SFH 485 P
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAlAs Infrared Emitter (880 nm)
2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS
Wesentliche Merkmale
• GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)
• Gruppiert lieferbar
• Gehäusegleich mit SFH 217
Anwendungen
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Rauchmelder (UL-Freigabe)
• Sensorik
• Diskrete Lichtschranken
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 485 P Q62703-Q516 5-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes
Epoxy-Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
5 mm LED package (T 1 3/4), plane violet-colored
transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing
2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead.
Features
• Very highly efficient GaAlAs-LED
• High reliability
• Spectral match with silicon photodetectors
• Available on tape and reel (in Ammopack)
• Available in bins
• Same package as SFH 217
Applications
• IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
• Remote control for steady and varying intensity
• Smoke detectors (UL-approval)
• Sensor technology
• Discrete interrupters
2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 485 P
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 …+ 100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF100 mA
Stoßstrom, τ≤ 10 µs
Surge current IFSM 2.5 A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 200 mW
Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
RthJA 375 K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA
λpeak 880 nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
IF= 100 mA
Spectral bandwidth at 50% of Imax
∆λ 80 nm
Abstrahlwinkel
Half angle ϕ±40 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.09 mm2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area L×B
L×W0.3 ×0.3 mm
Abstand Chipoberfläche bis Gehäusevorderseite
Distance chip front to case surface H0.5 …1mm
SFH 485 P
2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei IF = 50 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
90% to10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr,tf0.6/0.5 µs
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz
Capacitance Co15 pF
Durchlaßspannung,
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsVF1.5 (< 1.8)
3.0 (< 3.8) V
Sperrstrom,
Reverse current
VR = 5 V
IR0.01 (≤ 1) µA
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe25 mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI– 0.5 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF,IF = 100 mA TCV– 2 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ,IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ,IF = 100 mA TCλ+ 0.25 nm/K
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 485 P
Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Radiant Intensity Ie in Axial Direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter Symbol Werte
Values Einheit
Unit
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie> 3.15 mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µsIe typ.48 mW/sr
SFH 485 P
2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS
Relative Spectral Emission
Irel = f (λ)
Forward Current
IF=f(VF), Single pulse, tp = 20 µs
Radiation Characteristics Ιrel =f(ϕ)
0
750
Ι
rel
OHR00877
800 850 900 950 nm 1000
20
40
60
80
%
100
λ
10
OHR00881
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0123456V8
A
Ι
F
OHR01893
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
Radiant Intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible Pulse Handling
Capability IF=f(τ), TA=25°C,duty
cycle D = parameter
Ie
Ie100 mA = f(IF)
10
OHR00878
Ι
e
F
Ι
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10 10
1
10
2
10
4
mA
e
Ι
(100mA)
3
10
10
Ι
F
OHR00886
1
2
10
3
10
4
10
mA
-5
10 s
=
D
F
Ι
T
DC
0.005=
D
p
t
T
t
p
p
t
0.5
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Max. Permissible Forward Current
IF=f (TA)
Forward Current vs. Lead Length
Between the Package Bottom and
the PC-Board IF=f (I), TA = 25 °C
T
OHR00880
0
F
Ι
0 20 40 60 80 100˚C
mA
25
50
75
100
125
OHR00949
F
Ι
00 5 10 15 20 25 mm 30
20
40
60
80
100
mA
120
2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 485 P
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
3.85
3.35
5.0
4.2
1.0
0.5
29
27
1.8
1.2
0.8
0.4
Area not flat
0.6
0.4
Chip position
GEX06306
Cathode
