NPN SILICON TRANSISTOR, TRIPLE DIFFUSED MESA TRANSISTOR SILICIUM NPN, MESA TRIPLE DIFFUSE * BUX 44 - High speed, high current, high power transistor Transistor de puissance rapide, fort courant - Thermal fatigue inspection Contrl en fatigue thermique - Switching and amplifier transistor Transistor damplification et de commutation Dissipation and I/g derating Variation de dissipation et de Is/g 100 % 75 50 30% 25 kPreterred device Dispositif recommand VcEO 400 V le 8A Prot 120 W Renij-c) < 1,46 C/W VcE sat (4 A) <2V ts (4A) <1,2 us Case TO-3 See outline drawing CB-19 on last pages Boitier Voir dessin cot CB-19 dernires pages ee =a Bottom view B Vue de dessous Weight : 14,4 g. Collector is connected to case 50 100 150 teage(?C) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 26C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Saut indications contraires} Collector-base voltage v Tension collacteur-base cBO 450 v Colltector-emitter voltage V, Tension collecteur-metteur CEO 400 Vv Collector-emitter voltage = 2 Vv, Tension collecteur-metteur RABE 100 cER 440 Vv Collector-emitter voitage Voe = -1,5V Vv, Tension collecteur-metteur BE cEX 450 v Emitter-base voltage Veso 7 Vv Tension metteur-base Collector current | Courent coflecteur c 8 A Peak collector current = I Courant de crte de collecteur th = 10ms cM 10 A Base current | 4 Courant base B 1.6 A Power dissipation _ P Dissipation de puissance tease = 25C tot 120 Ww Junction temperature t Temprature de jonction max 4 200 c Storage temperature min tytq 65 C Temprature de stockage max +200 C 74-3 Wu/8 THOMSON - CSF 807 DivitOW SEMICONDUCTEURS TAY*BUX 44 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-emitter cut-off current Veg = 320 \cEO 1 mA Courant rsiduel collecteur-metteur. Ip =0 Vee = 450 V CE ~ 1 mA Vee =-15V Collector-emitter cut-off current lcex Courant rsiduel collecteur-metteur Vo E= 450 V VBE =-1,5V 5 mA _ O tease = 125C Emitter-base cut-off current Veg =5V lego 1 Courant rsiduel metteur-base | c= 0 mA le = 200mA Collector-emitter breakdown voltage ig = Vceoitsus) 400 Vv Tension de claquage collecteur-metteur L = 25 mH (fig. 1) . I =50mA Emitter-base breakdown voltage E Vv Tension de claquage metteur-base le = {BRIEBO 7 Vv Vee =4V cen 15 45 le =2A Static forward current transfer ratio * Valeur statique du rapport de transfert hoy E direct du courant Vv. cE= 4vV le =4A 8 | c = 2A Ip =0,25A 0,24 1 v Collector-emitter saturation voltage VeEsat * Tension de saturation collecteur-metteur i 4A c= Ip =08A 0.36 2 Vv Base-emitter saturation voltage Io =4A Vee 1 2 Vv Tension de saturation base-metteur tg =0,8A sat Ver = 135 V ids 0,15 A Second breakdown collector current Ig7g Courant collecteur de second claquage Vee =30V a A t =1s * Pulsed tp = 300us 8 <2% imputsions 2/8 808*BUX 44 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Transition f Vog =15V ransition frequency _ { Frquence de transition 'c =A . T 8 MHe f = 10MHz . t =4A Turn-on time . c tytt Temps total d'tablissement (fig. 2) Ip = O8A d't 04 1 us I =4A Fall time ia.2) | tr <O8A te 0,65 1,2 Temps de dcroissance (fig. Bi ' " ', us Igo = 0,8 A lo =4A Carrier storage time ; l =0,8A Retard 4 la dcroissance (fig. 2) Bi _ ts 17 2,5 MS tga =-O.8A THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Ran Rsistance thermique (jonction-boitier} th(j-c) | | 1,46 c/w THERMAL FATIGUE INSPECTION Permanent inspection of soldering quality between silicon chip and header provides maximum insurance against thermal fatigue. Pulsed test : 10 000 cycles on: 2 minutes (0 > 48 W) off: minute (48>0W) tease = 100C max Atoase = 85C max CONTROLE EN FATIGUE THERMIQUE Le contrle permanent de ta qualit de la soudure entre la pastifle de silicium et l'embase confre au transistor un maxi- mum de garantie contre la fatigue thermique. Contrle cyclique : 3/8 809*BUX 44 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit 10 0,5 Continuous Continu 0,2 Pulsed impulsion 0,1 = 25C 0,05 200 B00 Voglv) 4/8 810*BUX 44 TEST CIRCUIT MONTAGE DE TEST Voeo(sus) (fig. 1) horizontal horizontal 50 Hz test transistor transistor en test L= 25 mH | vertical vertical @) + 1Q 1W [_Jo-sov common Rpg = 100 2 O>10V commun + - Note : The sustaining voltage VCEQ is acceptable when the trace falls to the right and above point A. Les tensions Vogg sont acceptables lorsque fa trace passe au-dela du point A. SWITCHING TIMES TEST CIRCUITS (and oscillograms} (fig. 2) CIRCUITS DE MESURE DES TEMPS DE COMMUTATION (et oscillogrammes) : Voc + Ro "Es 5600 uF . ey 1 1 ~ og BI B2 q = < $3 2 = pF. t s a8 \ as Bt ~ Veg = 150V Re 37,52 90% Rg = 822 2s f - Ba f / O38 . 3 : . 10% _ ge | Ro - Rp : non inductive resistances o top! tt te : . _ 23 tt oi tp Pulse width = 10 us 8 & Oon-m;_he { off Forme factor < 1% Rise and fall time <50ns 1p1 and Igp2 mesured with Tektronix probe Rc- Ag : rsistances non inductives P 6021 and Amplifier type 134 tp : Largeurdimpulsion = 10 us 1g1 et 1po sont mesurs avec une sonde Tektronix Facteur de forme 1% P6021 et Ampliticateur type 134 Temps de monte et descente <50 ns*BUX 44 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES {A) 0 1 2 3 4 Vor COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR. EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension VoelV) COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER RESISTANCE(minimum value) Tension collecteur-metteur en fonction de la rsistance base-metteur (valeur minimum} (v) 500 7 tease = 25C Ig 1 mA 480 460 440 420 400 380 10! 2 468, 2 468 4 1 Roe!) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant colfecteur en fonetion de la tension collecteur-metteur (mA) 45 amas 0,4 0,3 0,2 0,1 oO c 0 20 40 60 80 Vogl) STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du courant en fonction du courant sollecteur hoy E T TT Voe=4 120 {| 100 80 7 60 oe VA LW 40|--% oe 20 H CH, \ 2 468 2 468 .,2 10 10 6/8 812*BUX 44 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de ta tension base- \, metteur 0 04 O08 1,2 1,6 Vgev) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en CE fonction du courant collecteur (v} 1 Jc. B 1,6 1,2 0,8 0,4 102 2 #4 oo ot 2 4 ar) 2 #4 IglA) COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension { c base-metteur (Ar Vce = 4 V: 6 ow 4 v a 2 4 f & 10 an 0 0,4 0,8 1,2 1,6 Vgglv) BASE-EMITTEFt SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en VBE satfonction du courant collecteur (v) 0,8 0,4 2 468 2 468 102 Tom 10 2 4 Ig(Al 7/8 813*BUX 44 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction de la (PF) b tase = 6 4 2 4 BV o,(v) SWITCHING TIMES VERSUS COLLECTOR CURRENT Temps de commutation en fonction du courant collecteur Veo = 150 V Cc 6+ 7-5 t (us) 8 4 0 1 2 3 4 Igta) TRANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR CURRENT Frquence de transition en fonction du fy courant coflecteur ms (MHz)| Vog = 15 V f = 10 MHz 15 f tease = 25C 10! 10 Ig (Ad TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de fa rsistance thermique en K rgime i102 2 10 8/8 814