Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM75GB120DLC Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Tvj= 25 C VCES TC = 80 C IC,nom. 75 A TC = 25 C IC 170 A 1200 V Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80C ICRM 150 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC=25C, Transistor Ptot 690 W VGES +/- 20V V IF 75 A IFRM 150 A I t 2 1,19 kA s VISOL 2,5 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125C Isolations-Prufspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. 2 Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 2,1 2,6 V - 2,4 2,9 V VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sattigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC = 75A, V GE = 15V, Tvj = 25C VCE sat IC = 75A, V GE = 15V, Tvj = 125C Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC = 3mA, V CE = VGE, Tvj = 25C Gateladung gate charge VGE = -15V...+15V QG - 0,8 - C Eingangskapazitat input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25C,V CE = 25V, V GE = 0V Cies - 5,1 - nF Ruckwirkungskapazitat reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25C,V CE = 25V, V GE = 0V Cres - 0,33 - nF Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 25C ICES - - 5 mA Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, V GE = 20V, Tvj = 25C IGES - - 400 nA prepared by: MOD-D2; Mark Munzer date of publication: 2003-01-10 approved by: SM TM; Wilhelm Rusche revision: 3.0 1(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM75GB120DLC Charakteristische Werte / Characteristic values min. Transistor / Transistor Einschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) VGE = 15V, R G = 10, Tvj = 25C td,on VGE = 15V, R G = 10, Tvj = 125C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) tr td,off VGE = 15V, R G = 10, Tvj = 25C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse IC = 75A, V CE = 600V, V GE = 15V Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse IC = 75A, V CE = 600V, V GE = 15V RG = 10, Tvj = 125C, L = 60nH RG = 10, Tvj = 125C, L = 60nH - s - s - 0,05 - s - 0,05 - s - 0,30 - s - 0,35 - s tf - 0,05 - s - 0,07 - s Eon - 7,5 - mJ Eoff - 9 - mJ ISC - 540 - A LCE - 40 - nH RCC`+EE` - 1,0 - m min. typ. max. tP 10s, V GE 15V, R G = 10 TVj125C, V CC=900V, V CEmax=VCES -LCE *dI/dt Modulinduktivitat stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlusse - Chip module lead resistance, terminals - chip 0,05 0,06 IC = 75A, V CE = 600V VGE = 15V, R G = 10, Tvj = 125C Kurzschluverhalten SC Data - IC = 75A, V CE = 600V VGE = 15V, R G = 10, Tvj = 25C VGE = 15V, R G = 10, Tvj = 125C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) max. IC = 75A, V CE = 600V VGE = 15V, R G = 10, Tvj = 25C VGE = 15V, R G = 10, Tvj = 125C Abschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) typ. IC = 75A, V CE = 600V TC=25C Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaspannung forward voltage IF = 75A, V GE = 0V, Tvj = 25C Ruckstromspitze peak reverse recovery current IF = 75A, - di F/dt = 2000A/s VF IF = 75A, V GE = 0V, Tvj = 125C VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 25C IRM VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 125C Sperrverzogerungsladung recovered charge 1,8 2,3 V 1,7 2,2 V - 85 - A - 105 - A IF = 75A, - di F/dt = 2000A/s VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 25C Qr VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 125C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy - - 9 - C - 16,5 - C - 3 - mJ - 6,2 - mJ IF = 75A, - di F/dt = 2000A/s VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 25C VR = 600V, V GE = -15V, Tvj = 125C 2(8) Erec DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM75GB120DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,18 K/W - - 0,50 K/W RthCK - 0,05 - K/W Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max - - 150 C Betriebstemperatur operation temperature Tvj op -40 - 125 C Tstg -40 - 125 C RthJC Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module = 1 W/m * K / grease = 1 W/m * K Diode/Diode, DC Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al2O3 Kriechstrecke creepage distance 20 mm Luftstrecke clearance distance 11 mm CTI comperative tracking index 275 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Schraube / screw M6 M 3,0 - 6,0 Nm Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlusse terminal connection torque Anschlusse / terminals M5 M 2,5 - 5,0 Nm Gewicht weight G 250 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information BSM75GB120DLC IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) V GE = 15V 150 125 Tvj = 25C Tvj = 125C IC [A] 100 75 50 25 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) T vj = 125C 150 125 VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V IC [A] 100 VGE = 11V VGE = 9V VGE = 7V 75 50 25 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information BSM75GB120DLC IGBT-Module IGBT-Modules Ubertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) IC = f (VGE) VCE = 20V 150 125 Tvj = 25C Tvj = 125C IC [A] 100 75 50 25 0 5 6 7 8 9 10 11 12 VGE [V] Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) IF = f (VF) 150 125 Tvj = 25C Tvj = 125C IF [A] 100 75 50 25 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information BSM75GB120DLC IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Switching losses (typical) VGE=15V, RG=10 , VCE = 600V, T vj = 125C 24 Eoff 20 Eon Erec E [mJ] 16 12 8 4 0 0 25 50 75 100 125 150 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=15V , I C = 75A , VCE = 600V , T vj = 125C 30 Eoff 25 Eon Erec E [mJ] 20 15 10 5 0 0 10 20 30 40 50 60 RG [] 6(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information BSM75GB120DLC IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Warmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) 1 Zth:Diode Zth:IGBT 0,01 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] i ri [K/kW] : IGBT i [s] : IGBT ri [K/kW] : Diode i [s] : Diode 1 2 3 4 20,13 60,93 79,4 19,54 0,002 0,03 0,066 1,655 65,43 173,31 189,08 72,18 0,002 0,03 0,072 0,682 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE = 15V, R G = 10 , T vj= 125C 175 150 125 IC [A] ZthJC [K / W] 0,1 IC,Modul 100 IC,Chip 75 50 25 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 7(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM75GB120DLC 8(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fur technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes fur die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstandigkeit der bereitgestellten Produktdaten fur diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fur die wir eine liefervertragliche Gewahrleistung ubernehmen. Eine solche Gewahrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fur das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls ubernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benotigen, die uber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Fur Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen konnte unser Produkt gesundheitsgefahrdende Substanzen enthalten. Bei Ruckfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefahrdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fur diese Falle - die gemeinsame Durchfuhrung eines Risiko- und Qualitatsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitatssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einfuhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhangig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Anderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. 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