KYZ35A05 ... KYZ35A6, KYZ35K05 ... KYZ35K6
KYZ35A05 ... KYZ35A6, KYZ35K05 ... KYZ35K6
Silicon-Press-Fit-Diodes – High Temperature Diodes
Silizium-Einpress-Dioden – Hochte mp eratur-Dioden
Version 2006-04-22
Dimensions - Maße [mm ]
Nominal Current
Nennstrom 35 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrsp annung 50 ... 600 V
Metal press-fit case with glass seal
Metall-Einpressgehäuse mit Glas-Durchführung
Weight ap p ro x. – Gewicht ca. 10 g
Compound h as classif icati on UL 94 V-0
Vergussmasse nach UL94V- 0 kla s si fiziert
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Maximum ratings Grenzwerte
Type / Typ
Wire to / Draht an
Anode Cathode
Repetive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
KYZ35A05 KYZ35K05 50 60
KYZ35A1 KYZ35K1 100 120
KYZ35A2 KYZ35K2 200 240
KYZ35A3 KYZ35K3 300 360
KYZ35A4 KYZ35K4 400 480
KYZ35A6 KYZ35K6 600 700
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 35 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 130 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 360/400 A
Rating for f using, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 660 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperat ur
Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Max. case temperature T C = 150°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 150°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
4
16
6.6
±0.5
1.5
±0.5
Ø
±0.5
16
Ø
±0.04
12.77
KYZ35A05 ... KYZ35A6, KYZ35K05 ... KYZ35K6
Characteristics Kennwerte
Forward Voltage
Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 35 A VF< 1.1 V
Leakage Current
Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 100 µA
Thermal Resistance Junction – Case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 0.8 K/W
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Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
T = 25°C
j
T = 125°C
j
360a-(35a-1,1v)
P eak forward surg e current vers us num b er of c ycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
10
10
10
3
2
[A]
î
F
1 10 10 [n] 10
2 3
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
[°C]
T
C
150100
50
0
