© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
May, 2011 Rev. 4
1Publication Order Number:
MC74VHC139/D
MC74VHC139
Dual 2-to-4 Decoder/
Demultiplexer
The MC74VHC139 is an advanced high speed CMOS 2to4
decoder/ demultiplexer fabricated with silicon gate CMOS
technology. It achieves high speed operation similar to equivalent
Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS low power
dissipation.
When the device is enabled (E = low), it can be used for gating or as
a data input for demultiplexing operations. When the enable input is
held high, all four outputs are fixed high, independent of other inputs.
The internal circuit is composed of three stages, including a buffer
output which provides high noise immunity and stable output. The
inputs tolerate voltages up to 7 V, allowing the interface of 5 V
systems to 3 V systems.
High Speed: tPD = 5.0 ns (Typ) at VCC = 5 V
Low Power Dissipation: ICC = 4 mA (Max) at TA = 25°C
High Noise Immunity: VNIH = VNIL = 28% VCC
Power Down Protection Provided on Inputs
Balanced Propagation Delays
Designed for 2 V to 5.5 V Operating Range
Low Noise: VOLP = 0.8 V (Max)
Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families
Latchup Performance Exceeds 300 mA
ESD Performance: Human Body Model > 2000 V;
Machine Model > 200 V
Chip Complexity: 100 FETs or 25 Equivalent Gates
These Devices are PbFree and are RoHS Compliant
SOIC16
D SUFFIX
CASE 751B
MARKING DIAGRAMS
18
9
16
18
16 9
VHC139
AWLYYWW
VHC
139
ALYW
TSSOP16
DT SUFFIX
CASE 948F
A = Assembly Location
WL, L = Wafer Lot
YY, Y = Year
WW, W = Work Week
http://onsemi.com
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 6 of this data sheet.
ORDERING INFORMATION
13
14
15
16
9
10
11
125
4
3
2
1
8
7
6
Ea
A1a
A0a
GND
A1b
A0b
Eb
VCC
Y0a
Y1a
Y2a
Y3a
Y0b
Y1b
Y2b
Y3b
PIN ASSIGNMENT
MC74VHC139
http://onsemi.com
2
Figure 1. Logic Diagram
A0a
A1a
Ea
A0b
A1b
1
Eb
Y0a
Y1a
Y2a
Y3a
Y0b
Y1b
Y2b
Y3b
ACTIVE-LOW
OUTPUTS
ADDRESS
INPUTS
ACTIVE-LOW
OUTPUTS
3
2
ADDRESS
INPUTS 13
14
15
4
5
6
7
12
11
10
9
Table 1. FUNCTION TABLE
Inputs Outputs
E A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3
H X X H H H H
L L L L H H H
L L H H L H H
L H L H H L H
L H H H H H L
En
A0
A1
Y0
Y1
Y2
Y3
Figure 2. Expanded Logic Diagram
(1/2 of Device)
INPUT
Figure 3. Input Equivalent Circuit
4
Figure 4. IEC Logic Diagram
Y0a
Y1a
Y2a
Y3a
Y0b
Y1b
Y2b
Y3b
5
6
7
12
11
10
9
15
14
13
1
2
3
A1a
A0a
Ea
A1b
A0b
Eb
2
1
EN
X/Y
1
0
2
3
0
1
DMUX
1
0
2
3
G0
3
15
14
13
1
2
3
A1a
A0a
Ea
A1b
A0b
Eb
Y0a
Y1a
Y2a
Y3a
Y0b
Y1b
Y2b
Y3b
4
5
6
7
12
11
10
9
MC74VHC139
http://onsemi.com
3
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
–0.5 to +7.0
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Input Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
–0.5 to +7.0
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Output Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
–0.5 to VCC + 0.5
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IIK
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Diode Current
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
20
ÎÎ
ÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IOK
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Diode Current
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
±20
ÎÎ
ÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Output Current, per Pin
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
±25
ÎÎ
ÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Current, VCC and GND Pins
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
±75
ÎÎ
ÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Power Dissipation in Still Air, SOIC Packages
TSSOP Package
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
500
450
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
mW
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Temperature
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎ
ÎÎ
°C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings
applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are
not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
Derating SOIC Packages: – 7 mW/°C from 65° to 125°C
TSSOP Package: 6.1 mW/°C from 65° to 125°C
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Max
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
5.5
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Input Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
5.5
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Output Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating Temperature
ÎÎÎ
ÎÎÎ
55
ÎÎÎ
ÎÎÎ
+125
ÎÎ
ÎÎ
°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC = 3.3 V ±0.3V
(Figure 3) VCC =5.0 V ±0.5V
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0
0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
100
20
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns/V
The qJA of the package is equal to 1/Derating. Higher junction temperatures may affect the
expected lifetime of the device per the table and figure below.
DEVICE JUNCTION TEMPERATURE VERSUS
TIME TO 0.1% BOND FAILURES
Junction
Temperature (°C) Time, Hours Time, Years
80 1,032,200 117.8
90 419,300 47.9
100 178,700 20.4
110 79,600 9.4
120 37,000 4.2
130 17,800 2.0
140 8,900 1.0
1
1 10 100 1000
TIME, YEARS
NORMALIZED FAILURE RATE
TJ= 80 C°
TJ= 90 C°
TJ= 100 C°
TJ= 110 C°
TJ= 130 C°
TJ= 120 C°
FAILURE RATE OF PLASTIC = CERAMIC
UNTIL INTERMETALLICS OCCUR
Figure 5. Failure Rate vs. Time
Junction Temperature
This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this highimpedance cir-
cuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
range GND v (Vin or Vout) v VCC.
Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or VCC).
Unused outputs must be left open.
MC74VHC139
http://onsemi.com
4
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Test Conditions
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC
(V)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
TA = 25°C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
TA = 85°C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
TA = 125°C
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Typ
ÎÎ
ÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIH
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Minimum
HighLevel Input
Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
5.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1.5
2.1
3.15
3.85
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.5
2.1
3.15
3.85
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.5
2.1
3.15
3.85
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum
LowLevel Input
Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
5.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.65
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.65
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.65
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Minimum
HighLevel Output
Voltage
VIN = VIH or VIL
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VIH or VIL
IOH = 50 mA
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1.9
2.9
4.4
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.9
2.9
4.4
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.9
2.9
4.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VIH or VIL
IOH = 4 mA
IOH = 8 mA
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
3.0
4.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.58
3.94
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.48
3.80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.34
3.66
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VOL
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum
LowLevel Output
Voltage
VIN = VIH or VIL
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VIH or VIL
IOL = 50 mA
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.0
0.0
0.0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.1
0.1
0.1
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VIH or VIL
IOL = 4 mA
IOL = 8 mA
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
3.0
4.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
0.36
0.36
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.44
0.44
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.52
0.52
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IIN
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input
Leakage Current
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = 5.5 V or GND
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0 to
5.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
±0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
±1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
±1.0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum
Quiescent Supply
Current
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VCC or GND
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
5.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
4.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
40.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
40.0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Test Conditions
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
TA = 25°C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
TA = 40 to 85°C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
TA = 55 to 125°C
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Typ
ÎÎ
ÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tPLH,
tPHL
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum
Propagation Delay,
A to Y
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC = 3.3 ± 0.3 VCL = 15 pF
CL = 50 pF
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
7.2
9.7
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
11.0
14.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
13.0
16.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
13.0
16.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC = 5.0 ± 0.5 VCL = 15 pF
CL = 50 pF
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
5.0
6.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
7.2
9.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
8.5
10.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
8.5
10.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tPLH,
tPHL
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum
Propagation Delay,
E to Y
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC = 3.3 ± 0.3 VCL = 15 pF
CL = 50 pF
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
6.4
8.9
ÎÎ
ÎÎ
9.2
12.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
11.0
14.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
11.0
14.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC = 5.0 ± 0.5 VCL = 15 pF
CL = 50 pF
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4.4
5.9
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
6.3
8.3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
7.5
9.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
7.5
9.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
CIN
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input
Capacitance
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
10
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
pF
CPD Power Dissipation Capacitance (1)
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
pF
26
1. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC/2 (per decoder). CPD is used to determine the
noload dynamic power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
MC74VHC139
http://onsemi.com
5
Figure 6.
50%
tPHL
tPLH
VCC
GND
Y50% VCC
A
SWITCHING WAVEFORMS
VCC
GND
tPHL tPLH
Y
E
50% VCC
50%
Figure 7.
*Includes all probe and jig capacitance
Figure 8. Test Circuit
CL*
TEST POINT
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
MC74VHC139
http://onsemi.com
6
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
MC74VHC139DR2G SOIC16
(PbFree)
2500 / Tape & Reel
MC74VHC139DTR2G TSSOP16
(PbFree)
2500 / Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
MC74VHC139
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
SOIC16
CASE 751B05
ISSUE K
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006) PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION
SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL IN EXCESS OF THE D
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
18
16 9
SEATING
PLANE
F
J
M
RX 45_
G
8 PLP
B
A
M
0.25 (0.010) B S
T
D
K
C
16 PL
S
B
M
0.25 (0.010) A S
T
DIM MIN MAX MIN MAX
INCHESMILLIMETERS
A9.80 10.00 0.386 0.393
B3.80 4.00 0.150 0.157
C1.35 1.75 0.054 0.068
D0.35 0.49 0.014 0.019
F0.40 1.25 0.016 0.049
G1.27 BSC 0.050 BSC
J0.19 0.25 0.008 0.009
K0.10 0.25 0.004 0.009
M0 7 0 7
P5.80 6.20 0.229 0.244
R0.25 0.50 0.010 0.019
____
6.40
16X
0.58
16X 1.12
1.27
DIMENSIONS: MILLIMETERS
1
PITCH
SOLDERING FOOTPRINT
16
89
8X
MC74VHC139
http://onsemi.com
8
PACKAGE DIMENSIONS
TSSOP16
CASE 948F01
ISSUE B
ÇÇÇ
ÇÇÇ
DIM MIN MAX MIN MAX
INCHESMILLIMETERS
A4.90 5.10 0.193 0.200
B4.30 4.50 0.169 0.177
C−−− 1.20 −−− 0.047
D0.05 0.15 0.002 0.006
F0.50 0.75 0.020 0.030
G0.65 BSC 0.026 BSC
H0.18 0.28 0.007 0.011
J0.09 0.20 0.004 0.008
J1 0.09 0.16 0.004 0.006
K0.19 0.30 0.007 0.012
K1 0.19 0.25 0.007 0.010
L6.40 BSC 0.252 BSC
M0 8 0 8
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD
FLASH. PROTRUSIONS OR GATE BURRS.
MOLD FLASH OR GATE BURRS SHALL NOT
EXCEED 0.15 (0.006) PER SIDE.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE
INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION.
INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION SHALL
NOT EXCEED 0.25 (0.010) PER SIDE.
5. DIMENSION K DOES NOT INCLUDE
DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE
DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08
(0.003) TOTAL IN EXCESS OF THE K
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
6. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
7. DIMENSION A AND B ARE TO BE
DETERMINED AT DATUM PLANE W.
___ _
SECTION NN
SEATING
PLANE
IDENT.
PIN 1
18
16 9
DETAIL E
J
J1
B
C
D
A
K
K1
H
G
ÉÉÉ
ÉÉÉ
DETAIL E
F
M
L
2X L/2
U
S
U0.15 (0.006) T
S
U0.15 (0.006) T
S
U
M
0.10 (0.004) V S
T
0.10 (0.004)
T
V
W
0.25 (0.010)
16X REFK
N
N
7.06
16X
0.36 16X
1.26
0.65
DIMENSIONS: MILLIMETERS
1
PITCH
SOLDERING FOOTPRINT
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice
to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.
“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All
operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights
nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should
Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,
and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death
associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal
Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
N. American Technical Support: 8002829855 Toll Free
USA/Canada
Europe, Middle East and Africa Technical Support:
Phone: 421 33 790 2910
Japan Customer Focus Center
Phone: 81357733850
MC74VHC139/D
LITERATURE FULFILLMENT:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 3036752175 or 8003443860 Toll Free USA/Canada
Fax: 3036752176 or 8003443867 Toll Free USA/Canada
Email: orderlit@onsemi.com
ON Semiconductor Website: www.onsemi.com
Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit
For additional information, please contact your local
Sales Representative