TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FD200R12KE3 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlledHighEfficiencyDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80C, Tvj max = 150C TC = 25C, Tvj max = 150C IC nom IC 200 295 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 400 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 150 Ptot 1050 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 200 A, VGE = 15 V IC = 200 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 8,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge Tvj = 25C Tvj = 125C VCE sat A A typ. max. 1,70 2,00 2,15 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 1,90 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 3,8 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 3,6 Tvj = 25C Tvj = 125C td on 0,25 0,30 s s Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 3,6 Tvj = 25C Tvj = 125C tr 0,09 0,10 s s Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 3,6 Tvj = 25C Tvj = 125C td off 0,55 0,65 s s Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 3,6 Tvj = 25C Tvj = 125C tf 0,13 0,18 s s EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH VGE = 15 V, di/dt = 3000 A/s RGon = 3,6 Tvj = 25C Tvj = 125C Eon 10,0 15,0 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH VGE = 15 V, du/dt = 4000 V/s RGoff = 3,6 Tvj = 25C Tvj = 125C Eoff 24,0 35,0 mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,024 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:WR revision:3.3 1 tP 10 s, Tvj = 125C 800 A 0,12 K/W K/W 125 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FD200R12KE3 Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VRRM 1200 V IF 300 A IFRM 600 A It 19000 As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,65 1,65 2,15 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 300 A, VGE = 0 V IF = 300 A, VGE = 0 V Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 300 A, - diF/dt = 3000 A/s (Tvj=125C) Tvj = 25C VR = 600 V Tvj = 125C IRM 210 270 A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 300 A, - diF/dt = 3000 A/s (Tvj=125C) Tvj = 25C VR = 600 V Tvj = 125C Qr 30,0 56,0 C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 300 A, - diF/dt = 3000 A/s (Tvj=125C) Tvj = 25C VR = 600 V Tvj = 125C Erec 14,0 26,0 mJ mJ Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,03 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 Tvj = 25C Tvj = 125C VF V V 0,15 K/W K/W 125 C Diode,Revers/Diode,Reverse HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VRRM 1200 V IF 200 A IFRM 400 A It 7800 As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 200 A, VGE = 0 V IF = 200 A, VGE = 0 V Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode min. Tvj = 25C Tvj = 125C VF typ. max. 1,65 1,65 2,15 RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,04 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:WR revision:3.3 2 V V 0,20 K/W K/W 125 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FD200R12KE3 Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Kriechstrecke Creepagedistance VISOL 2,5 kV Cu Al2O3 Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 29,0 23,0 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 23,0 11,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 400 min. typ. RthCH 0,01 LsCE 20 nH RCC'+EE' 0,70 m Tstg -40 125 C SchraubeM6-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlusse Terminalconnectiontorque SchraubeM6-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 2,5 - 5,0 Nm Gewicht Weight G 340 g preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:WR revision:3.3 Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting 3 max. K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation FD200R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=125C 400 400 Tvj = 25C Tvj = 125C 320 320 280 280 240 240 200 200 160 160 120 120 80 80 40 40 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 360 IC [A] IC [A] 360 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 UbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=3.6,RGoff=3.6,VCE=600V 400 80 Tvj = 25C Tvj = 125C 360 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C 70 320 60 280 50 E [mJ] IC [A] 240 200 160 40 30 120 20 80 10 40 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:WR revision:3.3 4 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 IC [A] TechnischeInformation/TechnicalInformation FD200R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=200A,VCE=600V TransienterWarmewiderstandIGBT,Brems-Chopper transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 100 1 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C 90 ZthJC : IGBT 80 70 0,1 ZthJC [K/W] E [mJ] 60 50 40 0,01 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,00228 0,00683 0,06045 0,05044 i[s]: 0,00001187 0,002364 0,02601 0,06499 10 0 0 4 8 12 16 20 RG [] 24 28 32 SichererRuckw.-Arbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper (RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=3.6,Tvj=125C 500 IC, Modul IC, Chip 450 540 480 350 420 300 360 240 150 180 100 120 50 60 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 1 10 0 1400 preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:WR revision:3.3 5 Tvj = 25C Tvj = 125C 300 200 0 0,1 t [s] 600 400 250 0,01 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) IF [A] IC [A] 0,001 0,001 36 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FD200R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=3.6,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=300A,VCE=600V 30 30 Erec, Tvj = 125C 27 27 24 24 21 21 18 18 E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125C 15 15 12 12 9 9 6 6 3 3 0 0 60 0 120 180 240 300 360 420 480 540 600 IF [A] TransienterWarmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 0 3 6 9 12 15 18 RG [] 21 24 27 30 DurchlasskennliniederDiode,Revers(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical) IF=f(VF) 1 400 ZthJC : Diode 360 Tvj = 25C Tvj = 125C 320 280 IF [A] ZthJC [K/W] 240 0,1 200 160 120 80 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,00284 0,00853 0,07562 0,06301 i[s]: 0,00001187 0,002364 0,02601 0,06499 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 40 0 10 preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:WR revision:3.3 6 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FD200R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules TransienterWarmewiderstandDiode,Revers transientthermalimpedanceDiode,Reverse ZthJC=f(t) 1 ZthJC [K/W] ZthJC : Diode 0,1 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,00378 0,01136 0,10088 0,08398 i[s]: 0,0000119 0,002364 0,02601 0,06499 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:WR revision:3.3 7 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FD200R12KE3 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehauseabmessungen/packageoutlines j j n i i preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:WR revision:3.3 8 n TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FD200R12KE3 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfurIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfurdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,furdiewireineliefervertraglicheGewahrleistungubernehmen.Eine solcheGewahrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfurdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsubernommen.DieAngabenindengultigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenotigen,dieuberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfurSiezustandigenVertriebsburoin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FurInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnteunserProduktgesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiRuckfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfurSiezustandigenVertriebsburoinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefahrdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfurdieseFalle -diegemeinsameDurchfuhrungeinesRisiko-undQualitatsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitatssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinfuhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhangigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheAnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:WR revision:3.3 9 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: FD200R12KE3