Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 2401N 48...54TOH N Features: Volle Sperrfahigkeit bei 120 mit 50 Hz Full blocking capability at 120C with 50 Hz Hohe Stostrome und niedriger Warmewidererstande durch NTV-Verbindung zwischen Silizium und Mo-Tragerscheibe. High surge currents and low thermal resistance by using low temperature-connection NTV between silicon wafer and molybdenum. Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwarts - und Ruckwarts - Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltage tvj = -40C ... tvj max f = 50 Hz Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS forward current VDRM, VRRM 4800 5000 5200 5400 ITRMSM 5900 A 2800 A 3750 A V V V V Dauergrenzstrom mean forward current tC = 85C, f = 50Hz tC = 60C, f = 50Hz ITAVM Stostrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25C, tp = 10ms, VR = 0 tvj = tvj max, tp = 10ms, VR = 0 IFSM Grenzlastintegral 2 I t-value tvj = 25C, tp = 10ms tvj = tvj max, tp = 10ms It Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 Entladestrom der Beschaltung discharging of RC - snubber f = 50Hz, iGM = 3A, diG/dt =6A/s (di/dt)cr ITM (RC) 150 A/s 200 A Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state current tvj = tvj max, vD = 0,67 VDRM 5. Kennbuchstabe / 5 th letter H (dv/dt)cr 2000 V/s SM PB / 2000-10-13, Keller Release 3 2 55 kA 50 kA 6 2 15,1*10 A s 2 6 12,5*10 A s Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 2401N 48...54TOH N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung on-state voltage tvj = tvj max, iT = 4kA vT typ 1,8 max 1,95 Schleusenspannung / threshold voltage Ersatzwiderstand / slope resistance tvj = tvj max V(TO) rT typ 0,92 0,22 max 0,99 0,24 Durchlarechenkennlinien On - state characteristics for calculation tvj = tvj max A B C D typ 0,147 0,0000399 0,0651 0,0151 max 0,659 0,0000119 -0,0382 0,0247 Zundstrom gate trigger current tvj = 25C, vD = 6V IGT 350 mA Zundspannung gate trigger voltage tvj = 25C, vD = 6V VGT 2,5 V Nicht zundender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = tvj max, vD = 6V tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM IGD 20 mA 10 mA nicht zundende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = 25C, vD = 0,5 VDRM VGD 0,4 V Haltestrom holding current tvj = 25C, vD = 12V, RA = 4,7 IH 350 mA Einraststrom latching current tvj = 25C, vD = 12V, RGK 10 iGM = 3A, diG/dt= 6 A/s, tg = 20s IL 3 A Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = tvj max vD = VDRM, vR = VRRM iD, iR Zundverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 tvj = 25C, iGM = 3A, diG/dt = 6A/s tgd Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj = tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20V/s, -diT/dt = 10A/s 4. Kennbuchstabe / 4 th letter O tq typ 350 s Qr typ. 11 max. 16 mA s IRM 300 400 A VT = A + B . iT + C . ln(iT+1) + D . iT Sperrverzogerungsladung recovered charge tvj = tvj max ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/s VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM Ruckstromspitze peak reverse recovery current tvj = tvj max ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/s VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM SM PB / 2000-10-13, Keller Release 3 V V m 200 mA 2 s Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 2401N 48...54TOH N Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, = 180sin beidseitig / two-sided , DC Anode / anode DC Kathode / cathode DC RthJC 0,0054 0,0050 0,0090 0.0112 Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthCH 0,0015 C/W 0,0030 C/W Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 125 C Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+125 C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 C C/W C/W C/W C/W Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Seite 4 Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellet with pressure contact, amplifying gate 100TN52 Anprekraft clampig force F Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance 63...91 kN typ 3000 g 49 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz C 2 50 m/s Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SM PB / 2000-10-13, Keller Release 3 Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 2401N 48...54TOH N Mabild / Outline SM PB / 2000-10-13, Keller Release 3 Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 2401N 48...54TOH N Durchlakennlinie iT = f ( vT ) Limiting and typical on-state characteristic tvj = 125 C 7000 6000 5000 typ max IT (A) 4000 3000 2000 1000 0 0 1 2 3 V T [V] SM PB / 2000-10-13, Keller Release 3 Seite/page 5 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 2401N 48...54TOH N Steuerkreischarakteristik mit Zundbereichen Gate characteristic with triggering areas vG = f (iG), VD = 6V Parameter Steuerimpulsdauer / trigger pulse duration Hochstzulassige Spitzensteuerverlustleistung Max. rated peak power dissipation a 10 20 tg(ms PGM (W) b 1 40 C 0,5 60 30 20 10 c b 5 a -40C 2 +25C +125C 1 0,5 0,2 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 10000 iG [ m A ] SM PB / 2000-10-13, Keller Release 3 Seite/page 6 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 2401N 48...54TOH N Transienter innerer Warmewiderstand Transient thermal impedance Zth JC = f (t) 1 2 3 4 5 doppelseitige Kuhlung r [K/W] [s] 0,00158 2,05 0,00216 0,25 0,00042 0,09 0,00055 0,0195 0,00029 0,0055 0,005 - anodenseitige Kuhlung r [K/W] [s] 0,00558 7,2 0,00216 0,25 0,00042 0,09 0,00055 0,0195 0,00029 0,0055 0,009 - kathodenseitige Kuhlung r [K/W] [s] 0,00778 10 0,00216 0,25 0,00042 0,09 0,00055 0,0195 0,00029 0,0055 0,0112 - ZthJC = n=1 Rthn (1 - e - t /n ) nmax SM PB / 2000-10-13, Keller Release 3 Seite/page 7 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 2401N 48...54TOH N Sperrverzogerungsladung / recoverd charge Qrr = f (di/dt) tvj = 125C, ITM = 2000A, vR = 0,5VRRM, vR = 0,8VRRM 50 40 30 20 max 10 Qrr [mAs] 9 typ 8 7 6 5 4 3 2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 30 - d i / d t [ A / s ] SM PB / 2000-10-13, Keller Release 3 Seite/page 8 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 2401N 48...54TOH N Ruckstromspitze / reverse recovery current (typische Abhangigkeit / typical dependence) IRM = f (di/dt) tvj = 125C, ITM = 2000A, vR = 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM 700 650 600 550 500 450 IRM [A] 400 350 300 250 200 150 100 50 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 di / dt [A/s] SM PB / 2000-10-13, Keller Release 3 Seite/page 9