Transistors NPN silicium Planar pitaxiaux NPN silicon transistors Epitaxial planar *2N 1565 *2N 1566 2N 1566 A - Amplification BF petits signaux LF small signal amplification - Commutation Switching Dissipation de puissance maximafe Maximum power dissipation Py + (w} 12 (2) oat EN iON \ ao-KN NS fomb(C) (1) 0.4 0 50 100 150 200 caselC) (2) XK Dispositif recommand Pretered device Donnes principales Principal features VcEg 60 V ( 40 - 100 2N 1565 hgie 4, 80 - 200 2N 1566 (smA) (80 - 200 2N 1566A fy {60 MHz min. 2N 1565 - 2N 1566 80 MHz min. 2N 1566 A Baitier TO-39 Case Le collecteur est reli au beitier Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation a tamb= 25C Absolute ratings (limiting values} (Sauf indications contraires } Ualess atherwise specified} Tension collecteur-base Collector-base voltage Veso 80 80 v Tension collecteur-metteur Vv, { Collector-emitter voltage CEO 60 60 Vv Tension metteur-base Vv Emitter-base voltage EBO 5 8 v Courant coilecteur Collector current le 50 100 mA we . = 0, 0,6 Dissipation de puissance tamb =25C (1) P, " 06 Ww Power dissipati L...=25C 19) 0 fr dissipation tease =25C (2) 1,2 1,2 Temprature de jonction y 175 175 c Junction temperature Temprature de stockage t - 65 65 ec Storage temperature stg 4200 +200 I Sesoesenn 1970 - 08 1/72N 1565 * 2N 1566 * 2N 1566 A Caractristiques gnrales 4 tambh = 25C General characteristics (Sauf indications contraires) (Unless otherwise specified) Caractristiques statiques Static characteristics 2N 1565 0,4 1 I =0 E Ip 04] 4 Vog = 40V 2N 1566 CBO , BA 2N 1566 Al 04 | 0,5 Courant rsiduel collecteur-base Collector-base cut-off current le =0 Yep = 40V bw isesal 'cBo 10 | BA tamb = 190C . I 0 Tension de claquage coliecteur-base E Collector-base breskdown voltage le = 10uA V(BR)CBO 80 Vv Tension de claquage collecteur-metteur pg = 0 Vv * 60 Collector-emitter breakdown voltage Ic = 10mA (BR)CEO Vv . I =0 Tension de claquage metteur-base Cc Vv 5 Emitter-base breakdown voltage le = 10pA (BR)EBO v Valeur statique du rapport du transfert | = 5mA direct du courant. Vv =5V RN 1566A) ho7 60 200 Static forward current transfer ratio CE 2N 1565 0,15 1 I = 10mA Tension de saturation collecteur-metteur c Vv 15 Vv Collector-emitter saturation voltage Ip =2mA 2N 1566 CEsat G, 1 2N 1566 Al 0,15 | 0,6 : = 10mA Tension de saturation base-metteur le m I2N 1566 Al V 0,5 0,8 | 0,95 Vv Base-emitter saturation voltage tp = 2mA BEsat , " *Impulsions t,=300us 6 < 2% Pulsed Pp 2/7*2N 1565 *2N 1566 2N 1566 A Caractristiques gnrales @ tambh = 25C General characteristics ( Sauf indications contraires {Unless otherwise specified) Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for small sigaats) Paromita Conditions de mesure. Min, | Typ. | Max. Parameter : Test conditions A Mince} Typ. Max: 2N 1565 30 60 f = 1kHz Ip = imA | oN 1566 60 | 110 Voge =5V 2N 1566 A 60 150 r 2N 1565 40 100 R d fert direct d 1D eke apport de transfert direct du courant I = -5 mA F. onward current transfer ratio E _ m 2N 1566 80 200 Voce =5V 2N 1566 80 200 Nate 20 = kHz 2N 1565 ig = BMA Ton 1566 | = 0 Vog =5V 4 t = 55C amb BN 1566 40 2N 1565 05 | 1,5 Impdance dentr f = kHz m e dentre . Inet impedance Ie = 5mA 2N 1566 hy le 0,9 1,8 kQ Vv = 5V CE 2N 1566 Al 09 | 1,8 2N 1565 60 | 180 Ip =SmA |4 Frquence de transition Veg = 5V 2N 1566 fy 60 | 180 MHz Transition frequency = 30MHz 2N 1566 Al 100 | 180 2N 1565 10 c a Vop = 5V apacit de sortie _ . Output capacitance le =0 2N 1566 Coon 10 pF f = 1 MHz | _ 2N 1566 Al 6 3/72N 1565 * 2N 1566 * 2N 1566 A Caractristiques statiques Static characteristics tamb = 25C 2N 1565 2N 1566 2N 1566 A 'c (ma) lo (mA} 7 a. 0,6 06 | 2 || . _ |_ T | 0.4 of 4 a" ps 0.2 opp a 3 | aT 0 'p = THA 0 10-20 30 40 Vee) O10 00S ge (WN lo (mA) lo (mA) ee KI | 20 Sg L |_| (fo a : 15 Z, call a Soe 2 4 10 L wea aA Sy = 0,05 mA . 5 i Voge G 0.5 1 15 Voge (Vv)*2N 1565 *2N 1566 2N 1566 A Caractristiques statiques Static characteristics 2N 1566 2N 1565 2N 1566 A Vv Vv CEsat CEsat (my) (mV) 300 300 200 200 100 100 } =5] 254c-4 =51 Q, (mA} 0.102 058 14 2 $ 10 20 (mA) v, BEsat Vv (mV) (mvs, 55 800 ao = _4 Cc ae 7 tane 4 |__| aint oC 4+] 600 600 fT Hesf rn 400 400 bt] 200 200 | - fon. ao =51 0 co =5lp Veg (VI 0102 05 1 2 5 10 20 I, ima) BIT2N 1565 * 2N 1566 * 2N 1566 A Caractristiques statiques Static characteristics 2N 1566 2N 1565 2N 1566 A hore oie L. 150 sr 150 IN 100 LT at 100 kom" fo a A] [T | 50 50 ee 0 0 0102 05 4 2 5 10 20 I,imay 0102 05 1 2 10 20 Ig (mA) Vor (Vv) BE Veg (V} 0.8 0.8 0.6 0.6 04 0.4 0.2 9.2 0 0 0102 05 1 2 5 10 20 Ve (ma) 0102 05 1 2 5 10 20 Iq (ma)*2N 1565 *2N 1566 2N 1566 A Caractristiques dynamiques Dynamic characteristics 2N 1566 2N 1565 2N 1566 A Voce = 5V 216 hote 100 150 80 60 100 40 50 20 0 0 0.1 . 5 c 01 O72 05 1 2 5 lo imA) Voce =5V hy 4 (ko hy 4,(ka) 11 's0 lle 20 20 10 10 5 5 2 2 1 1 05 0.5 0.2 0.2 of 0.2 os of 2 5 Iq (ma) 01 02 OS 49 2 5 Ig (mal C2ap (PF) te =0 6 NS 4 2 0 2 4 6 8 VcB (v) V7