BPW 34 FA
Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing
BPW 34 FAS BPW 34 FAS (E9087)
2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS
BPW 34 FA, BPW 34 FAS, BPW 34 FAS (E9087)
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für den Wellenlängenbereich
von 830 nm bis 880 nm
• Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
• DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
• BPW 34 FAS/(E9087): geeignet für
Vapor-Phase Löten und IR-Reflow Löten
Anwendungen
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Gerätefernsteuerung
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
BPW 34 FA Q62702-P1129
BPW 34 FAS Q62702-P463
BPW 34 FAS (E9087) Q62702-P1829
Features
• Especially suitable for the wavelength range of
830 nm to 880 nm
• Short switching time (typ. 20 ns)
• DIL plastic package with high packing density
• BPW 34 FAS/(E9087): Suitable for
vapor-phase and IR-reflow soldering
Applications
• IR-remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, remote controls of various
equipment
• Photointerrupters
2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS
BPW 34 FA, BPW 34 FAS, BPW 34 FAS (E9087)
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 … + 100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR32 V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 150 mW
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Fotostrom
Photocurrent
VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2
Ip50 (≥ 40) µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 880 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
λ730 … 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A7.00 mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
2.65 ×2.65 mm ×mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±60 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current IR2 (≤ 30) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity Sλ0.65 A/W
Quantenausbeute
Quantum yield η0.93 Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2
Open-circuit voltage VO320 (≥ 250) mV
BPW 34 FA, BPW 34 FAS, BPW 34 FAS (E9087)
2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS
Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2
Short-circuit current ISC 23 µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf20 ns
Durchlaßspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C072 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
TCI0.03 %/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 10 V
NEP 3.9 ×10– 14
Nachweisgrenze, VR= 10 V,
Detection limit D* 6.8 ×1012
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
W
Hz
------------
cm Hz×
W
--------------------------
BPW 34 FA, BPW 34 FAS, BPW 34 FAS (E9087)
2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS
Relative Spectral Sensitivity
Srel = f(λ)
Dark Current
IR = f(VR), E = 0
Directional Characteristics
Srel = f (ϕ)
λ
OHF01430
400
rel
S
0600 800 1000 nm 1200
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
0
OHF00080
Ι
R
R
V
0 5 10 15 V 20
1000
2000
3000
4000
pA
OHF01402
90
80
70
60
50
40 30 20 10
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
ϕ
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100 0
0
0
Photocurrent IP=f(Ee), VR = 5 V
Open-Circuit Voltage VO = f(Ee)
Capacitance
C=f(VR), f = 1 MHz, E = 0
E
OHF01428
e
0
10
P
Ι
-1
10 10
1
10
2
10
4
10
0
10
1
10
2
10
34
10
3
10
2
10
1
10
10
0
V
O
µ
AmV
Ι
P
V
O
2
W/cm
µ
V
OHF00081
R
-2
10
C
0
-1
10
0
10
1
10
2
10V
10
20
30
40
50
60
70
80
pF
100
Total Power Dissipation
Ptot = f(TA)
Dark Current
IR=f(TA), VR= 10 V, E = 0
T
OHF00958
A
0
tot
P
020 40 60 80 ˚C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
160
T
OHF00082
A
-1
10 0
R
Ι
10
0
10
1
10
2
10
3
nA
20 40 60 80 ˚C 100
BPW 34 FA, BPW 34 FAS, BPW 34 FAS (E9087)
2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
GEO06643
4.0
3.7 4.3
4.5
5.4
4.9
0.6
0.4
0.6
0.4
1.2
0.7
0.3
0.5
0.8
0.6
Cathode marking
0.6
0.8
1.9
2.2
3.0
3.5
0.6
0.4
Chip position
0.4
0.6
0.35
0.2
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Approx. weight 0.1 g
1.4
Photosensitive area
2.65 mm x 2.65 mm
1.8
BPW 34 FA
BPW 34 FAS
4.5
4.3
4.0
3.7 1.5
1.7
0.9
0.7
Photosensitive area Cathode lead
GEO06863
0.3
6.7
6.2
1.2
1.1
0...0.1
Chip position
0...5˚
0.2
0.1
1.1
0.9
2.65 mm x 2.65 mm
1.8
±0.2
2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS
BPW 34 FA, BPW 34 FAS, BPW 34 FAS (E9087)
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
BPW 34 FAS (E9087)
4.5
4.3
4.0
3.7 1.5
1.7
0.9
0.7
Photosensitive area Cathode lead
GEO06916
0.3
6.7
6.2
1.2
1.1
0...0.1
Chip position
0...5˚
0.2
0.1
1.1
0.9
2.65 mm x 2.65 mm
1.8
±0.2
