Electronics Company
01.07.1998
Marketing Information
BSM 150 GT 170 DL
1
2
3
4
21
19
5
6
7
8
17
16
9
10
11
12
13
15
1 2 3 5
19
6 12
3.81
15.24
5 x 15.24 =76.2
110
19.05 3.81
4 x 19.05 = 76.2
99.9
121.5
1.15x1.0
4
18
7 8 9 1110
17 16 15
119
94.5
118.11
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BSM 150 GT 170 DL vorläufige Daten
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
preliminary data
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
I
C,nom.
150
A
T
C
I
C
300
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
p
= 1 ms, T
C
= 80°C
I
CRM
300
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
= 25°C, Transistor
P
tot
1250
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
± 20
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
150
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
p
= 1 ms
I
FRM
300
A
Grenzlastintegral der Diode I
2
t - value, Diode V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C I
2
t7200 A
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
3,4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I
C
= 150A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C
v
CE sat
-
2,7
3,3
V
I
C
= 150A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C -3,2 -V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 7mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
v
GE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
-
10
-
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
CES
-
0,05
0,3
mA
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C -4-mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
200
nA
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn-on delay time (inductive load)
I
C
= 150A, V
CE
= 900V
t
d,on
V
GE
= ±15V, R
G
= 10
Ω
, T
vj
= 25°C -0,1 -µs
V
GE
= ±15V, R
G
= 10
Ω
, T
vj
= 125°C -0,1 -µs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load) I
C
= 150A, V
CE
= 900V
t
r
V
GE
= ±15V, R
G
= 10
Ω
, T
vj
= 25°C -0,1 -µs
V
GE
= ±15V, R
G
= 10
Ω
, T
vj
= 125°C -0,1 -µs
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load) I
C
= 150A, V
CE
= 900V
t
d,off
V
GE
= ±15V, R
G
= 10
Ω
, T
vj
= 25°C -0,8 -µs
V
GE
= ±15V, R
G
= 10
Ω
, T
vj
= 125°C -0,9 -µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I
C
= 150A, V
CE
= 900V
t
f
V
GE
= ±15V, R
G
= 10
Ω
, T
vj
= 25°C -0,03 -µs
V
GE
= ±15V, R
G
= 10
Ω
, T
vj
= 125°C -0,03 -µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse I
C
= 150A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
E
on
R
G
= 10
Ω
, T
vj
= 125°C, L
S
= 60nH -70 -mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse I
C
= 150A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
E
off
R
G
= 10
Ω
, T
vj
= 125°C, L
S
= 60nH -46 -mWs
Kurzschlußverhalten SC Data t
P
≤
10µsec, V
GE
≤
15V, R
G
= 10
Ω
I
SC
T
Vj
≤
125°C, V
CC
=1000V -600 -A
V
CEmax
=V
CES
-L
sCE
x dI/dt
Modulinduktivität stray inductance module L
sCE
-25 -nH
Charakteristische Werte / Characteristic values: Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
I
F
= 150A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
F
-
2,2
2,6
V
I
F
= 150A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C -2-V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 150A, - di
F
/dt = 2250A/µsec
I
RM
V
R
= 900V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C -110 -A
V
R
= 900V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C -165 -A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
I
F
= 150A, - di
F
/dt = 2250A/µsec
Q
r
V
R
= 900V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C -17 -µAs
V
R
= 900V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C -38 -µAs
Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy I
F
= 150A, - di
F
/dt = 2250A/µsec E
rec
V
R
= 900V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C -8-mWs
V
R
= 900V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C -15 -mWs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
-
-
0,1
K/W
Diode / diode, DC - - 0,24 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Module / per Module
R
thCK
d
Paste
≤
50µm / d
grease
≤
50µm - - 0,012 K/W
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
Kriechstrecke creepage distance 20 mm
Luftstrecke clearance 11 mm
CTI comperative tracking index 225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque max. 5Nm
Gewicht weight G300 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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BSM 150 GT 170 DL
BSM 150 GT 170 DL / 1
Bild / Fig. 1
Ausgangskennlinie (typisch) /
Output characteristic (typical)
IC = f(VCE)
VGE = 15V
0
50
100
150
200
250
300
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
IC
[A]
VCE [V]BSM 150 GT 170 DL / 2
Bild / Fig. 2
Ausgangskennlinienfeld (typisch) /
Output characteristic (typical)
IC = f(VCE)
Tvj = 125°C
0
50
100
150
200
250
300
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VGE = 19V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
IC
[A]
VCE [V]
BSM 150 GT 170 DL / 3
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristic (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
IC = f(VGE)
VCE = 20V
0
50
100
150
200
250
300
5 6 7 8 9 10 11 12 13
Tj = 25°C
Tj = 125°C
IC
[A]
VGE [V]BSM 150 GT 170 DL / 4
Bild / Fig. 4
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) /
Forward characteristic of inverse diode (typical)
IF = f(VF)
0
50
100
150
200
250
300
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
IF
[A]
VF [V]
BSM 150 GT 170 DL / 6
Bild / Fig. 6
Schaltverluste (typisch) /
Switching losses (typical)
Eon = f(RG), Eoff = f(RG), Erec = f(RG)
IC = 150A, VCE = 900V, Tj = 125°C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0 10 20 30 40 50
Eoff
Eon
Erec
E
[mJ]
RG [Ω]
Bild / Fig. 5
Schaltverluste (typisch) /
Switching losses (typical)
Eon = f(IC), Eoff = f(IC), Erec = f(IC)
Rgon = Rgoff = 10Ω, VCE = 900V, Tj = 125°C
BSM 150 GT 170 DL / 5
0
50
100
150
200
250
0 50 100 150 200 250 300
Eoff
Eon
Erec
E
[mJ]
IC [A]
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BSM 150 GT 170 DL
BSM 150 GT 170 DL / 7
Bild / Fig. 7
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) /
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
Rg = 10Ω, Tvj = 125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
IC,Modul
IC,Chip
VCE [V]
IC
[A]
http://store.iiic.cc/