NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL COLLECTOR 2 N 6032 TRANSISTORS SILICIUM,NPN COLLECTEUR EPITAXIE 2 N 6033 - High current, high speed, high power transistor Transistor rapide fort courant, forte puissance VcEO(sus) { 4 y 2N 6032 we og: . 2 2N - Fast switching and amplifier applications 6033 Transistors de commutation et damplificatian rapide le {5 A 2N 6032 40 A 2N 6033 Prot 140 W Renij-c) 1,25 c/w max. t, 1,5 us max. ts 05 ys max. Dissipation derating Case TO-3 See outline drawing CB-19 on last pages Variation de dissipation Boitier Voir dessin cot CB-19 dernires pages 100 % Bottom view Vue de dessous E 75 N \ | ! \ or @ ' , | \ 28 t L Weight : 14,4 9 Collector is connected to case SO 100180 tage (C) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Sauf indications contraires) 2N 6032 2N 6033 Collector-base voltage Vv Tension collecteur-bese CBO 120 150 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur CEO 90 120 Vv Collector-emitter voltage _ Tension collecteur-metteur Rag = 502 Vcoer 110 140 Vv Collector-emitter voltage _ Tension collecteur-metteur Vee =15V Vcex 120 150 Vv Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 7 7 Vv Collector current Courant collecteur Io 50 40 A Base current 1 Courant base B 10 10 A Power dissipation _ P Dissipation de puissance tease = 25C tot 140 140 Ww Junction temperature t Temprature de jonction max. j 200 200 C Storage temperature min, tet 65 65 oC Temprature de stockage max. stg +200 +200 2G 74-3 1/4 THOMSON - CSF DNIGION KEMICONOUCTEURS 409 2N 6032, 2N 6033 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 28C {Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-emitter cut-off current Veg =80V 1 Courant rsiduel collecteur-metteur 'p =0 CEO 10 mA Voge = 110 V cE Vee =15V 12 mA = 2N 6032 Veg = 100 V Vee =-15V 15 mA t = 150C Collector-emitter cut-off current ease loex Courant rsidue! coliecteur-6metteur 135 V cE Vv. = cE A Vag = 15 V 10 m 2N 6033 Voce = 100 V VB E= -1,5V 10 mA Toase = 150C Emitter-base cut-off current Vep=7V Courant rsiduel metteur-base ip =0 lego 10 mA I = 200 mA Cotlector-emitter breakdown voltage ic =0 ViBRICEO 2N 6032) 90 Vv Tension de claquage collecteur-metteur 8 > 2N 6033 120 L =z 15 mH Collector-emitter breakdown voltage e =502 Vv er* 2N 6032} 110 Vv Tension de claquage collecteur-metteur BE ~ (BR)C 2N 6033) 140 tL = 15mH Veg =-1.8V Collector-emitter breakdown voltage Iq =200mA Vipr ex 2N 6032 | 120 V Tension de claquage collecteu'r-metteur Ree =502 (BR)C 2N 6033 150 L =2mH Voce =2.6V 2N6032| 10 50 Static forward current transfer ratio | ! =5O0A x Valeur statique du rapport de t hoy diract du courant VoE =2V io =40.A 2N 6033 | 10 50 [ OA ic = A 2N 6032 1,3 Vv Coltector-emitter saturation voltage _ B Vee i* Tension de saturation collecteur-metteur \ 40 A sa * 2N 6033 1 v lg =4A * Pulsed t,=300us 5<2% Imputsions =P 214 410 2N 6032, 2N 6033 STATIC CHARACTERISTICS (Uniess otherwise stated) = CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Sauf indications contraires} Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. 7 1 =50A cc. 2N 6032 2 Vv Base-emitter saturation voltage L's =5A Vv x Tension de saturation base-metteur i c = 40 A BEsat Ig 4A 2N 6033 2 Vv Ver =2Vv ~] oe soa 2N 6032 2 Vv Base-emitter voltage c = Vv Tension base-metteur Voce =2?2V BE ic =40A 2N 6033 2 Vv Voce = 24 Vv 58 A Second breakdown collector current t = Is Isp Courant collecteur de second claquage Voce =40V 09 A t = 1s ' Vor =-4V Second breakdown energie Il =20A E Energie de second claquage x e=s Q S$/B 62 mJ L =0,31mH | DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Vee =10V Forward current transfer ratio ! -2A hoy 10 Rapport de transfert direct du courant c 7 e f = 5 MHz Transition frequency Voge = 10V fy 50 MHz Frquence de transition | c= ZA | =50A o @5A 2N 6032 1 us Turn-on time Voc = 30V) 8B. t, +t Temps total dtablissement I c =40A d r tp =4A 2N 6033 1 us lo =50A te =SA 2N 6032 0,5 us . | =-5A Fall time (Veg = 30 V)L__B2 t Temps de dcroissance lo = 40A Ig, =4A 2N 6033 0,5 us Iga =~-4A Ip =50A Igy =5A 2N 6032 15 ps Carrier storage time Veco = 30 V) 'g2 =-5A t Retard & la dcroissance lo = 40A s Ig, =4A 2N 6033 15 Hs tpg =4A THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal! resistance Rang: 1,25 Rsistance thermique (jonction-boftier} j th{j-c) cw * Pulsed tp = 300us 6 < 2% impuisions 3/4 411 2N 6032, ZN 6033 SAFE OPERATING AREA AIRE DE FONCTIONNEMENT DE SECURITE tease = Continuous Continu Pulsed Impulsions 2N 6032 2N 6033 2 5 10 20 50 100 200 CE (v) 414 412