KBU6A ... KBU6M
KBU6A ... KBU6M
Single Phase Bridge Rectifier
Einphasen-Brückengleichrichter
IFAV = 6 A
VF< 1.0 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 50...1000 V
IFSM = 230/250 A
trr ~ 1500 ns
Version 2017-02-09
KBU
Dimensions - Maße [mm]
Typical Application
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies
Commercial grade 1)
Typische Anwendung
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen
Standardausführung 1)
Features
UL recognized, File E175067
For free-standing or
heatsink assembly
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheit
UL-anerkannt, Liste E175067
Montage freistehend oder
auf Kühlkörper
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Packed in cardboard trays 500 Verpackt in Einlagekartons
Weight approx. 7 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V] 3)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 4)
KBU6A 35 50
KBU6B 70 100
KBU6D 140 200
KBU6G 280 400
KBU6J 420 600
KBU6K 560 800
KBU6M 700 1000
Max. rectified output current free standing
Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend
R-load
C-load TA = 40°C IFAV 4.2 A 5)
3.4 A 5)
Max. rectified current with cooling fin 300 cm2
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
R-load
C-load TC = 100°C IFAV 6.0 A
4.8 A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 40 A 5)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 230 A
250 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 260 A2s
Junction/storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur Tj/S -50...+150°C
Admissible mounting torque
Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten
4 Valid per diode – Gültig pro Diode
5 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
3.8
±0.3
6
25
min.
5.8
5.7
5.08
1.2
1
23.5
19.3
KBU ...
3.3
KBU6A ... KBU6M
Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 6 A VF< 1.0 V 1)
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 5 µA 1)
Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns 1)
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj50 pF 1)
Thermal resistance junction to ambient (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) RthA < 21 K/W 2)
Thermal resistance junction to case (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) RthC < 3.3 K/W
Type
Typ
Recomm. protective resistance
Empf. Schutzwiderstand
Rt [Ω] 3)
Admiss. load capacitor at Rt
Zul. Ladekondensator mit Rt
CL [µF] 4)
KBU6A 0.25 20000
KBU6B 0.5 10000
KBU6D 1.0 5000
KBU6G 2.0 2500
KBU6J 3.0 1500
KBU6K 4.0 1000
KBU6M 5.5 800
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
3 Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded
Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert
4 CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a
single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only!
Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen
Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf!
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
R
t
3)
C
L
4)
~
~
+
_
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
250a-(7.5a-1,05v)
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
C
150100
50
0
