sac of za29237 oooasua-s ff S G S-THOMSON . | | eg 4. THOMSON-CSF ; | DIVISION SEMICONDUCTEURS * 1N 3496 1N 3500 | -o...s.- - | VOLTAGE REFERENCE DIODES (TEMPERATURE COMPENSATED} EPI z DIODES DE REFERENCE DE TENSION (COMPENSEES EN TEMPERATURE) 59C 02540 D0. 7-W-o7 Semiconductor material : silicon Preferred device Matriau semiconducteur : silicium Dispositif recommands Technology : local epitaxy + guard ring Technologie : pitaxie localise + anneau de garde Cooling : by convection and conduction Refroidis / par fon et par ductic VzT (IztT = 7,5mA) 6,2V + 5% Ptot (Tamb = 50C) 0,25W i Absolute ratings (limiting values) Valeurs limites absolues d'utilisation Case See page Ptot= 0,25W/Tamb = 25C d = 4mm Boitier 20 35 (CB-162) Voirnege 229 Tj) = 55C-+ 1600 : Tstg = ~ 559C-+ 150 0C Z ! . seemed va . Maximum power dissipation a : Dissipation de puissance maximale Di a Prot ' tw) 0,20 d d . 0,15 | > 0,10 Infinite heat sinks Material : glass : 0.05 Refroidisseurs infinis Marking : clear, ring at cathode end ' 0 ; Matriau : verre i 50 100 150 200 TamblC} ment *0,15 g Marquage en clair, anneau cot cathode : jasse : : General characteristics Tamb = 25C (Unless otherwise stated) : Caractristiques gnrales am (Sauf indications contraires) Vor lor lor Test temperatures Ayz ayz typ. max. Tempratures de mesure max, {V) (Q) (mA) (C) (V} (%/C) IN 3496 6,2 15 7,5 O +25 +75 0,024 0,005 IN 3497 6,2 15 7,5 0 +25 +75 0,010 = 0,002 IN 3498 6,2 15 7,5 O +25 +75 0,005 = 0,001 1N 3499 6,2 15 7,5 0 +25 +75 0,002 = 0,0005 1N 3500 6,2 15 7,5 O +25 +75 0,048 = 0,01 December 1983 - 1/2 50, rue Jean-Pierre Timbaud -B P F - 92403 Courbevoe Cedex FRANCE s THOMSON Tl (1)788-50-01 Telex 610560 F 197. @ COMPOSANTS a S G S-THOMSON sac o ff zsea237 aonasya.2 B verses 59C02541 | 0 Te//-O7 FIGURE1 1N 3496 + 1N 3500 1N 3500 Avz 3500 (mV) 3 1N 3496 - 20 10 1N 3497. IN 3497 in 3498 ANUS N S498 r 0 Ni34ga iN 3499 tn eee Twowet ~10 1N 3497 Teast 20 TN 3496 - 30 ~40 IN en N 3500 0 25 50 75 Tamb (C) Regulation voltage variation versus ambient temperature Variation de la tension de rgulation en fe ion de la temprature ambi: Note The voltage reference diodes are characterized by the box method. The maximum allowable vol- tage change AVz is guaranteed between any two temperatures within the range page 1. Tests are performed at the indicated temperatures and test current, Note Les diodes de rfrence de tension sont caractrises selon la mthode dite box mathod . La va- riation maximale AV z est garantie entre deux quelconques des tempi es du domaine indiqu pa- ge 1. Des mesures sont effectues aux tempratures et au courant spcifis.