Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor T 2401N 48...54TOH
SM PB / 2000-10-13, Keller Release 3 Seite/page
N
1
Features:
Volle Sperrfähigkeit bei 120° mit 50 Hz Full blocking capability at 120°C with 50 Hz
Hohe Stoßströme und niedriger Wärme- High surge currents and low thermal resistance
widererstände durch NTV-Verbindung by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts - und Rückwärts - Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage tvj = -40°C ... tvj max
f = 50 Hz VDRM, VRRM 4800
5000
5200
5400
V
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current ITRMSM 5900 A
Dauergrenzstrom
mean forward current tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 60°C, f = 50Hz ITAVM 2800
3750 A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current tvj = 25°C, tp = 10ms, VR = 0
tvj = tvj max, tp = 10ms, VR = 0 IFSM 55
50 kA
kA
Grenzlastintegral
I2t-value tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms I2t15,1·106
12,5·10
6
A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6
Entladestrom der Beschaltung
discharging of RC - snubber
f = 50Hz, iGM = 3A, diG/dt =6A/µs
(di/dt)cr
ITM (RC)
150
200 A/µs
A
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current tvj = tvj max, vD = 0,67 VDRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter H (dv/dt)cr 2000 V/µs
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2
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage tvj = tvj max, iT = 4kA vT
typ
1,8 max
1,95 V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance tvj = tvj max V(TO)
rT
typ
0,92
0,22
max
0,99
0,24 V
mΩ
Durchlaßrechenkennlinien
On - state characteristics for calculation
VT = A + B . iT + C . ln(iT+1) + D . √iT
tvj = tvj max A
B
C
D
typ
0,147
0,0000399
0,0651
0,0151
max
0,659
0,0000119
-0,0382
0,0247
Zündstrom
gate trigger current tvj = 25°C, vD = 6V IGT 350 mA
Zündspannung
gate trigger voltage tvj = 25°C, vD = 6V VGT 2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current tvj = tvj max, vD = 6V
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
IGD 20
10 mA
mA
nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage tvj = 25°C, vD = 0,5 VDRM VGD 0,4 V
Haltestrom
holding current tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 4,7ΩIH350 mA
Einraststrom
latching current tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
iGM = 3A, diG/dt= 6 A/µs, tg = 20µs IL3A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents tvj = tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR200 mA
Zündverzug
gate controlled delay time DIN IEC 747-6
tvj = 25°C,
iGM = 3A, diG/dt = 6A/µs
tgd 2µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time tvj = tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
tqtyp 350 µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
tvj = tvj max
ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/µs
VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Qr
typ.
11 max.
16 mA
s
Rückstromspitze
peak reverse recovery current tvj = tvj max
ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/µs
VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
IRM 300 400 A
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3
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode DC
Kathode / cathode DC
RthJC 0,0054
0,0050
0,0090
0.0112
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided RthCH 0,0015
0,0030 °C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature tvj max 125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature tc op -40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature tstg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix Seite 4
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate 100TN52
Anpreßkraft
clampig force F63...91 kN
Gewicht
weight Gtyp 3000 g
Kriechstrecke
creepage distance 49 mm
Feuchteklasse
humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit
vibration resistance f = 50Hz 50 m/s2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Maßbild / Outline
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Durchlaßkennlinie iT = f ( vT )
Limiting and typical on-state characteristic
tvj = 125 ° C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
0 1 2 3
VT [V]
IT (A)
typ max
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Steuerkreischarakteristik mit Zündbereichen
Gate characteristic with triggering areas
vG = f (iG), VD = 6V
Parameter abC
Steuerimpulsdauer / trigger pulse duration tg(ms 10 1 0,5
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung
Max. rated peak power dissipation PGM (W) 20 40 60
30
20
10
5
2
1
0,5
0,2
101000050002000
50201002005001000
iG [mA]
+125°C
+25°C
-40°C
a
b
c
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Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Zth JC = f (t)
doppelseitige
Kühlung
anodenseitige
Kühlung
kathodenseitige
Kühlung
r [K/W] [s] r [K/W] [s] r [K/W] [s]
10,00158 2,05 0,00558 7,2 0,00778 10
20,00216 0,25 0,00216 0,25 0,00216 0,25
30,00042 0,09 0,00042 0,09 0,00042 0,09
40,00055 0,0195 0,00055 0,0195 0,00055 0,0195
50,00029 0,0055 0,00029 0,0055 0,00029 0,0055
0,005 -0,009 - 0,0112 -
(
)
ZRe
thJC thn t
n
nn
=⋅−−
=
∑
1
1
/
max τ
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Sperrverzögerungsladung / recoverd charge
Qrr = f (di/dt)
tvj = 125°C, ITM = 2000A, vR = 0,5⋅VRRM, vR = 0,8⋅ VRRM
9
8
7
6
50
40
30
20
10
5
4
3
2
302010987654321
-di/dt [A/µs]
Qrr [mAs]
max
typ
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Rückstromspitze / reverse recovery current
(typische Abhängigkeit / typical dependence)
IRM = f (di/dt)
tvj = 125°C, ITM = 2000A, vR = 0,5⋅VRRM, vRM = 0,8⋅VRRM
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
012345678910111213141516171819202122
d i / d t [A / µs]
I
RM
[A]
