Vorläufige Daten
Preliminary data
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T571N
BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner 1/8 Seite/page
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Tvj = +25°C... Tvj max V
DRM,VRRM 6500 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = +25°C... Tvj max V
DSM 6600 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max V
RSM 6600 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM 1150 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 60 °C
ITAVM 540
730
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM 10500
9400
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 551
442
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs (diT/dt)cr 150 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
(dvD/dt)cr 1000
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iTM = 1 kA vT
max.
2,75 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V
(TO) 1,35 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max r
T 1,4 mΩ
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
T
TTT iD)1i(LnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
Tvj = Tvj max A=
B=
C=
D=
-3,296E-01
1,724E-03
4,376E-01
-5,275E-02
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12 V IGT max. 350 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 12 V VGT max. 2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD max.
max.
20
10
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM V
GD max. 0,4 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V IH max. 350 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
IL max. 3000 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR max. 400 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tgd max. 2,5 µs
Gehäusegrenzstrom nicht spezifiziert / case non rupture current not specified
prepared by: M.Droldner date of publication: 27.10.05
approved by: J.Przybilla revision: 1
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Vorläufige Daten
Preliminary data
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T571N
BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner 2/8 Seite/page
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = 1000A
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
tq typ. 1000 µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max, iTM = 1000A
vRM = 100 V, -diT/dt = 10 A/µs
Qr typ. 3000 µAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Tvj = Tvj max, iTM = 1000A
vRM = 100 V, -diT/dt = 10 A/µs
IRM typ. 100 A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
0,0230
0,0210
0,0375
0,0480
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseiti
g
/ sin
g
le-sides
RthCH
max.
max.
0,005
0,010
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max 125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op -40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F 15...24 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate
DIN 46244 Kathode /Cathode
Ø 1,5 x 3,2
A 4,8 x 0,8
mm
mm
Gewicht
weight
G typ. 550 g
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Vorläufige Daten
Preliminary data
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T571N
BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner 3/8 Seite/page
Maßbild
12
4 5
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
3: Gate
4: Hilfskathode/
Cathode (control terminal)
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Preliminary data
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T571N
BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner 4/8 Seite/page
R,t – Werte
R,T-Werte
Σ
−
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,00113 0,0021 0,00229 0,00703 0,00845
beidseitig
two-sided τn [s] 0,00189 0,0065 0,00456 0,23 1,134
Rthn [°C/W] 0,00127 0,0026 0,00623 0,0056 0,0218
anodenseitg
anode-sided τn [s] 0,00201 0,00843 0,126 0,57 6,66
Rthn [°C/W] 0,00127 0,0026 0,00623 0,0046 0,0333
kathodenseitig
cathode-sided τn [s] 0,00201 0,00843 0,126 0,57 7,83
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
−
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
0
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Zth JC [K/W]
c
a
d
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
d: Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
a: Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
c: Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T571N
BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner 5/8 Seite/page
Durchlasskennlinie
Diagramme
Trans. Wärmewid. beidseitig
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0
vT [V]
i T [A]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T571N
BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner 6/8 Seite/page
Steuercharakteristik
Zündverzug
0,1
1
10
10 100 1000 10000
iG [mA]
vG [V]
Tvj max
Tvj =
+25°C
a
b
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms
0,1
1
10
100
1000
10 100 1000 10000
iGM [mA]
tgd [µs]
a
b
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)
Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - typischer Verlauf / Typical characteristic
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T571N
BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner 7/8 Seite/page
Sperrverzögerungsladung
Rückstromspitze
1000
10000
110
-di/dt [A/µs]
Qr [µAs]
iTM = 1000A
100A
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR = 3000V
R=83Ohm; C=0,44µF
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
10
100
1000
110
-di/dt [A/µs]
IRM [µAs]
iTM = 1000A
200A
Rückstromspitze / Peak recovery current IRM = f(di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR = 3000V
R=83Ohm; C=0,44µF
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
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Vorläufige Daten
Preliminary data
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T571N
BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner 8/8 Seite/page
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