S G S-THOMSON sac 0 ff za29237 oooe4a7 3 = _ T-7[- JS 59C. 02497 D _ -- IN THOMSON-weor ~~ - PL 3V3Z - PL200Z DIVISION SEMICONDUCTEURS . . ZENER DIODES DIODES ZENER f \ ( ~ Prot = 1.3W 1,3 W silicon Zener diodes, hermetically sealed 3.3 V < VzT nom < 200 V plastic according to normalization CCTU : F 126 offering the following advantages : @ Large voltage range : 3,3 V to 200 V \ J @ High surge capability : 30 W @10 ms Diodes Zener de 1,3 W au silicium encapsules ( plastique selon normalisation CCTU: F 126 case : F-126 (CB-210) I offrant les avantages suivants : i @ Gamme de tension tendue :3,3 Va200V @ Forte tenue en surcharge : 30 W@ 10 ms @ JD J ( ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T = 50C d= 10mm (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION amb = = {Sauf indications contraires} DC power dissipation (see fig. 1) Dissipation de puis en rgime p (voir fig. 1} Ptot 13 w Continuous reverse current I See page 2 mA Courant inverse continu . ZM Vair page 2 Non repetitive surge peak power dissipation (t = 10 ms) (see fig. 4) + ue) Puissance de surcharge crte accidentelle (t = 10 ms} (voir fig. 4) Ty initial = 25C PRSM 30 Ww Operating temperature Temprature de fonctionnement Toper 55+ + 150 c Storage temperature _ 5G Temprature de stockage Tstg 55 + 150 Maximum junction temperature . Temprature maximale de jonction max qj 150 c Maximum lead temperature for soldering during 3 s at 5 mm from case T 300 C Temprature maximum de soudure des connexions pendant 3s 45 mm du boitier L J _ Junction-ambient thermal resistance Rehi. (meen thermique jonction-ambiante max thita) % cv December 1982 - 1/3 Ft re Be \ THOMSON - urbevoie Cedex Tl. : (1) 788-50-01 Telex : 610560 F 143 @ COMPOSANTS S G S~THOMSON SC D i 792e9e3? OOO T i PL3V3Z PL200Z - -- _ a . ELECTRICAL CHARACTERISTIC Tamb = 25C 7 ( a : - .. _ CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES am ee / i iS - ete - = . ope * mo = " 59C 02498 0 F= ' i Types Vat /izr rzrizy izt YZ tn/VR Va izm | min max max typ max : v) a) (mA) | (10/) wal (v) | (ma) PL 3V3Z 3,1 35 10 100 -6 320 PL3V6Z 34 3,8 10 100 - 55 290 PL3V9Z 3,7 4, 10 100 -5 280 PL 4V3Z 4,0 4,6 7 100 -4 250 PL4V7Z 44 5,0 7 100 -2 215 PLBVIZ 48 54 5 100 1 200 PL 5V6Z 52 6,0 2 100 25 190 PL 6V2Z 5.8 6,6 2 100 3,2 170 PLOV8Z 6,4 7,2 2 100 4 155 PL7V5Z 7,0 79 2 100 45 1 2 140 PLBV2Z 77 87 2 100 48 1 35 130 PLOVIZ 85 93,6 4 50 61 1 3,5 120 PL10 Z 94 10,6 4 50 55 1 5 105 PL11 Z 104 11,6 7 50 6 1 5 97 . PL12 Z W400 (12,7 7 50 65 1 7 88 . PL13 Z 12,4 14,1 10 50 65 1 7 79 i PLI5 Z 138 15,6 10 50 7 1 10 val i PLI6 Z 153 17,1 15 25 7 1 10 66 : PL18 Z 168 19,1 15 25 75 1 10 62 : PL20 Z 188 21,2 15 25 715 1 19 56 { PL22 2 208 23,3 15 25 8 i 12 52 . PL24 Z 22,8 25,6 15 25 8 1 12 47 : PL27 Z 25,1 28,9 16 25 85 1 14 4 PL30 Z 28 32 15 25 85 1 14 36 PL33 2 31 35 15 25 85 1 7 33 L PL36 Z 3A 38 40 10 85 1 7 30 : PL39 Z 37 41 40 10 9 1 20 28 - PL43 Z 40 46 45 10 9 1 20 26 PL47 Z 44 50 45 10 9 1 24 23 t PL5t Z 48 54 60 10 9 1 24 21 PL56 Z 52 60 60 10 9 1 28 19 : PL62 Z 88 66 80 10 8 1 28 16 : PL68 Z 64 72 80 10 8 1 34 15 PL75 Z 70 73 100 10 9 1 34 14 PL82.Z 7 87 100 10 9 1 41 12 PLOI Z 85 96 200 5 9 1 41 12 PL 100 Z 94 106 200 5 9 1 50 "1 PL110Z 104 16 250 5 95 1 50 10 PL 120Z 114 127 250 5 95 i 60 9 PL 130Z 124 141 300 5 9.5 1 60 8 PL 150Z 138 186 300 5 3,5 1 B 7 PL 160 Z 153 71 350 5 95 1 B 7 PL 180Z 168 191 350 5 8.5 1 80 6 PL 2002 188 212 360 5 10 1 90 5 Forward voltage drop =. ve < 1,5V @ If = 200mA, Tamb = 25C Chute de tension directe i CASE DESCRIPTION DESCRIPTION DU BOITIER { 26 min, 6,35 max. 26 min, @ 3,05 max, Weight , Masse ~ 49 Marking clear, ring at cathode end Marquage en clair, anneau cot cathode F-126 (CB-210) 2/3 : 144 t + pe 1 D i 71e9e3? GOOe4tM 41 i _ PL3V3Z PL200z (59 02499~ DTIf-sS_ Rthj-a (C/W) 50 50 100 5 10 15 20 25 Fig. 1 - Maximum allowable power dissipation versus Fig. 2 - Thermal resistance junction-ambient versus lead ambient temperature. length (typical values). Mounting n 1: Mounting n 2 : INFINITE HEATSINK PRINTED CIRCUIT . Test point of Teonnexion Welding t Rzt (2) Prsm (W} 102 104 103 1 102 Izv = 27 = 10mA V) t (ms) 10-1 101 1 10 102 103 10-2 10-1 1 101 Fig. 3 - Differential resistance RzT versus VzT for Fig. 4 - Non repetitive surge peak reverse power dissipa- 5 different currents l77 (typical values). tion Pag versus pulse duration at Tj initial = 25C (maximum values). (% TEM (A 102 10 Tj initial = 1 10-3 10-2 10-1 1 10 102 initial = 26C Fig. - Transient thermal impedance junction-connexions 2th {j-a) versus pulse duration for mounting n 1 with d= 16 mm (typical values). Fig.6 - Peak forward current IFM versus peak forward voltage drop Ven typical values). 10-1 0,6 1 1,5 2 3/3