Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current VCES 600 V TC= 45C IC,nom. 200 A TC= 25C IC 226 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP= 1ms, TC= 45C ICRM 400 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC= 25C, Transistor Ptot 700 W VGES +/- 20V V IF 200 A IFRM 400 A I2t 8.450 A2s VISOL 2,5 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP= 1ms Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode VR= 0V, tp= 10ms, TVj= 125C Isolations-Prufspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 1,95 2,45 V - 2,20 - V VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sattigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 25C IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 125C VCE sat Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC= 4,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25C Eingangskapazitat input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 9 - nF Ruckwirkungskapazitat reverse transfer capacitance f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,8 - nF - 1 500 A - 1 - mA - - 400 nA Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25C VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125C Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2000-04-26 approved by: Michael Hornkamp revision: 1 1 (8) ICES IGES BSM 200 GD 60 DLC S1 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 163 - ns - 180 - ns - 43 - ns - 49 - ns - 253 - ns - 285 - ns - 33 - ns - 41 - ns Eon - 4,6 - mJ Eoff - 6,3 - mJ ISC - 900 - A LCE - 28 - nH RCC'+EE' - 1,8 - m min. typ. max. - 1,25 1,6 V - 1,20 - V - 154 - A - 188 - A - 12,1 - C - 19,7 - C - - - mJ - 4,1 - mJ Transistor / Transistor IC= 200A, VCC= 300V Einschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 25C td,on VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 125C IC= 200A, VCC= 300V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 25C tr VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 125C IC= 200A, VCC= 300V Abschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 25C td,off VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 125C IC= 200A, VCC= 300V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 25C tf VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 125C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse IC= 200A, VCC= 300V, VGE= 15V Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse IC= 200A, VCC= 300V, VGE= 15V Kurzschluverhalten SC Data RG= 1,5, Tvj= 125C, L = 15nH RG= 1,5, Tvj= 125C, L = 15nH tP 10sec, VGE 15V Tvj125C, VCC=360V, VCEmax= VCES -LCE *di/dt Modulinduktivitat stray inductance module Modul-Leitungswiderstand, Anschlusse - Chip lead resistance, terminals - chip Tc= 25C Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaspannung forward voltage IF= 200A, VGE= 0V, Tvj= 25C IF= 200A, VGE= 0V, Tvj= 125C VF IF= 200A, -diF/dt= 4000A/s Ruckstromspitze peak reverse recovery current VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25C IRM VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125C IF= 200A, -diF/dt=4000A/s Sperrverzogerungsladung recoverred charge VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25C Qr VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125C IF= 200A, -diF/dt= 4000A/s Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125C 2 (8) Erec BSM 200 GD 60 DLC S1 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module Paste= 1W/m*K / grease= 1W/m*K typ. max. - - 0,18 K/W - - 0,32 K/W RthCK - 0,01 - K/W Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj - - 150 C Betriebstemperatur operation temperature Top -40 - 125 C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 C +15 Nm % RthJC Diode / diode, DC Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al2O3 CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque 225 Schraube M5 screw M5 M Gewicht weight G 4 -15 310 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3 (8) BSM 200 GD 60 DLC S1 2000-02-08 g Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C= f (VCE) VGE= 15V 400 350 Tvj = 25C Tvj = 125C 300 IC [A] 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) I C= f (VCE) Tvj= 125C 400 350 VGE = 8V VGE = 9V 300 VGE = 10V VGE = 12V VGE = 15V IC [A] 250 VGE = 20V 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4 (8) BSM 200 GD 60 DLC S1 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC Ubertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C= f (VGE) VCE= 20V 400 350 Tvj = 25C Tvj = 125C 300 IC [A] 250 200 150 100 50 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) I F= f (VF) 400 Tvj = 25C 350 Tvj = 125C 300 IF [A] 250 200 150 100 50 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 VF [V] 5 (8) BSM 200 GD 60 DLC S1 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC) RG,on= 1,5, ,= , VCC= 300V, Tvj= 125C , =RG,off = 1,5 16 Eon 14 Eoff Erec E [mJ] 12 10 8 6 4 2 0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG) IC= 200A , VCE= 300V , Tvj = 125C 20 18 Eon Eoff 16 Erec E [mJ] 14 12 10 8 6 4 2 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 RG [ ] 6 (8) BSM 200 GD 60 DLC S1 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC Transienter Warmewiderstand Transient thermal impedance Z thJC = f (t) 1 ZthJC [K / W] 0,1 0,01 Zth:IGBT Zth:Diode 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 t [sec] i ri [K/kW] i [sec] ri [K/kW] i [sec] : IGBT 1 7,6 2 94,3 3 63,4 4 14,6 : IGBT 0,0018 0,0240 0,0651 0,6626 : Diode 112,8 108,2 67,9 31,1 : Diode 0,0487 0,0169 0,1069 0,9115 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE= +15V, R G,off = 1,5, , Tvj= 125C 450 400 350 300 250 IC [A] 200 150 IC,Modul IC,Chip 100 50 0 0 100 200 300 400 500 600 700 VCE [V] 7 (8) BSM 200 GD 60 DLC S1 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC Gehausemae / Schaltbild Package outline / Circuit diagram Econo 3 118.11 94.5 119 121.5 99.9 4 x 19.05 = 76.2 19.05 3.81 19 18 17 16 15 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 3.81 1.15x1.0 15.24 5 x 15.24 =76.2 110 connections to be made externally P+ / 21 1 2 5 6 9 10 3 4 7 8 11 12 N- / 20 P+ / 13 19 17 15 N- / 14 IS8 8 (8) BSM 200 GD 60 DLC S1 2000-02-08 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fur technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes fur die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstandigkeit der bereitgestellten Produktdaten fur diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fur die wir eine liefervertragliche Gewahrleistung ubernehmen. Eine solche Gewahrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fur das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls ubernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benotigen, die uber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Fur Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen konnte unser Produkt gesundheitsgefahrdende Substanzen enthalten. Bei Ruckfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefahrdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fur diese Falle - die gemeinsame Durchfuhrung eines Risiko- und Qualitatsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitatssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einfuhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhangig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Anderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: BSM200GD60DLC