FZ1600R17KF6C_B2 - Infineon Technologies [EUPEC]

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules FZ1600R17KF6C B2

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage VCES 1700 V

Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 °C IC,nom. 1600 A

DC-collector current TC = 25 °C IC2600 A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 3200 A

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 12,5 kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V

Dauergleichstrom

DC forward current IF1600 A

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current tp = 1 ms IFRM 3200 A

Grenzlastintegral der Diode

I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t660 kA2s

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4kV

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC = 1600A, VGE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat 2,6 3,1 V

collector-emitter saturation voltage IC = 1600A, VGE = 15V, Tvj = 125°C 3,1 3,6 V

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage IC = 130mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V

Gateladung

gate charge VGE = -15V ... +15V QG19 µC

Eingangskapazität

input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies 105 nF

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres 5,3 nF

Kollektor-Emitter Reststrom VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C ICES 0,04 3 mA

collector-emitter cut-off current VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C 20 160 mA

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES 400 nA

prepared by: Alfons Wiesenthal date of publication: 19.01.2001

approved by: Christoph Lübke; 06.02.2001 revision: 2 (Serie)

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IGBT-Module

IGBT-Modules

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 1600A, VCE = 900V

turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, Tvj = 25°C td,on 0,3 µs

VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, Tvj = 125°C 0,3 µs

Anstiegszeit (induktive Last) IC = 1600A, VCE = 900V

rise time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, Tvj = 25°C tr0,19 µs

VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, Tvj = 125°C 0,19 µs

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 1600A, VCE = 900V

turn off delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, Tvj = 25°C td,off 1,2 µs

VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, Tvj = 125°C 1,2 µs

Fallzeit (induktive Last) IC = 1600A, VCE = 900V

fall time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, Tvj = 25°C tf0,15 µs

VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, Tvj = 125°C 0,16 µs

Einschaltverlustenergie pro Puls IC = 1600A, VCE = 900V, VGE = 15V

turn-on energy loss per pulse RG = 0,9Ω, Tvj = 125°C, LS = 50nH Eon 430 mWs

Abschaltverlustenergie pro Puls IC = 1600A, VCE = 900V, VGE = 15V

turn-off energy loss per pulse RG = 0,9Ω, Tvj = 125°C, LS = 50nH Eoff 670 mWs

Kurzschlußverhalten tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V

SC Data TVj≤125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC 6400 A

Modulinduktivität

stray inductance module LsCE 12 nH

Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip

module lead resistance, terminals - chip RCC´+EE´ 0,08 mΩ

Charakteristische Werte / Characteristic values

Diode / Diode min. typ. max.

Durchlaßspannung IF = 1600A, VGE = 0V, Tvj = 25°C VF2,1 2,5 V

forward voltage IF = 1600A, VGE = 0V, Tvj = 125°C 2,1 2,5 V

Rückstromspitze IF = 1600A, - diF/dt = 9600A/µsec

peak reverse recovery current VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C IRM 1400 A

VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C 1700 A

Sperrverzögerungsladung IF = 1600A, - diF/dt = 9600A/µsec

recovered charge VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Qr300 µAs

VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C 560 µAs

Abschaltenergie pro Puls IF = 1600A, - diF/dt = 9600A/µsec

reverse recovery energy VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Erec 210 mWs

VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C 380 mWs

FZ1600R17KF6C B2

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IGBT-Module

IGBT-Modules FZ1600R17KF6C B2

Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max.

Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC RthJC 0,01 K/W

thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC 0,017 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module

λPaste = 1 W/m*K / λgrease = 1 W/m*K RthCK 0,008 K/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature Tvj 150 °C

Betriebstemperatur

operation temperature Top -40 125 °C

Lagertemperatur

storage temperature Tstg -40 125 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation

internal insulation AlN

Kriechstrecke

creepage distance 17 mm

Luftstrecke

clearance 10 mm

CTI

comperative tracking index min. 275

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M1 5 Nm

mounting torque

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminals M4 M2 2 Nm

terminal connection torque terminals M8 8 - 10 Nm

Gewicht

weight G 1050 g

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.

Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is

valid in combination with the belonging technical notes.

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IGBT-Module

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IC [A]

VCE [V]

IC [A]

VCE [V]

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

Tj = 25°C

Tj = 125°C

Ausgangskennlinie (typisch) IC = f (VCE)

Output characteristic (typical) VGE = 15V

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

VGE = 20V

VGE = 15V

VGE = 12V

VGE = 10V

VGE = 9V

VGE = 8V

Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC = f (VCE)

Output characteristic (typical) Tvj = 125°C

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IGBT-Module

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IC [A]

VGE [V]

IF [A]

VF [V]

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

5678910111213

Tj = 25°C

Tj = 125°C

Übertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE)

Transfer characteristic (typical) VCE = 20V

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF = f (VF)

Forward characteristic of inverse diode (typical)

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IGBT-Module

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E [mJ]

IC [A]

E [mJ]

RG [Ω

ΩΩ

Ω]

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500

Eoff

Eon

Erec

Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)

Switching losses (typical) Rgon = Rgoff =0,9Ω

ΩΩ

Ω, VCE = 900V, Tj = 125°C, VGE = ± 15V

500

1000

1500

2000

2500

01234567

Eon

Eoff

Erec

Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)

Switching losses (typical) IC = 1600A , VCE = 900V , Tj = 125°C, VGE = ± 15V

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IGBT-Module

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ZthJC [K / W]

t [sec]

i 1234

ri [K/kW] : IGBT 0,94 4,72 1,425 2,92

τi [sec] : IGBT 0,027 0,052 0,09 0,838

ri [K/kW] : Diode 7,85 3,53 1,12 4,52

τi [sec] : Diode 0,0287 0,0705 0,153 0,988

IC [A]

VCE [V]

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA) Rg = 0,9 Ohm, Tvj= 125°C

Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)

Transient thermal impedance

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800

IC,Modul

IC,Chip

0,0001

0,001

0,01

0,1

0,001 0,01 0,1 1 10 100

Zth:Diode

Zth:IGBT

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Äußere Abmessungen / external dimensions

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