2009-07-24 1
200 9- 07- 2 4
Silicon NPN Phototransistor
NPN-Silizium-Fototransistor
Version 1.0
BPY 62
Ordering Information
Bestellinformation
Features: Besondere Merkmale:
•Spectral range of sensitivity: 400 ... 1100 nm • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
400 ... 1100 nm
•Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed • Gehäuse: Metall Gehäuse (TO-18), hermetisch
dicht
•Special: Base connection • Besonderheit: Basisanschluss
• Suitable up to 125 °C • Geeignet bis 125 °C
• HIgh photosensitivity • Hohe Fotoempfindlichkeit
• Available in groups • Gruppiert lieferbar
Applications Anwendungen
• Photointerrupters • Lichtschranken
• Industrial electronics • Industrieelektronik
• For control and drive circuits • Messen / Steuern / Regeln
Type: Photocurrent Ordering Code
Typ: Fotostrom Bestellnummer
λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
IPCE [µA]
BPY 62 ≥ 500 Q60215Y0062
BPY 62-3/4 800 ... 2500 Q62702P5198
BPY 62-4 1250 ... 2500 Q60215Y1113
Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1)
Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
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Version 1.0 BPY 62
Maximum Ratings (TA = 25 °C)
Grenzwerte
Characteristics (TA = 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg -40 ... 125 °C
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
VCE 35 V
Collector current
Kollektorstrom
IC100 mA
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
ICS 200 mA
Emitter-collector voltage
Emitter-Kollektor-Spannung
VEC 7V
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot 200 mW
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λS max 830 nm
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ10% 400 ... 1100 nm
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
A0.11mm
2
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
L x W 0.55 x 0.55 mm x
mm
Half angle
Halbwinkel
ϕ± 8 °
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V)
IPCB 5.5 μA
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(EV = 1000 lx, Std. Light A, VCB = 5 V)
IPCB 17 μA
Version 1.0 BPY 62
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Capacitance
Kapazität
(VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CCE 7.5 pF
Capacitance
Kapazität
(VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CCB 14 pF
Capacitance
Kapazität
(VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CEB 19 pF
Dark current
Dunkelstrom
(VCE = 20 V, E = 0)
ICE0 1 (≤ 50) nA
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
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Version 1.0 BPY 62
Grouping (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Gruppierung
Group Min Photocurrent Max
Photocurrent
Typ Photocurrent Rise and fall time
Gruppe Min Fotostrom Max Fotostrom Typ Fotostrom Anstiegs- und
Abfallzeit
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V
EV = 1000 lx, Std.
Light A, VCE = 5 V
IC = 1 mA,
VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ
IPCE, min [µA] IPCE, max [µA] IPCE [µA] tr, tf [µs]
BPY 62-2 500 1000 2400 5
BPY 62-3 800 1600 3800 7
BPY 62-4 1250 2500 5800 9
BPY 62-5 2000 9600 12
Group Collector-emitter saturation
voltage
Current gain
Gruppe Kollektor-Emitter
Sättigungsspannung
Stromverstärkung
IC = IPCEmin x 0.3,
Ee= 0.5 mW/cm2
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
VCEsat [mV] IPCE / IPCB
BPY 62-2 150 140
BPY 62-3 150 220
BPY 62-4 160 340
BPY 62-5 180 550
Note.: IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group.
Anm.: IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
Version 1.0 BPY 62
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Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
Srel = f(λ)
Photocurrent
Fotostrom
IPCE = f(Ee), VCE = 5 V
Collector Current
Kollektorstrom
IC = f(VCE), IB = Parameter
Collector Current
Kollektorstrom
IC = f(VCE), IB = Parameter
400
0nm
%
OHF04043
20
40
60
80
100
λ
rel
S
10
30
50
70
500 600 700 800 900 1100
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Version 1.0 BPY 62
Photocurrent
Fotostrom
IPCE / IPCE(25°C)= f(TA), VCE = 5 V
Dark Current
Dunkelstrom
ICEO = f(VCE), E = 0
Dark Current
Dunkelstrom
ICEO = f(TA), E = 0
Collector-Base Capacitance
Kollektor-Basis Kapazität
CCB = f(VCB), f = 1 MHz, E = 0
OHF04049
V
CE
0
10
101
10-1
10-2
CEO
I
nA
0V510 15 20 25 30 35
nA
OHF04050
CEO
I
A
T
-2
10
-1
10
100
1
10
102
3
10
104
-25 0 25 50 75 100˚C
0
pF
OHF04053
CB
C
CE
V
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
2
4
6
8
10
12
14
16
Version 1.0 BPY 62
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Collector-Emitter Capacitance
Kollektor-Emitter Kapazität
CCE = f(VCE), f = 1 MHz, E = 0
Emitter-Base Capacitance
Emitter-Basis Kapazität
CEB = f(VEB), f = 1 MHz, E = 0
Total Power Dissipation
Verlustleistung
Ptot = f(TA)
0
pF
OHF04051
CE
C
CE
V
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
1
2
3
4
5
6
7
8
0
pF
OHF04054
EB
C
EB
V
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
2
4
6
8
10
12
14
16
18
22
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Version 1.0 BPY 62
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
Srel = f(ϕ)
Package Outline
Maßzeichnung
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
ø5.6 (0.220)
ø5.3 (0.209)
2.54 (0.100)
spacing
ø4.8 (0.189)
E C B
(2.7 (0.106))
5.1 (0.201)
4.8 (0.189)
14.5 (0.571)
12.5 (0.492)
ø0.45 (0.018)
Radiant
GMOY6019
ø4.6 (0.181)
5.4 (0.213)
6.2 (0.244)
Chip position sensitive area
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
Version 1.0 BPY 62
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TTW Soldering
Wellenlöten (TTW)
IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW
OHLY0598
0
0
50 100 150 200 250
50
100
150
200
250
300
T
t
C
s
235 C
10 s
C... 260
1. Welle
1. wave
2. Welle
2. wave
5 K/s 2 K/s
ca 200 K/s
CC... 130100
2 K/s Zwangskühlung
forced cooling
Normalkurve
standard curve
Grenzkurven
limit curves
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Version 1.0 BPY 62
Disclaimer Disclaimer
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The information describes the type of component and
shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
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dangerous substances.
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Packing
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can also help you – get in touch with your nearest sales
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By agreement we will take packing material back, if it is
sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
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Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
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bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
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wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
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Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
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*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität dieses Apparates oder Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
Version 1.0 BPY 62
2009-07-24 11
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