SFH4850E7800 - OSRAM Opto Semiconductors

SFH 4850 E7800

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung

High Power Infrared Emitter (850 nm)

Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

2009-05-14 1

Wesentliche Merkmale

• Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

• Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden

verbunden

• Kurze Schaltzeiten

• Sehr hohe Strahldichte

• Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG

Anwendungen

• Sensorik

• Lichtgitter

Sicherheitshinweise

Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile

hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-

Strahlung, die gefährlich für das menschliche

Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile

enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-

richtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471

behandelt werden.

Typ

Type Bestellnummer

Ordering Code Strahlstärkegruppierung1) (IF = 100 mA, tp = 20 ms)

Radiant Intensity Grouping1)

Ie (mW/sr)

SFH 4850 E7800 Q65110A2093 ≥ 4 (typ. 7)

1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr

Features

• High Power Infrared LED

• Anode is electrically connected to the case

• Short switching ti mes

• Very high radiance

• DIN humidity category in acc. with

DIN 40 040 GQG

Applications

• Sensor technol ogy

• Light curtains

Safety Advices

Depending on the mode of operation, these

devices emit highly concentrated non visible

infrared light which can be hazardous to the

human eye. Products which incorporate these

devices have to follow the safety precautions

given in IEC 60825-1 and IEC 62471.

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SFH 4850 E7800

Grenzwerte (TC = 25 °C)

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter Symbol

Symbol Wert

Value Einheit

Unit

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range Top , Tstg – 40 … + 80 °C

Sperrspannung

Reverse voltage VR5 V

Vorwärtsgleichstrom

Forward current IF200 mA

Stoßstrom, tp = 10 μs, D = 0

Surge current IFSM 1.5 A

Verlustleistung

Power dissipation Ptot 470 mW

Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung

Thermal resistance junction - ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse

Thermal resistance junction - case

RthJA

RthJC

450

160

K/W

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter Symbol

Symbol Wert

Value Einheit

Unit

Wellenlänge der Strahlung

Wavelength at peak emission

IF = 100 mA

λpeak 860 nm

Centroid-Wellenlänge der Strahlung

Centroid wavelength

IF = 100 mA

λcentroid 850 nm

Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax

Spectral bandwidth at 50% of Imax

IF = 100 mA

Δλ 42 nm

Abstrahlwinkel

Half angle ϕ± 23 Grad

deg.

Aktive Chipfläche

Active chip area A0.09 mm2

Abmessungen der aktiven Chipfläche

Dimension of the active chip area L × B

L × W0.3 × 0.3 mm²

SFH 4850 E7800

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Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%

auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Switching times, Ιe from 10% to 90% and from

90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω

tr, tf12 ns

Durchlassspannung

Forward voltage

IF = 100 mA, tp = 20 ms

IF = 1 A, tp = 100 µs

1.5 (< 1.8)

2.4 (< 3.0)

Sperrstrom

Reverse current IRnot designed for

reverse

operation

μA

Gesamtstrahlungsfluss

Total radiant flux

IF = 100 mA, tp = 20 ms

Φe typ 50 mW

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,

IF = 100 mA

Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA

TCI– 0.5 %/K

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA

Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV– 0.7 mV/K

Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA

Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ+ 0.3 nm/K

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics (cont’d)

Bezeichnung

Parameter Symbol

Symbol Wert

Value Einheit

Unit

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SFH 4850 E7800

Strahlstärke Ie in Achsrichtung1)

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr

Radiant Intensity Ie in Axial Direction

at a solid angle of Ω = 0.01 sr

Bezeichnung

Parameter Symbol Werte

Values Einheit

Unit

SFH 4850 E7800 -P SFH 4850 E7800 -Q

Strahlstärke

Radiant intensity

IF = 100 mA, tp = 20 ms

Ie min

Ie max

86.3

12.5 mW/sr

mW/sr

Strahlstärke

Radiant intensity

IF = 1 A, tp = 100 μs

Ie typ 45 55 mW/sr

1) Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streu ung kleiner 2:1)

Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser

der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4,0 mm). Dadurch wird sichergestellt, dass

bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der

Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen

nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken

störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen

ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durc h dieses der Anwe ndu ng e ntspreche nde Messve rfah re n erg ibt sich fü r

die Anwender ei ne besser verwertbare Größ e. Diese Lochblenden messung ist gekennze ichnet durch den Eintrag

„E 7800“, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.

1) Only one group in one pack ing unit, (variation lower 2:1)

An aperture is used in front of the component for measur ement of the radiant intensity and the half angle (diameter

of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4.0 mm). This ensures that solely the radiation

in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant

intensity. Radiation reflected by the bo ttom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair

the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the

application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring

procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted

by ’E 7800’ added to the type design ation.

SFH 4850 E7800

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Relative Spectral Emission

Irel = f (λ)

Forward Current IF = f (VF)

Single pulse, tp = 20 μs

700

0nm

OHF04135

100

950750 800 850

rel

OHL01713

10-4 0.5 1 1.5 2 2.5 V3

100

-1

10-2

-3

Radiant Intensity

Single pulse, tp = 20 μs

Permissible Pulse Handling

Capability IF = f (τ), TA = 25 °C,

duty cycle D = parameter

Ie 100 mA = f (IF)

OHL01715

-3

-1

-2

e (100 mA)

1055

1010

-2-3-4-5

1010 10

210-1

10 s10

OHF02645

0.02

0.5

0.2 0.05

0.1

0.005

0.01

Max. Permissible Forward Current

IF = f (TA)

40200

01008060 ˚C

OHF02644

100

150

200

250

thJC

= 160 K/W

= 450 K/W

thJA

2009-05-14 6

SFH 4850 E7800

Maßzeichnung

Package Outlines

Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch).

Abstrahlcharakteristik

Radiation Characteristics Irel = f (ϕ)

Gehäuse / Package 18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, Anschlüsse im

2.54-mm-Raster (1/1 0“)

18 A3 DIN 41870 (TO-18), clear epoxy resin,

lead spacing 2.54-mm(1/10“)

Anschlussbelegung

Pin configuration 1 = Kathode / cathode

2 = Anode / anode

ø4.3 (0.169)

ø4.1 (0.161)

Chip position

3.6 (0.142)

3.0 (0.118)

2.54 (0.100)

spacing

GETY6625

14.5 (0.571)

12.5 (0.492)

ø0.45 (0.018)

2.7 (0.106)

0.9 (0.035)

1.1 (0.043)

0.9 (0.035)

1.1 (0.043)

ø5.5 (0.217)

ø5.2 (0.205)

OHR01457

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

100

10203040

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

SFH 4850 E7800

2009-05-14 7

Lötbedingungen

Soldering Conditions

Wellenlöten (TTW) (nach CECC 00802)

TTW Soldering (acc. to CECC 00802)

Published by

OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg

www.osram-os.com

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incurred.

Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical

components 1 , may only be use d in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS.

1 A critical componen t is a component usedin a life-support device or syste m whose failure can reasonably be expected

to cause the failure of that life-support devic e or system, or to a ffect its safety or e ffectiveness of that device or system.

2 Life support devices or syste ms are intended (a) to be implanted in the human body, o r (b) to support and/or maintain

and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered .

OHLY0598

050 100 150 200 250

100

150

200

250

300

235 C

10 s

C... 260

1. Welle

1. wave

2. Welle

2. wave

5 K/s 2 K/s

ca 200 K/s

CC... 130100

2 K/s Zwangskühlung

forced cooling

Normalkurve

standard curve

Grenzkurven

limit curves