Transistors NPN silicium 2N 3414 Planar pitaxiaux 2N 3415 NPN silicon transistors 2N 3416 Epitaxial planar 2N 3417 Planepox * Dispositif recommand Prefered device - Amplification BF Donnes principales LF amplification Principal features - Commutation faible courant Low current switching 25V -2N 3414 - 2N 3415 VcEo 50 Vs 2N 3416 - 2N 3417 ho7 (2 mA) 75 - 225 2N 3414 - 2N 3416 180 - 540 2N 3415 - 2N 3417 Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Pot (mwif = og: . IN Boitier plastique TO-98 300+-+ Plastic case 1 200 1 \ I 1 100 }+-+ E { 1 ole B 0 50 100, 150 tomb(C) Valeurs limites absolues d'utilisation a tamb= 25C Absolute ratings {limiting values) Pardmbtre , 2N3414 2N3416 Parantster 2N3415 2N3417 Tension cotlecteur-base Vv, Collector-base voltage CBO 25 50 Vv Tension collecteur-metteur Vv, Collector-emitter voltage CEO 25 50 v Tension metteur-base Vv Emitter-base voltage EBO 5 5 v Courant collecteur Collector current lg 500 500 mA Sulonion ae er ee ee ee issipation de puissance y Pomer dissipa tea Prot 360 360 mw Temprature de jonction max. t Junction temperature J 150 150 c Temprature de stockage min. botg 55 ~ 55 c Storage temperature max. +150 + 150 1970 - 07 V/2 ef. Seowesennv #3 THomson CSF 2N 3414 2N 3415 2N 3416 2N 3417 Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics (Sauf indications contraires } {Unless otherwise specified) Pacematrs Conditions de mesure. : : Mio, Tye. | Max. Parameter Test conditions __ : : | Mig Trp | Max. le = 2N 3414 01 Vog = 28 V 2N 3415 Courant rsiduel collecteur-base Collector-base cut-off current IcBo uA le =0 2N 3416 01 Vop = 50 V 2N 3417 le =0- Vop = 25V 2N 3414 15 = 2N 3415 tamp= 100C 3 Courant rsiduel collecteur-base a haute temprature \ A High temperature collector-base CBO u cut-off current | = E . Veg = 50 V 2M 3416 15 2N 3417 tamb= {00C Courant rsiduel metteur-base Io = I 01 A Emitter-base cut-off current Veg = 5V EBO * ut 2N 3414 75 225 2N 3416 Valeur statique du rapport du transfert le = 2mA direct du courant Vane =45V ho1e Static forward current transfer ratio CE * , 2N 3415 2N 3417 180 540 Tension de saturation collecteur-metteur le = 50 mA Vv 03 Vv Collector-emitter saturation voitage Ip = 3mA CEsat , . . i =50mA Tension de saturation base-metteur c Base-emitter saturation voltage Ip =3mA VeEsat 0.6 1,3 Vv