Hitachi IGBT Module / Silicon N-Channel IGBT
MBM150GR12A
PDJ-M150GR12A-0
[
定格
150A/1200V, 2in1
パッケージタイプ
]
特長 外形寸法図
• 低飽和電圧特性、高速スイッチング
• 低ターンオフスイッチング損失
• 高速ソフトリカバリダイオード(USFD)採用
による低ノイズ化
• 高信頼性構造
• 絶縁型構造(主端子−ヒートシンク間)
回路構成
絶対最大定格(TC=25°C)
項目記号単位定格値
コレクタ・エミッタ間電圧 VCES V 1200
ゲート・エミッタ間電圧 VGES V ±20
DC IC 150
コレクタ電流 1ms ICP A 300
DC IF 150 *1
ダイオード順電流 1ms IFM A 300
コレクタ損失 PC W 1000
接合温度 Tj °C -40 ~ +150
保存温度 Tstg °C -40 ~ +125
絶縁耐圧 Viso V
RMS 2500(AC 1 minute)
端子 1.96 *2
締め付けトルク モジュール取り付け
-
N·m 1.96 *3
注）*1:ダイオード RMS 電流≤ 45 Arms
*2,*3:推奨値1.67 N·m
電気的特性(TC=25°C)
項目 記号単位Min. Typ. Max. 試験条件
コレクタ・エミッタ間遮断電流 ICES mA
- -
1.0 VCE=1200V, VGE=0V
ゲート・エミッタ間漏れ電流 IGES nA
-
-
±500 VGE=±20V, VCE=0V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) V
-
2.2 2.8 IC=150A, VGE=15V
しきい値電圧 VGE(TO) V
-
-
10 VCE=5V, IC=150mA
入力容量 Cies pF
-
12000
-
V
CE=10V, VGE=0V, f=1MHz
上昇時間 tr
-
0.15 0.3
ターンオン時間 ton
-
0.3 0.6
下降時間 tf
-
0.1 0.3
スイッチング時間
ターンオフ時間 toff
µs
-
0.5 1.0
ダイオード逆回復時間 t
rr µs
-
0.2
0.4
V
CC=600V，IC=150A
R
G=8.2Ω *4
V
GE=±15V
Inductive Load
I
F=150A
ダイオード最大順電圧降下 VFM V
-
2.5
3.5 IF=150A, VGE=0V
IGBT Rth(j-c) 0.125
熱抵抗 ダイオード Rth(j-c) °C/W
-
-
0.30 接合−ケース間
6
30
7
12
35
40
φ0.8
2- φ5.6
25
35
4-Fast-on
Terminal #110
17
45
19 20 18.5
80
92
23 23
3-M5
C1
E2
C2E1
G1
E1
E2
G2
Unit in mm
重量：230g
C
2E1
E1
G1
G
2
E2
E2
C
1
注）*4 : RG値は、スイッチング時間を規定するための試験条件であり推奨値ではありません。実機でのスイッチング波形（スパイク
電圧等）を確認の上、RG値の選定をお願い致します。
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VGE=15V 14V13V12V
300
250
200
100
50
0246810
150
0
300
250
200
100
50
150
0
11V
TYPICAL
10V
9V
Collector Current, Ic (A)
Collector Current, Ic (A)
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector current vs. Collector to Emitter voltage
Ic=150A
Ic=300A
10
8
6
4
2
00 5 10 15 20
TYPICAL
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
Gate to Emitter Voltage, VGE (V)
Collector to Emitter voltage vs. Gate to Emitter voltage
20
15
10
5
00200 400 600 800 1000
TYPICAL TYPICAL
Gate to Emitter Voltage, V
GE
(V)
Forward Current, I
F
(A)
Gate Charge, QG (nC)
Gate charge characteristics
150
300
250
200
50
100
0012345
Forw ard V oltage , VF (V)
Forward voltage of free-wheeling diode
10
8
6
4
2
00 5 10 15 20
TYPICAL
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
Gate to Emitter Voltage, VGE (V)
Collector to Emitter voltage vs. Gate to Emitter voltage
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector current vs. Collector to Emitter voltage
PDJ-M150GR12A-0
Tc=25°C
Ic=150A
Ic=300A
Pc=1000W
VGE=0V
Tc=25°C
Tc=125°C
Tc=25°C
VGE=15V 14V13V12V
0246 810
0
11V
TYPICAL
10V
9V
Tc=125°C
Tc=125°C
Vcc=600V
Ic =150A
Tc=25°C
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1.5
1
0.5
0050
100 150 200
TYPICAL
TYPICAL
TYPICAL
Switching Time, t (µs)
Collector Current, IC (A)
Switching time vs. Collector current
ton
toff
Vcc=600V
VGE=±15V
RG=8.2Ω
TC=25°C
Inductive Load
Vcc=600V
VGE=±15V
IC=150A
TC=25°C
Inductive Load
30
20
25
15
5
10
00 15010050 200
Switching Loss, Et
on
,Et
off
, E
rr
(mJ/pulse)
Collector Current. IC (A)
Switching loss vs. Collector current
10
1
0.1
0.01 110 100
Switching Time, t (µs)
Gate Resistance, RG (Ω)
Switching time vs. Gate resistance
ton
toff
TYPICAL
100
10
1
0.1 110 100
Switching Loss, Et
on
, Et
off
, E
rr
(mJ/pulse)
Gate Resistance. RG (Ω)
Switching loss vs. Gate resistance
Err
Err
Eton
Etoff
10000
1000
100
10
10 200 400 600 800 1000 1200 1400
Collector Current, Ic (A)
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Reverse biased safe operating area
Etoff
Eton
1
0.1
0.01
0.001
0.001 0.01 0.1 1 10
Transient Thermal Impedance, R
th(j-c)
(°C/W)
Time, t (s)
Transient thermal impedance
Diode
IGBT
VGE=±15V
RG=8.2Ω
TC≤125°C
PDJ-M150GR12A-0
tf
tr
tr
tf
Vcc=600V
VGE=±15V
RG=8.2Ω
TC=125°C
Inductive Load
Vcc=600V
VGE=±15V
IC=150A
TC=125°C
Inductive Load
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日立パワー半導体
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ご了承ください。ご検討の際は弊社営業所に最新のデータである事をご確認下
さい。
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みのうえ、正しくご使用下さい。
３．極めて高い信頼性が要求される用途（原子力制御用、航空宇宙用、交通機器、
ライフサポート関連の医療機器、燃焼制御機器、各種安全機器など）に使用さ
れる場合は、特に高信頼性が確保された半導体デバイスの使用及び使用側でフ
ェイルセイフなどを配慮した安全性確保をして下さい。または当社営業窓口に
ご照会下さい。
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