Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM75GB120DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage Tvj= 25° C VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 °C IC,nom. 75 A
DC-collector current TC = 25 °C IC170 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 150 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 690 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V
Dauergleichstrom
DC forward current IF75 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current tP = 1 ms IFRM 150 A
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t1,19 k A2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC = 75A, VGE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat - 2,1 2,6 V
collector-emitter saturation voltage IC = 75A, VGE = 15V, Tvj = 125°C - 2,4 2,9 V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage IC = 3mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
Gateladung
gate charge VGE = -15V...+15V QG- 0,8 - µC
Eingangskapazität
input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 5,1 - nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres - 0,33 - nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 400 nA
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer date of publication: 2003-01-10
approved by: SM TM; Wilhelm Rusche revision: 3.0
VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 25°C ICES mA--5
1(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0
2003-01-10
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM75GB120DLC
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 75A, VCE = 600V
turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 25°C td,on - 0,05 - µs
VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 125°C - 0,06 - µs
Anstiegszeit (induktive Last) IC = 75A, VCE = 600V
rise time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 25°C tr- 0,05 - µs
VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 125°C - 0,05 - µs
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 75A, VCE = 600V
turn off delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 25°C td,off - 0,30 - µs
VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 125°C - 0,35 - µs
Fallzeit (induktive Last) IC = 75A, VCE = 600V
fall time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 25°C tf- 0,05 - µs
VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 125°C - 0,07 - µs
Einschaltverlustenergie pro Puls IC = 75A, VCE = 600V, VGE = ±15V
turn-on energy loss per pulse RG = 10Ω, Tvj = 125°C, Lσ = 60nH Eon - 7,5 - mJ
Abschaltverlustenergie pro Puls IC = 75A, VCE = 600V, VGE = ±15V
turn-off energy loss per pulse RG = 10Ω, Tvj = 125°C, Lσ = 60nH Eoff -9-mJ
Kurzschlußverhalten tP ≤ 10µs, VGE ≤ 15V, RG = 10Ω
SC Data TVj≤125°C, VCC=900V, VCEmax=VCES -LσCE ·dI/dt ISC - 540 - A
Modulinduktivität
stray inductance module LσCE - 40 - nH
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip
module lead resistance, terminals – chip TC=25°C RCC‘+EE‘ - 1,0 - mΩ
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaßspannung IF = 75A, VGE = 0V, Tvj = 25°C VF- 1,8 2,3 V
forward voltage IF = 75A, VGE = 0V, Tvj = 125°C - 1,7 2,2 V
Rückstromspitze IF = 75A, - diF/dt = 2000A/µs
peak reverse recovery current VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C IRM -85-A
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C - 105 - A
Sperrverzögerungsladung IF = 75A, - diF/dt = 2000A/µs
recovered charge VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C Qr-9-µC
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C - 16,5 - µC
Abschaltenergie pro Puls IF = 75A, - diF/dt = 2000A/µs
reverse recovery energy VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C Erec -3-mJ
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C - 6,2 - mJ
2(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0
2003-01-10
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM75GB120DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC RthJC - - 0,18 K/W
thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC - - 0,50 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λΠαστε = 1 W/m * K / λgrease = 1 W/m * K RthCK - 0,05 - K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature Tvj max - - 150 °C
Betriebstemperatur
operation temperature Tvj op -40 - 125 °C
Lagertemperatur
storage temperature Tstg -40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation Al2O3
Kriechstrecke
creepage distance 20 mm
Luftstrecke
clearance distance 11 mm
CTI
comperative tracking index 275
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight G 250 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
Nm
Nm
3,0 6,0
5,02,5 -
-Schraube / screw M6
Anschlüsse / terminals M5
M
M
3(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0
2003-01-10
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM75GB120DLC
IC [A]
VCE [V]
IC [A]
VCE [V]
0
25
50
75
100
125
150
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Ausgangskennlinie (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical) VGE = 15V
0
25
50
75
100
125
150
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
VGE = 7V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical) Tvj = 125°C
4(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0
2003-01-10
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM75GB120DLC
IC [A]
VGE [V]
IF [A]
VF [V]
0
25
50
75
100
125
150
56789101112
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Übertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE)
Transfer characteristic (typical) VCE = 20V
0
25
50
75
100
125
150
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0
2003-01-10
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM75GB120DLC
E [mJ]
IC [A]
E [mJ]
RG [Ω]
0
4
8
12
16
20
24
0 25 50 75 100 125 150
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
Switching losses (typical) VGE=±15V, RG=10 Ω, VCE = 600V, Tvj = 125°C
0
5
10
15
20
25
30
0 102030405060
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
Switching losses (typical) VGE=±15V , IC = 75A , VCE = 600V , T vj = 125°C
6(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0
2003-01-10
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM75GB120DLC
ZthJC
[K / W]
t [s]
i 1234
ri [K/kW] : IGBT 20,13 60,93 79,4 19,54
τ
i [s] : IGBT 0,002 0,03 0,066 1,655
r
i [K/kW] : Diode 65,43 173,31 189,08 72,18
τ
i [s] : Diode 0,002 0,03 0,072 0,682
IC [A]
VCE [V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE = ±15V, RG = 10 Ω, Tvj= 125°C
Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)
Transient thermal impedance
0
25
50
75
100
125
150
175
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
IC,Modul
IC,Chip
0,001
0,01
0,1
1
0,001 0,01 0,1 1 10
Zth:Diode
Zth:IGBT
7(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0
2003-01-10
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM75GB120DLC
8(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0
2003-01-10
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