1N4148WT
1N4148WT
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-05-03
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation – Verlustleistung 150 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
75 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse ~ SOD-523
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
1N4148WT
Power dissipation − Verlustleistung Ptot 150 mW 1)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 125 mA 1)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 250 mA 1)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 µs
tp ≤ 100ms
IFSM
IFSM
2 A 1)
1 A
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 75 V
Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung VRSM 100 V 2)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-65...+150°C
-65…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
VF
< 0.715 V
< 0.855 V
< 1.000 V
<1.250V
Leakage current – Sperrstrom VR = 20 V
VR = 75 V
IR
IR
< 25 nA
< 1 µA
Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C VR = 25 V
VR = 75 V
IR
IR
< 30 µA
< 50 µA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz CT2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 4 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 833 K/W 1)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
1.5
±0.05
0.7
0.35
0.8
0.13
1.2
±0.05
1N4148WT
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
T = 125°C
j
