GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Wesentliche Merkmale * GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad * Hohe Zuverlassigkeit * Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfanger * Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) * Gruppiert lieferbar * Gehausegleich mit SFH 217 Features * Very highly efficient GaAlAs-LED * High reliability * Spectral match with silicon photodetectors * Available on tape and reel (in Ammopack) * Available in bins * Same package as SFH 217 Anwendungen Applications * IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeraten, Videorecordern, Lichtdimmern * Geratefernsteuerungen fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb * Rauchmelder (UL-Freigabe) * Sensorik * Diskrete Lichtschranken * IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers * Remote control for steady and varying intensity * Smoke detectors (UL-approval) * Sensor technology * Discrete interrupters Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehause Package SFH 485 P Q62703-Q516 5-mm-LED-Gehause, plan, klares violettes Epoxy-Gieharz, Lotspiee im 2.54-mm-Raster (1/10''), Anodenkennzeichnung: kurzerer Anschlu 5 mm LED package (T 1 3/4), plane violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10''), anode marking: short lead. 2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 485 P Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 100 C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlastrom Forward current IF 100 mA Stostrom, 10 s Surge current IFSM 2.5 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 200 mW Warmewiderstand, freie Beinchenlange max. 10 mm Thermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. 10 mm RthJA 375 K/W Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA peak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax IF = 100 mA Spectral bandwidth at 50% of Imax 80 nm Abstrahlwinkel Half angle 40 Grad deg. Aktive Chipflache Active chip area A 0.09 mm2 Abmessungen der aktiven Chipflache Dimension of the active chip area LxB LxW 0.3 x 0.3 mm 0.5 ... 1 mm Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Abstand Chipoberflache bis Gehausevorderseite H Distance chip front to case surface 2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 485 P Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei IF = 50 mA, RL = 50 Switching times, e from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 100 mA, RL = 50 tr, tf 0.6/0.5 s Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz Capacitance Co 15 pF VF 1.5 (< 1.8) 3.0 (< 3.8) V Sperrstrom, Reverse current VR = 5 V IR 0.01 ( 1) A Gesamtstrahlungsflu, Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms e 25 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA TCI - 0.5 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV -2 mV/K Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA Temperature coefficient of , IF = 100 mA TC + 0.25 nm/K Durchlaspannung, Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s 2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 485 P Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Radiant Intensity Ie in Axial Direction at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Symbol Werte Values Einheit Unit Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie > 3.15 mW/sr Strahlstarke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s Ie typ. 48 mW/sr 2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 485 P Relative Spectral Emission Irel = f () Single pulse, tp = 20 s OHR00877 100 e e (100mA) Max. Permissible Forward Current IF = f (TA) 10 60 10 0 100 75 40 10 -1 50 20 10 -2 25 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 OHR00881 10 1 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 F Permissible Pulse Handling Capability IF = f (), TA = 25 C,duty cycle D = parameter Forward Current IF = f (VF), Single pulse, tp = 20 s OHR00886 10 4 mA A OHR00880 125 F mA 1 80 0 750 F OHR00878 10 2 % rel Ie = f (IF) Ie 100 mA Radiant Intensity 0 0 20 40 60 80 C 100 T Forward Current vs. Lead Length Between the Package Bottom and the PC-Board IF = f (I), TA = 25 C OHR00949 120 mA F D = 0.005 0.01 0.02 0.05 10 0 F 100 10 3 0.1 0.2 80 10 -1 60 0.5 10 2 DC 40 10 -2 D= 10 -3 0 1 2 3 4 5 6 V VF tp T tp T 10 1 -5 -4 -3 -2 10 10 10 10 10 -1 10 0 8 20 F 10 1 s 10 2 tp 0 0 5 10 15 20 25 mm 30 Radiation Characteristics rel = f () 40 30 20 10 0 OHR01893 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 2000-01-01 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 5 100 120 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 485 P Mazeichnung Package Outlines Area not flat 5.0 4.2 Cathode 3.85 3.35 1.8 1.2 29 27 5.9 5.5 o5.1 o4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 1.0 0.5 Chip position 0.6 0.4 GEX06306 Mae in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified. 2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS