel Germany GmbH to
1. Meet all present and future national and international statutory requirements.
2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and operating systems
with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as well as their impact on
the environment.
It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are known as
ozone depleting substances (ODSs).
The Montreal Protocol (1987) and its London Amendments (1990) intend to severely restrict the use of ODSs and forbid
their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an earlier ban on these
substances.
Atmel Germany GmbH has been able to use its policy of continuous improvements to eliminate the use of ODSs listed
in the following documents.
1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments respectively
2. Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental
Protection Agency (EPA) in the USA
3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C (transitional substances) respectively.
Atmel Germany GmbH can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting substances
and do not contain such substances.
8.
We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further notice.
Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer
application by the customer. Should the buyer use Atmel Wireless & Microcontrollers products for any unintended
or unauthorized application, the buyer shall indemnify Atmel Wireless & Microcontrollers against all claims,
costs, damages, and expenses, arising out of, directly or indirectly, any claim of personal damage, injury or death
associated with such unintended or unauthorized use.
Data sheets can also be retrieved from the Internet: http://www.atmel–wm.com
Atmel Germany GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany
Telephone: 49 (0)7131 67 2594, Fax number: 49 (0)7131 67 2423