Transistors NPN silicium *2N 2823 Mesa diffuss * 2N 2824 NPW silicon transistors * 2N 2825 Diffused mesa * Dispositif recommand Prefered clavice - Amplification BF grands signaux Donnes principales Large signal LF amplification Principal features - Commutation fort courant High current switching ( 80 V 2N 2823 VcEO 100 V 2N 2824 . 150 V 2N 2825 Io 30 A Prot 200 W Dissipation de puissance maximale ho4(20 A) 10-40 Maximum power dissipation Prot ml \| Boitier TO-63 iso Case { | 100+- { { sot i i 0 { 0 50 100 150 200 tease (C) Le collecteur est reli au boitier Collector is connected ta case Valeurs limites absolues d'utilisation 4 teacg = 25C Absolute ratings (limiting values) Paramatre 2M 2923 | 2N 2824 | 2N 2825 Tension collecteur-base Vv, Collector-base voltage CBO 80 100 180 v Tension collecteur-metteur V Collector-emitter voltage CEO 80 100 150 v Tension metteur-base Vv Emitter-base voltage EBO 10 10 10 Vv Courant collecteur i Collector current c 30 30 30 A Courant base { Base current B 10 10 10 A Dissipation de puissance P Power dissipation tot 200 200 200 Ww Temprature de jonction t Junetion temperature max j 200 200 200 c Temprature de stockage min tstq - 65 65 - 65 Storage temperature max +200 +200 +200 1970-08 1/3 af Sesmsennr 2N 2823 * 2N 2824* 2N 2825 * Caractristiques gnrales a tease = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics (Sauf indications contraires ) {Unless otherwise specified} Paramtre Conditions de mesure Min. | Typ. | Max. Parameter Text conditions Min. | Typ. } Max. Vee =~ 15V | on 2893 2 Vog =80V Vge=- 15 VY | on 2824 2 Veg = 100 V Vee=715 | on 2925 2 Vee =150V Veg =- 15 V Courant rsiduel collecteur-metteur = I Collector-emitter cut-off current Voce 80V 2N 2823 CEX 20 mA toage = 150C Vee =- 15 V Vee =100V 2N 2824 20 lease = 150C Veg = 15 V Voge =150V 2N 2825 20 tease = 150C Courant rsiduel metteur-base lc =0 t Emitter-base cut-off current VBE =10V EBO 0,25 mA 2N 2823 x} 80 Tension de claquage collecteur-metteur |p =0 -- lv Collector-emitter breakdown voltage lg =100mA 2N 2824} (BRICEO) 100 v 2N 2825 150 Valeur statique du rapport du transfert le =20A direct du courant Vaca2V hoie 10 40 Static forward current transfer ratio CE * Tension de saturation cotlecteur-metteur Io =20A Vn 4 Vv Collector-emitter saturation voltage lp =3A CEsat i i I. =20A * Tension de saturation base-metteur Cc Vv 2,1 Vv Base-emitter saturation voltage In =3A BEsat : * Impulsions t. = 300us Pulsed P 6 < 2% 2/3 *2N * 2N * 2N 2823 2824 2825 Caractristiques gnrales a tease = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Oyaamic characteristics (ror smatt signats} Paramdtre Conditions de mesure Min. | Typ. | Max. Peramater Test conditions Min, | Typ. | Max. Ip = 20A Frquence de transition Vice3V fy 06 MHz Transition frequency CE= f =t MHz Caractristiques de commutation Switching characteristics Temps de croissance In #20A t. 3.5 | us Rise time [pies A y Temps total dtablissement Ic 20A ttt 35 | us Turn-on time IBiw3 A r R le = 20A etard a la dcroissance Storage time lpi A ', 6 Bs Ipow-3 A le w20A Temps de dcroissance IpiasA t 6 us Fall time 3 Ipaw-3 A I 20A Temps total de coupure ~ tet Turnoff time IpimsA sty 12 | us Ipose3 A Caractristiques thermiques Thermal characteristics Rsistance thermique, jonction-boitier Ran 9 Thermal resistance. junction to case th (j-c) 1 cw 3/3