F1200A ... F1200G F1200A ... F1200G IFAV = 12 A VF1 < 0.82 V Tjmax = 150C Fast Efficient Rectifier Diodes Schnelle Gleichrichterdioden fur hohen Wirkungsgrad VRRM = 50...400 V IFSM = 650/715 A trr < 200 ns Version 2016-12-20 Typical Applications Rectification of medium frequencies Free-wheeling diodes, Polarity Protection, Solar Bypass diodes Commercial grade 1) O8 7.50.1 Type Features Low forward voltage drop Low leakage current High forward surge capability Package smaller than industry standard Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Niedrige Fluss-Spannung Niedriger Sperrstrom Hohe Stostromfestigkeit Gehause kleiner als Industriestandard Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 62.50.5 0.1 EL V O 8 x 7.5 (~P600) Typische Anwendungen Gleichrichtung mittlerer Frequenzen Freilaufdioden, Verpolschutz Solar-Bypassdioden Standardausfuhrung 1) Mechanische Daten 1) Mechanical Data 1) O 1.20.05 Taped in ammo pack Weight approx. Dimensions - Mae [mm] 500 Gegurtet in Ammo-Pack 1.3 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehausematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lot- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stospitzensperrspannung VRSM [V] F1200A 50 50 F1200B 100 100 F1200D 200 200 F1200G 400 400 Average forward current Dauergrenzstrom TA = 50C IFAV 12 A 3) Repetitive peak forward current - Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 130 A 3) Peak forward surge current Stostrom in Fluss-Richtung 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 650 A 715 A Rating for fusing, t < 10 ms - Grenzlastintegral, t < 10 ms i2t 2112 A2s Junction temperature - Sperrschichttemperatur in DC forward mode - bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150C +200C 4) Storage temperature - Lagerungstemperatur TS -50...+175C Thermal resistance junction to ambient - Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthA < 10 K/W 3) Thermal resistance junction to leads - Warmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht RthL < 2 K/W 1 2 3 4 Half sine-wave Sinus-Halbwelle Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25C unless otherwise specified - TA = 25C wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 10 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden For more details, ask for the Diotec Application Note "Reliability of Bypass Diodes" Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift Reliability of Bypass Diodes" (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 F1200A ... F1200G Characteristics Kennwerte Forward Voltage Durchlass-Spannung Tj = 25C IF = 5 A IF = 12 A VF < 0.82 V < 0.91 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25C Tj = 125C VR = VRRM IR < 5 A typ. 40 A Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/uber IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A trr < 200 ns Cj 430 pF Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazitat VR = 4 V 120 103 [%] [A] 100 Tj = 125C 2 10 80 Tj = 25C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 400a-(5a-0,8v) -1 10 0 TA 100 50 150 [C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 104 [A] 103 Tj = 150C 102 Tj = 125C 10 Tj = 25C IR 1 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. reverse voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) u. Sperrspannung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 2 http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG