BAV19WS...BAV21WS
BAV19WS...BAV21WS
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2011-09-27
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation – Verlustleistung 200 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
120...250 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse ~ SOD-323
Weight approx. – Gewicht ca. 0.005 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25° C) Grenzwerte (TA = 25° C)
BAV19WS, BAV20WS, BAV21WS
Power dissipation − Verlustleistung Ptot 200 mW 1)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 1)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 625 mA 1)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
IFSM
IFSM
0.5 A
2.5 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
BAV19WS
BAV20WS
BAV21WS
VRRM
VRRM
VRRM
120 V
200 V
250 V
Continuous reverse voltage
Sperrspannung
BAV19WS
BAV20WS
BAV21WS
VR
VR
VR
100 V
150 V
200 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj+150° C
Storage temperature – Lagerungstemperatur TS- 55…+150° C
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com 1
1.25
±0.1
0.3
±0.1
1
±0.1
2.5
±0.2
Type
Code
1.7
±0.1
BAV19WS...BAV21WS
Characteristics (Tj = 25° C) Kennwerte (Tj = 25° C)
Forward voltage 1)
Durchlass-Spannung
IF = 100 mA
IF = 200 mA
VF
VF
< 1 V
< 1.25 V
Leakage current 1)
Sperrstrom Tj = 25° C
BAV19WS
BAV20WS
BAV21WS
VR = 100 V
VR = 150 V
VR = 200 V
IR< 100 nA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz CT< 5 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 30 mA über/ through IR = 30 mA bis / to IR = 1 mA trr < 50 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 625 K/W 2
Marking – Stempelung BAV19WS
BAV20WS
BAV21WS
WO
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycles ≤ 2 %
gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2 %
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com © Diotec Semiconductor AG
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
T = 125°C
j
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
