TechnischeInformation/TechnicalInformation FS10R12VT3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80C, Tvj max = 150C TC = 25C, Tvj max = 150C IC nom IC 10 16 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 20 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 150 Ptot 64,0 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 10 A, VGE = 15 V IC = 10 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge Tvj = 25C Tvj = 125C V 1200 VCE sat A A typ. max. 1,90 2,15 2,45 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,10 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 0,0 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 0,70 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,026 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 100 nA Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 82 Tvj = 25C Tvj = 125C td on 0,037 0,037 s s Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 82 Tvj = 25C Tvj = 125C tr 0,02 0,025 s s Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 82 Tvj = 25C Tvj = 125C td off 0,29 0,39 s s Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 10 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 82 Tvj = 25C Tvj = 125C tf 0,09 0,15 s s EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 10 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH VGE = 15 V RGon = 82 Tvj = 25C Tvj = 125C Eon 0,95 1,25 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 10 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH VGE = 15 V RGoff = 82 Tvj = 25C Tvj = 125C Eoff 0,70 1,10 mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 1,75 1,95 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,65 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:IG revision:2.0 1 tP 10 s, Tvj = 125C 35 125 A C TechnischeInformation/TechnicalInformation FS10R12VT3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VRRM 1200 V IF 10 A IFRM 20 A It 33,0 As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,65 1,65 2,10 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 10 A, - diF/dt = 650 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C IRM 16,0 16,5 A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 10 A, - diF/dt = 650 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Qr 1,20 2,00 C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 10 A, - diF/dt = 650 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Erec 0,38 0,68 mJ mJ RthJC 2,25 2,50 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,70 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 5,0 10,0 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 3,2 7,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 225 Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode VF V V 125 C Modul/Module kV 2,5 min. typ. max. LsCE 20 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 9,00 9,00 m Tstg -40 125 C Anpresskraft fur mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 30 - 50 N Gewicht Weight G 10 g Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature With additional insulation of the mounting clamp higher values of creepage and clearance distances to the heatsink can be achieved. For more information call your responsible sales representative. preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:IG revision:2.0 2 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS10R12VT3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125C 20 20 Tvj = 25C Tvj = 125C 16 16 14 14 12 12 10 10 8 8 6 6 4 4 2 2 0 0,0 0,4 0,8 1,2 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 18 IC [A] IC [A] 18 1,6 2,0 2,4 VCE [V] 2,8 3,2 3,6 0 4,0 UbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 16 18 20 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=82,RGoff=82,VCE=600V 20 3,5 Tvj = 25C Tvj = 125C 18 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C 3,0 16 2,5 14 2,0 E [mJ] IC [A] 12 10 1,5 8 6 1,0 4 0,5 2 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0,0 13 preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:IG revision:2.0 3 0 2 4 6 8 10 12 IC [A] 14 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS10R12VT3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=10A,VCE=600V TransienterWarmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 3,5 10 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C ZthJH : IGBT 2,8 E [mJ] ZthJH [K/W] 2,1 1,4 1 0,7 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,1724 0,333 1,0295 0,865 i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,0 50 100 150 200 250 RG [] 300 350 0,1 0,001 400 SichererRuckwarts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=82,Tvj=125C 22 IC, Modul IC, Chip 20 1 10 20 Tvj = 25C Tvj = 125C 18 16 16 14 14 12 12 IF [A] IC [A] 0,1 t [s] DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 18 10 10 8 8 6 6 4 4 2 2 0 0,01 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:IG revision:2.0 4 2,0 2,5 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS10R12VT3 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=82,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=10A,VCE=600V 1,0 1,0 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 125C 0,6 0,6 E [mJ] 0,8 E [mJ] 0,8 0,4 0,4 0,2 0,2 0,0 0 2 4 6 8 10 12 IF [A] 14 16 18 0,0 20 TransienterWarmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 10 ZthJH [K/W] ZthJH : Diode 1 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,2124 0,41 1,2685 1,069 i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:IG revision:2.0 5 50 100 150 200 250 RG [] 300 350 400 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS10R12VT3 VorlaufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehauseabmessungen/packageoutlines preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:IG revision:2.0 6 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS10R12VT3 VorlaufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfurIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfurdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,furdiewireineliefervertraglicheGewahrleistungubernehmen.Eine solcheGewahrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfurdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsubernommen.DieAngabenindengultigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenotigen,dieuberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfurSiezustandigenVertriebsburoin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FurInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnteunserProduktgesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiRuckfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfurSiezustandigenVertriebsburoinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefahrdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfurdieseFalle -diegemeinsameDurchfuhrungeinesRisiko-undQualitatsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitatssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinfuhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhangigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheAnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:MB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:IG revision:2.0 7