TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06W1E3_B11 EasyPIMTMModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPIMTMmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC VorlaufigeDaten/PreliminaryData VCES = 600V IC nom = 30A / ICRM = 60A TypischeAnwendungen * Hilfsumrichter * Klimaanlagen * Motorantriebe TypicalApplications * AuxiliaryInverters * AirConditioning * MotorDrives ElektrischeEigenschaften * NiedrigeSchaltverluste * NiedrigesVCEsat * TrenchIGBT3 * VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures * LowSwitchingLosses * LowVCEsat * TrenchIGBT3 * VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanischeEigenschaften * Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand * KompaktesDesign * PressFITVerbindungstechnik * Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures * Al2O3SubstratewithLowThermalResistance * Compactdesign * PressFITContactTechnology * Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06W1E3_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES 600 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 65C, Tvj max = 175C TC = 25C, Tvj max = 175C IC nom IC 30 37 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 60 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 175C Ptot 115 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge VCE sat A A typ. max. 1,55 1,70 1,80 2,00 V V V VGEth 4,9 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,30 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 0,0 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,65 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,051 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA td on 0,02 0,02 0,02 s s s tr 0,016 0,021 0,022 s s s td off 0,14 0,16 0,18 s s s tf 0,045 0,06 0,065 s s s Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGon = 15 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGon = 15 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGoff = 15 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGoff = 15 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 45 nH Tvj = 25C VGE = 15 V, di/dt = 2100 A/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C RGon = 15 Tvj = 150C Eon 0,50 0,65 0,75 mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 45 nH Tvj = 25C VGE = 15 V, du/dt = 4200 V/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C RGoff = 15 Tvj = 150C Eoff 0,60 0,75 0,80 mJ mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC 210 150 A A Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 1,15 1,30 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 1,10 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.0 2 tP 8 s, Tvj = 25C tP 6 s, Tvj = 150C 150 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06W1E3_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C VRRM 600 V IF 30 A IFRM 60 A It 90,0 82,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,60 1,55 1,50 2,00 As As Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VF Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 2100 A/s (Tvj=150C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C IRM 44,0 48,0 49,0 A A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 30 A, - diF/dt = 2100 A/s (Tvj=150C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Qr 1,30 2,30 2,70 C C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 30 A, - diF/dt = 2100 A/s (Tvj=150C) VR = 300 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Erec 0,35 0,55 0,65 mJ mJ mJ RthJC 1,60 1,75 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 1,30 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode V V V 150 C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C VRRM 1600 V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 80C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM 30 A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80C IRMSM 30 A StostromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25C tp = 10 ms, Tvj = 150C IFSM 300 245 A A Grenzlastintegral It-value tp = 10 ms, Tvj = 25C tp = 10 ms, Tvj = 150C It 450 300 As As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. VF 1,00 V IR 2,00 mA RthJC 1,20 1,35 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 1,15 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.0 Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150C, IF = 30 A Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150C, VR = 1600 V Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode 3 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06W1E3_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES 600 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 65C, Tvj max = 175C TC = 25C, Tvj max = 175C IC nom IC 30 37 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 60 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 175C Ptot 115 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge VCE sat A A typ. max. 1,55 1,70 1,80 2,00 V V V VGEth 4,9 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,30 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 0,0 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,65 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,051 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA td on 0,04 0,04 0,04 s s s tr 0,023 0,031 0,032 s s s td off 0,23 0,25 0,26 s s s tf 0,035 0,04 0,45 s s s Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGon = 33 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGon = 33 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGoff = 33 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGoff = 33 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH VGE = 15 V RGon = 33 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Eon 0,80 1,00 1,10 mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH VGE = 15 V RGoff = 33 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Eoff 0,60 0,80 0,85 mJ mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt tP 8 s, Tvj = 25C tP 6 s, Tvj = 150C ISC 210 150 A A Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 1,15 1,30 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 1,10 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.0 4 150 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06W1E3_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C VRRM 600 V IF 10 A IFRM 20 A It 12,5 9,50 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,60 1,55 1,50 2,00 As As Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VF Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/s (Tvj=150C) VR = 300 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C IRM 18,0 19,0 21,0 A A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/s (Tvj=150C) VR = 300 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Qr 0,50 0,85 1,10 C C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/s (Tvj=150C) VR = 300 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Erec 0,11 0,20 0,26 mJ mJ mJ Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 2,90 3,20 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 1,40 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 min. typ. max. R25 5,00 k R/R -5 5 % P25 20,0 mW V V V C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100C, R100 = 493 Verlustleistung Powerdissipation TC = 25C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K AngabengemagultigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.0 5 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06W1E3_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 200 VISOL kV 2,5 min. typ. max. LsCE 30 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 8,00 6,00 m Tstg -40 125 C Anpresskraft fur mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 20 - 50 N Gewicht Weight G 24 g Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.0 6 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP30R06W1E3_B11 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150C 60 60 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 48 48 42 42 36 36 30 30 24 24 18 18 12 12 6 6 0 0,0 0,3 0,6 0,9 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V 54 IC [A] IC [A] 54 1,2 1,5 1,8 VCE [V] 2,1 2,4 2,7 0 3,0 UbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=15,RGoff=15,VCE=300V 60 2,5 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 54 48 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 150C 2,0 42 1,5 E [mJ] IC [A] 36 30 24 1,0 18 12 0,5 6 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0,0 12 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.0 7 0 10 20 30 IC [A] 40 50 60 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP30R06W1E3_B11 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=30A,VCE=300V TransienterWarmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 3,0 10 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 150C 2,5 ZthJH : IGBT ZthJH [K/W] E [mJ] 2,0 1,5 1 1,0 0,5 0,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,1581 0,3892 0,8331 0,8696 i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 20 40 60 80 100 RG [] 120 140 0,1 0,001 160 SichererRuckwarts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=15,Tvj=150C 66 IC, Modul IC, Chip 60 1 10 60 54 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 48 48 42 42 36 36 IF [A] IC [A] 0,1 t [s] DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 54 30 30 24 24 18 18 12 12 6 6 0 0,01 0 200 400 VCE [V] 600 0 800 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.0 8 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FP30R06W1E3_B11 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=15,VCE=300V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=300V 1,0 1,0 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C 0,8 0,8 0,7 0,7 0,6 0,6 0,5 0,5 0,4 0,4 0,3 0,3 0,2 0,2 0,1 0,1 0,0 0 10 20 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C 0,9 E [mJ] E [mJ] 0,9 30 IF [A] 40 50 0,0 60 TransienterWarmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 0 20 40 60 80 100 RG [] 120 140 160 DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) 10 60 ZthJH: Diode Tvj = 25C Tvj = 150C 54 48 42 IF [A] ZthJH [K/W] 36 1 30 24 18 12 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,2844 0,5998 1,2243 0,7915 i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 6 0 10 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.0 9 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 VF [V] 1,0 1,2 1,4 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP30R06W1E3_B11 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 60 20 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 18 48 16 42 14 36 12 IF [A] IC [A] 54 30 10 24 8 18 6 12 4 6 2 0 0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 VCE [V] 2,1 2,4 2,7 0 3,0 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [C] 120 140 160 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.0 10 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06W1E3_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehauseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.0 11 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06W1E3_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfurIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfurdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,furdiewireineliefervertraglicheGewahrleistungubernehmen.Eine solcheGewahrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfurdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsubernommen.DieAngabenindengultigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenotigen,dieuberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfurSiezustandigenVertriebsburoin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FurInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnteunserProduktgesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiRuckfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfurSiezustandigenVertriebsburoinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefahrdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfurdieseFalle -diegemeinsameDurchfuhrungeinesRisiko-undQualitatsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitatssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinfuhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhangigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheAnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. 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