GBU8A ... GBU8M
GBU8A ... GBU8M
Single Phase Bridge Rectifier
Einphasen-Brückengleichrichter
IFAV = 8 A
VF< 1.0 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 50...1000 V
IFSM = 180/200 A
trr ~ 1500 ns
Version 2019-11-25
GBU
Dimensions - Maße [mm]
Typical Application
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies
Commercial grade 1)
Typische Anwendung
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen
Standardausführung 1)
Features
UL recognized, File E175067
For free-standing or
heatsink assembly
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheit
UL-anerkannt, Liste E175067
Montage freistehend oder
auf Kühlkörper
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Bulk in cardboard trays
Suffix -T: packed in tubes
1000
20/1000
Lose in Einlagekartons
Suffix -T: verpackt in Stangen
Weight approx. 3.8 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V] 3)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 4)
GBU8A 35 50
GBU8B 70 100
GBU8D 140 200
GBU8G 280 400
GBU8J 420 600
GBU8K 560 800
GBU8M 700 1000
Max. rectified output current free standing
Dauergrenzstrom am Brückenausgang freistehend
R-load
C-load TA = 40°C IFAV 5.6 A 5)
4.5 A 5)
Max. rectified current with cooling fin 300 cm2
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
R-load
C-load TC = 100°C IFAV 8.0 A
6.4 A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 36 A 5)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 180 A
200 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 162 A2s
Junction/storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur Tj/S -50...+150°C
Admissible mounting torque
Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten
4 Valid per diode – Gültig pro Diode
5 Leads kept at ambient temperature in 5 mm distance from case – Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf TA gehalten
1http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
21.5
±0.7
3.6
±0.2
5.08
1.1
+0.2
1.7
±0.1
5.6
0.5
+0.1
2.2
3.4
±0.1
5.3
+0.5
18.2
±0.3
GBU ... +
–~~
1.8
+0.7
- 0.1
1.8
+0.2
GBU8A ... GBU8M
Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 8 A VF< 1.0 V 1)
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 5 µA 1)
Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns 1)
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj80 pF 1)
Typical thermal resistance junction to ambient (per device)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) RthA 19 K/W 2)
Typical thermal resistance junction to case (per device)
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) RthC 3.0 K/W
Type
Typ
Recomm. protective resistance
Empf. Schutzwiderstand
Rt [Ω] 3)
Admiss. load capacitor at Rt
Zul. Ladekondensator mit Rt
CL [µF] 4)
GBU8A 0.2 20000
GBU8B 0.4 10000
GBU8D 0.8 5000
GBU8G 1.6 2500
GBU8J 2.4 1500
GBU8K 3.2 1000
GBU8M 4.0 800
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
3 Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded
Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert
4 CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a
single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only!
Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen
Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf!
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
270a-(12a-1v)
R
t
3)
C
L
4)
~
~
+
_
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
C
150100
50
0
