NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL BFW 30 - Wide band vertical amplifiers in high speed oscilloscope ide band aerial amplifiers Television distribution amplifiers Amplificateur vertical 2 large bande pour -oscillascopes rapides Amplificateurs dantenne a large bande Amplificateurs de tl distribution Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale Prot (Ww) 0,3 {_N 0,2 T aL MN VcBo 20V tom 100 mA hoqp(80 mA) 25 min. (50 mA) 1,6 GHz typ. Case TO-72 See outline drawing CB-4 on last pages Boitier Voir dessin cot C&8-4 dernires pages 3) E Bottom view Vue de dessous N Tomb) . . : 0 Weight: 0,7g. Connection M is connected to case 50 100 150 200 Masse La connexion M est retie au hoitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T =+25% (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires) Cotlector-base voltage Vv Tension collecteur-base ceo 20 Vv Collector-emitter voltage _ Vv Tension collecteur-metteur Ree = 50 2 CER 20 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur cEO 10 v Emitter-base voltage VeBpo 25 Vv Tension metteur-base Collector current I Courant collecteur c 50 mA Peak collector current ! mA Courant de crte de collecteur cM 100 Power dissipation P 250 mW Dissipation de puissance tot Junction temperature T. Temprature de jonction max. I 200 c Storage temperature min T ~ 65 c Temprature de stockage max, stg +200 C 76-23 1/3 THOMSON-CSF AIR SET TRACTOR, 667 Seseseam BFW 30 (Unless otherwise stated) STATIC CHARACTERISTICS = CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 26C (Sauf indications contraires) Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-base cut-off current Vop = 10V I Courant rsiduel collecteur-base Ie =0 cBO 50 nA Collector-emitter breakdown voltage Iq =10mA Vv Tension de claquage collecteur-metteur t =Q (BR}CEO 10 Vv : I =10mA Collector-emitter breakdown voltage c Vv Tension de claquage collecteur-metteur Ree =5002 (BRICER 20 Vv Vce = 5V 25 Static forward current transfer ratio lo = 25 mA h Valeur statique du rapport de transfert V =BV 21E direct du courant CE 25 le =50mA DYNAMIC CHARACTERISTICS (for smali signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Vee = 5V Transition frequency loc = 50 mA f Frquence de transition # =500MHz T 1600 MHz Note 1 Veg = 10V Output capacitance Ig =0 c F Capacit de sortie f =1MHz 22b 15 p Note 2 Vce= Vv Power gain (not neutralized) t =2mA Gain en puissance (non neutrodyn) c =1MHz Cy 2e 08 pF Note 1 Vee =5 Vv | =30mA c f= 200 MHz 9 2 a6 Reverse transfer capacitance Note 1 G Capacit de transfert inverse V =5V P cE ~ lo = 30 mA 15 dB f = 800 MHz Note 1 Vee = 5V ' lo = 2mA Noise figure = Facteur de bruit f 500 MHz F 5 dB Rg =50 2 Note 1 THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rang Rsistance thermique (jonction-boitier) th(j-c) 500 C/W Junction-ambient thermal resistance Rang Rsistance thermique (jonction-ambiante} th{j-a) 700 och NOTE 1: Four Lead grounded NOTE 2: Four lead not connected Connexion de boi tier runie & la masse 2/3 668 Connexion de boitier non connecte BFW 30 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES {mA} 60 40 20 (mA) 60 40 20 25 6 Vogtv) Vv =5V 1. = 25C 500 Vpeimv) hate Vog =5V 1; = 25C 60 a | 40 20 0 20 40 Igima) 226 0,5 0 5 10 15 Vogt) 3/3 669