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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
FZ400R12KE3_B1
IGBT-モジュール
IGBT-modules
preparedby:MM
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.2
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC400
650 A
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 800 A
トータル損失
Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 2250 W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V VCE sat
1,70
2,00
2,15
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage IC = 16,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V
ゲート電荷量
Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG3,70 µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,9 Ω
入力容量
Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 28,0 nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,10 nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,8 Ω
td on
0,25
0,30
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,8 Ω
tr
0,09
0,10
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 Ω
td off
0,55
0,65
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 Ω
tf
0,13
0,18
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 600 V, LS = 85 nH
VGE = ±15 V
RGon = 1,8 ΩEon
33,0
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 600 V, LS = 85 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 ΩEoff
59,0
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
短絡電流
SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC
1600
A
Tvj = 125°C
tP ≤ 10 µs,
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC 0,055 K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
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Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent IF400 A
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 800 A
電流二乗時間積
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 31000 A²s
電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
順電圧
Forwardvoltage IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V VF
1,65
1,65
2,15
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent IF = 400 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
IRM
280
360
A
A
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
逆回復電荷量
Recoveredcharge IF = 400 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Qr
40,0
75,0
µC
µC
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
逆回復損失
Reverserecoveryenergy IF = 400 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Erec
18,0
34,0
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 0,125 K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
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モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate Cu
内部絶縁
Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3
沿面距離
Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 20,0
mm
空間距離
Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 11,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex CTI > 425
min. typ. max.
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink /モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,01 K/W
内部インダクタンス
Strayinductancemodule LsCE 16 nH
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch RCC'+EE' 0,50 mΩ
保存温度
Storagetemperature Tstg -40 125 °C
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque 取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
1,1
2,5
-
-
2,0
5,0
Nm
Nm
質量
Weight G340 g
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出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
VGE [V]
IC [A]
5 6 7 8 9 10 11 12
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.8Ω,RGoff=1.8Ω,VCE=600V
IC [A]
E [mJ]
0 100 200 300 400 500 600 700 800
0
20
40
60
80
100
120
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
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スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=400A,VCE=600V
RG [Ω]
E [mJ]
0 3 6 9 12 15 18 21
0
40
80
120
160
200
240
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
t [s]
ZthJC [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,001
0,01
0,1
ZthJC : IGBT
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1
0,001042
0,00001187
2
0,003132
0,002364
3
0,027707
0,02601
4
0,023119
0,06499
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.8Ω,Tvj=125°C
VCE [V]
IC [A]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
IC, Modul
IC, Chip
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
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スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.8Ω,VCE=600V
IF [A]
E [mJ]
0 100 200 300 400 500 600 700 800
0
10
20
30
40
50
Erec, Tvj = 125°C
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=400A,VCE=600V
RG [Ω]
E [mJ]
0 3 6 9 12 15 18 21
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Erec, Tvj = 125°C
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
t [s]
ZthJC [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,001
0,01
0,1
1
ZthJC : Diode
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1
0,002367
0,00001187
2
0,007108
0,02364
3
0,063067
0,02601
4
0,052458
0,06499
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回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
I n f in e o n
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この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価
上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
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exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
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interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
