NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORS NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAUX 2N 696, 2N 697 - LF amplification Amplification BF - Switching Commutation Maximum power dissipation VoER 40V 20-60 2N 696 A hai (160 mA) {410-120 2N 697 ' {a0 MHz min. 2N 696 T 50MHz min. 2N 697 Case TO-39 See outline drawing CB-7 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier Voir dessin cot CB-7 dernires pages Pp tot (w) N UN 1,6 } \ ' (2) c)e 4 B Lael 08 ' \ pL W Tarapl?e) ' {2)) To (C) : A 9 L case Weight : 0,9 g. Coliector is connected to case 0 50 4100 150200 Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T. b= +25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION am (Sauf indications contraires} Collector-base voltage Tension collecteur-base Vepo 60 Vv Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur Ree <102 Voer 40 Vv Emitter-base voltage Tension metteur-base Veso 5 Vv Power dissipation Tamb= 25C Pp 0,6 Ww Dissipation de puissance Tanea2 25C tot 2 Ww case Junction temperature Temprature de jonction max. qj 200 C Storage temperature min. T 65 C Temprature de stockage max. stg +200 c 76-11 1/6 THOMSON-CSF Seswoseem 2N 696, 2N 696 STATIC CHARACTERISTICS T =25C (Uniess otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Sauf indications contraires} Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veg = 30V 1 uA Ie =0 Collector-base cut-off current l Courant rsiduel collecteur-base cBO Ves =30V Ie =0 100 BA Tamb= 150C Collector-base breakdown voltage Io = 100HA Tension de claquage collecteur-base le = 0 Vipricad 60 v Ree = 102 Collector-emitter breakdown voltage | BE Vv Tension de claquage collecteur-metteur le = 100 mA {BR)CER 40 Vv Emitter-base breakdown voltage Ie =0,imA Tension de claquage metteur-base Io = 0 ViBR)}EBO 5 Vv Static forward current transfer ratio | y.. = 10V 2N 696 { 20 60 Valeur statique du rapport de transfert hoy E direct du courant c = 150mA 2N 697 40 120 : . = 150 mA Collector-emitter saturation voltage Cc o* Tension de saturation collecteurmetteur |\p = 15 mA VcEsat 15 Vv . . 1 = 150 mA Base-emitter saturation voltage Tension de saturation base-metteur Ip = 15 mA VBEsat 1,3 v DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} a Voge = 10V 2N696 | 40 160 MHz Transition frequency \ =50mA f Frquence de transition Cc T f = = 20 MHz 2N697 | 50 160 MHz Output itance Veg = 10V jutput capaci _ Capacit de sortie l_ =0 Coop 12. 35 pF f = 1 MHz * Pulsed t, =300us 6 < 2% impuisions p 2/5 62 2N 696, 2N 697 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES (mA) 80 60 40 20 0 10 20 30 40 Vegi) 0 1 2 3 A Vogiv) (mA) 80 60 40 20 0 10 2 30 40 vom {mA} 400 300 200 100 0 1 2 3 4 Vcelv) 3/6 63 2N 696, 2N 697 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES (mA) 40 30 20 10 0 0,4 0,8 1,2 16 Vpglv) hore | | 200) 150 joo) \ } 7 160 4 120 \ 80 = 55C 40 5 2 2 5 102 10% = 10107 10? Ig ima) (mA) 40 30 20 0 04 O08 1,2 1,6 Vggtv) hore TEPC 2N 697 Ky 300 V 260 Y) 100C \ ol LYALL N\ 26C 150 A l\/ TN. j i \ 100 T= 55C Y amb mar 50 [A 0 nee 2 5 2 5 5 4/5 64 2N 696, 2N 697 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES 0,4 0 -60 -20 20 60 100 140 T, tec) 60 ~20 20 60 100 1407, tec) Coa (oF) 1 | = tm = Zz) 20 N 16 -60 -20 20 60 100 Tamp!Ch 19 10" Voat) 5/5 65