Semiconductor Group 1 1999-02-04
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im Be-
reich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203 P)
und bei 880 nm (SFH 203 PFA)
●Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
●5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
Anwendungen
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
●Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●LWL
Features
●Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 203 P) and of
880 nm (SFH 203 PFA)
●Short switching time (typ. 5 ns)
●5 mm LED plastic package
Applications
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
●Photointerrupters
●Fiber optic transmission systems
Typ (*vorher)
Type (*formerly) Bestellnummer
Ordering Code
SFH 203 P
(*SFH 217) Q62702-P946
SFH 203 PFA
(*SFH 217 F) Q62702-P947
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
0.6
0.4
5.9
5.5
1.0
0.5
3.85
3.35 5.0
4.2
29
27
1.8
1.2
2.54 mm
spacing
0.6
0.4
0.8
0.4
ø5.1
ø4.8
Chip position
Area not flat
GEO06648
Cathode
feo06644feof6644
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Semiconductor Group 2 1999-02-04
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 100 °C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t≤ 3 s)
TS300 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR50 V
Verlustleistung
Total power dissipation Ptot 100 mW
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 203 P SFH 203 PFA
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2
S
S
9.5 (≥ 5)
–
–
6.2 (≥ 3.6)
nA/Ix
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 850 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ400 ... 1100 750 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A11 mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
1×11×1mm×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H0.4 ... 0.7 0.4 ... 0.7 mm
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Semiconductor Group 3 1999-02-04
Halbwinkel
Half angle ϕ±75 ±75 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 20 V
Dark current IR1 (≤ 10) 1 (≤ 10) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity Sλ0.62 0.59 A/W
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield η0.89 0.86 Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 950 nm
VO
VO
350 (≥ 300)
–
–
300 (≥ 250)
mV
mV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 950 nm
ISC
ISC
9.3
–
–
3.0
µA
µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL=50Ω; VR=20V;λ= 850 nm; Ip= 800 µA
tr,tf55 ns
Durchlaßspannung, IF= 80 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance C011 11 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 – 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Normlicht/standard light A
λ = 950 nm
TCI
0.18
––
0.2
%/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 20 V, λ = 850 nm
NEP 2.9 ×10– 14 2.9 ×10– 14 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 20 V, λ = 850 nm
Detection limit D* 3.5 ×1012 3.5 ×1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 203 P SFH 203 PFA
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Semiconductor Group 4 1999-02-04
Relative spectral sensitivity SFH 203 P
Srel =f (λ)
Photocurrent IP=f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ee)
SFH 203 PFA
λ
OHF01129
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
E
OHF01765
e
0
10
P
Ι
-2
10 10
1
10
2
10
4
10
-1
10
0
10
1
10
24
10
3
10
2
10
1
10
10
0
V
O
µ
AmV
Ι
P
V
O
2
W/cm
µ
Relative spectr. sensitivity SFH 203 PFA
Srel =f (λ)
Photocurrent IP=f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ev)
SFH 203 P
λ
OHF01773
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
E
OHF01025
V
0
10
P
Ι
-1
10 10
1
10
2
10
4
10
0
10
0
V
µ
AmV
Ι
P
V
O
10
3
lx
1
10
2
10 10
3
10
2
1
10
Total power dissipation
Ptot =f (TA)
Dark current
IR = f (VR), E = 0
Capacitance
C=f (VR), f = 1 MHz, E = 0
OHR00883
0
F
Ι
0
20
40
60
80
100
120
20 40 60 80 100 120
mA
˚C
T
A
R
thjA
= 450 K/W
V
OHF01026
R
R
Ι
0
4
10
3
10
2
10
10
1
pA
20 V3010
Directional characteristics Srel =f (ϕ)