NPN SILICON TRANSISTOR, TRIPLE DIFFUSED MESA *BUX42 TRANSISTOR SILICIUM NPN, MESA TRIPLE DIFFUSE Preferred device Dispositif recommand - High speed, high current, high power transistor Transistor de puissance rapide, fort courant P ee Vee 250 V - Thermal fatigue inspection Ic IZA Contrl en fatigue thermique Prot 120 W - Switching and amplifier transistor Transistor damplification et de commutation Reh(j-<) < 1,46 C/W Vee sat (6 A) <1,6 V te (6 A) <1 2 us Dissipation and Is/p derating Case TO-3 See outline drawing CB-19 on last pages Variation de dissipation et de I5 1B Bojtier Voir dessin cot CB-19 dernires pages 100% 75 Pe 50 a SS 25 30% Bottom view B Vue de dessous o Weight : 14,4 g. Collector is connected to case Masse Le collecteur est reli au boitier 50 100 150 tyase(C) ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION case {Sauf indications contraires) Collector-base voltage Vv, Tension collecteur-baes CBO 300 Vv Collector-emitter voitage Vv Tension collecteur-metteur CEO 260 v Collector-emitter voltage = 100 2 Vv, Tension collecteur-metteur R BE 9 CER 290 Vv Collector-emitter voltage Voe = -15V Vv, Tension collecteur-metteur BE cEXx 300 v Foca bac volte E80 : v Collector current I Courant collecteur c 12 A Peak collector current _ I Courant de crte de collecteur b= 10 ms cM 15 A Base current I Courant base B 2,4 A Power dissipation _ P. Dissipation de puissance tease = 25C tot 120 w Junction temperature t Temprature de jonction max 1 200 c Storage temperature min tetq 65 C Temprature de stockage max +200 C 73-12 1/8 791*BUX 42 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Untess otherwise stated) (Saut indications contraires} Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure Collector-emitter cut-off current Vee = 200 lee 1 mA Courant rsiduet collecteur-metteur Ip =0 Veg = 300 V CE = 4 mA Vege = -15V Collector-emitter cut-off current lcex Courant rsiduel collecteur-metteur Vv cE = 300 V Vee = -1,5V 5 mA oO tease = 125C Emitter-base cut-off current Veg =5V leBo 1 Courant rsiduel metteur-base le =0 mA Io = 200 mA Collector-emitter breakdown voltage i =0 Vv Tension de claquage collecteur-metteur = 25 mH CEO (sus) 260 Vv (fig. 1) Emitter-base breakdown voltage Ip =50mA Vv Tension de claquage metteur-bese \ C =0 {BRIEBO 7 v Vog =4V lo =4A 15 45 Static forward current transfer ratio * Valeur statique du rapport de transfert hore direct du courant Vee =4V lo = 6A 8 le =4A Ip =O4A 0,33 1,2 Vv Collector-emitter saturation voltage VcEsat * Tansion de saturation collecteur-metteur ! =6A c= lp =O.75A 05 1,6 Vv : i =6A * Base-emitter saturation voltage c Vv, Tension de saturation base-6metteur Ip =0,75A BEsat 1.2 2 v Veg = 135 V Vce = 0,15 A Second breakdown collector current Igig Courant collecteur de second claquage Voce =30V 4 A t =1s * Pulsed t= 300ns 6 <2% impuisions p 2/8 792*BUX 42 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} (Sauf indications contraires) Test conditions : Conditions de mesure Min. Typ. Max. Transition Vog = 18 V ransition frequency a f. Frquence de transition Ic =iA T 8 MHz t = 10 MHz i I =6A Turn-on time Cc tytt, Temps tote! d'tablissemen: fig. 2} Ip =0,75A as 0,45 1 us \o =6A Fall time . _ t Temps de dcroissance (fig. 2) Igy =O,75A f 0,7 1,2 us t =-0,75A B2 Io = 6A Carrier storage time : =0,75A Retard @ la dcroissance (fig. 2) By 0,75 1,35 2 uS Igo = 0,75 A THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Ray Rsistance thermique ljonction-botier} | th{j-c} | | 1,46 C/W THERMAL FATIGUE INSPECTION CONTROLE EN FATIQUE THERMIQUE Mounting silicon chip on a molybdenum header Le montage de /a pastille sur un support en molybdne limite bounds mechanical constraints and provides maximum les aint ie et confare au istor un maxi- insurance against thermal fatigue. mum de garantie contre la fatigue thermique. Pulsed test : Contrdle cyclique : 10 000 cycles on : 2 minutes (0 > 48 W) off! : minute (48>0W) tease = 100C max Atcase= 85C max 3/8 793*BUX 42 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit (A) 50 20 0,5 Continu Pulsed 0,2 Tease = 25C 0,1 0,05 0,02 0,01 1 2 5 10 20 50 100 200 500 Vo,!v) 4/8 794*BuxX 42 TEST CIRCUIT y MONTAGE DE TEST CEO(sus) (fig. 1) horizontal horizontal o_ 50 Hz test transistor transistor en test L=25mH | vertical vertical 4) + 19 iw L_Jo-sov common Rg=1002 OF 10V , commun ._ i ~pa-- ff Note: The sustaining voltage VCEO is acceptable when the trace falls to the right and above point A. Les tensions Voceo sont acceptables larsque !a trace passe au-dela du point A. SWITCHING TIMES TEST CIRCUITS (and oscillograms) (fig. 2) CIRCUITS DE MESURE DES TEMPS DE COMMUTATION (et oscilfogrammes) ' "oc + ___ _P p! R.| wh 5600 uF e c ce i 1 Es ' BI 8? AWN =e 3 re t oer 88 'B2 ~ Voc = 150 V Ro = 25 Q 90 % Rp = 8202 @. fe} o8 23 7 f . 10% 2 t tt . t Ro - Rg : non inductive resistances g8 a r te tp Pulse width = 10 us SS ton-wm { oft Forme factor < 1% Rise and fall time <50 ns 1g1 and Ig mesured with Tektronix probe Ro- Rg : rsistances non inductives P 6021 and Amplifier type 134 ty : Largeur dimpulsion = 10 us /g7 et 1g2 sont mesurs avec une sonde Tektronix Facteur de forme S1% P 6021 et Amplificateur tvne 134 Temps de monte et descente 50 ns*BUX 42 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR. EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de ja tension collecteur-metteur (A) goo 8 1 500 mA 400 mA apo A 200 mA = 100 mA 0 1 2 3 4 Voglv) COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER RESISTANCE(minimum value} Tension colfecteur-metteur en fonction de ia Vor rsistance base-metteur (valeur minimum) (Vv) gS mA 310 290 270 250 230 2 #468 2 #468 2 4 10" 10? 103 Rye ts COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE \ Courant coilecteur en fonction de la tension c (A} 0,8 0,6 0,4 0,2 mA, =1mMmA 0 0 10 20 30 40 Vogtv) STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du courant en fonction du courant sollecteur hoe Vce=4V M, 150 | ! v 125; 7 gf | oo J Sf a 100 of ie 75 \ 50 28 \ x 0 ~~ 2 468 2 468 2 4 i107 10 10 IgA) 6/8 796*BUX 42 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de ia tension base- 'p metteur Voe=4v 102 ao 10! 0 04 O08 1,2 1,6 Vpelv) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en Vee sat fonction du courant collecteur {v) Ics 'p 1,6 1,2 0,8 0,4 2 468 2 #468 2 #4 1071 10 10! IgA) COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension L., ase-metteur (A)P Vop =4v 4 10! 0 804 O08 12 16 Vpetvi BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en VBE satfonction du courant collecteur (v} 8 1,6 0,8 0,4 1071 2 #4 #500 2 4 Seo! 2 #4 IgA 7/8 797BUX 42 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES QUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction de fa tension collecteur-base Coa * (pF) 6 4 2 4 68 2 4 6Vog!V) SWITCHING TIMES VERSUS COLLECTOR CURRENT Temps de commutation en fonction du t courant collecteur Voge = 150 V 0 2 4 6 8 Ifa) TRANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR CURRENT Frquence de transition en fanctian du f courant collecteur T (MHz}| case = 25C Vop= 15 Vv 15 10 1077 10 I, (A) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de la rsistance thermique en oimpulsions K 6 08 4 oa 03 2 1072 2 5 2 5 105 104 1073" 5 0? 5 10717 tplsec) 3/8 798