日本インター株式会社
ＩＧＢＴ
Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ
４００ Ａ，１２００Ｖ
ＰＣＨＭＢ４００Ｂ１２
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
□ 外 形 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ
ＤＲＡＷＩＮＧ
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ
ＤＣ ＩＣ ４００
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ ＩＣＰ ８００ Ａ
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ １，９００ Ｗ
接 合 温 度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃
保 存 温 度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ）
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆｔｏｒ ３（３０.６） Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ Ｖ
ＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － ８.０ ｍＡ
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ Ｖ
ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 400A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） Ｖ
ＣＥ= 5V,ＩＣ= 400mA ４.０ － ８.０ Ｖ
入 力 容 量
Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ Ｖ
ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 25,000 － ｐＦ
上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０.２５ ０.４５
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０.４０ ０.７０
下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０.２５ ０.３５
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｏｆｆ
ＶＣＣ= 600V
ＲL= 1.5Ω
ＲG= 1Ω
ＶＧＥ= ±15V － ０.８０ １.１０
μｓ
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ
ＤＣ Ｉ
Ｆ
４００ Ａ 順 電 流
Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ ＩＦＭ ８００
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
順 電 圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage ＶＦ Ｉ
Ｆ= 400A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔｒｒ ＩＦ= 400A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 800A/μs － ０.２ ０.３ μｓ
□ 熱 的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
ＩＧＢＴ － － ０.０６５ 熱 抵 抗
Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case － － ０.１２ ℃／Ｗ
5(E1)
4(G1)
(C1)
3
(E2)
2
(C2E1)
1
3-M6
108
93 ±0.25
14 14 14
1111 4-Ø 6. 5
62
13
11
20
3
21
5
4
6
±0.25
48
242525
16 16 16
99
30+1.0
- 0.5
23 8
7
LABEL
http://store.iiic.cc/
日本インター株式会社
ＰＣＨＭＢ４００Ｂ１２
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Total Gate Charge Qg
(nC)
Collector to Emitter Voltage V CE
(V)
Gate to Emitter Voltage VGE
(V)
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
VCE=600V
400V
200V
RL=1.5Ω
TC=25℃
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200
200
500
1000
2000
5000
10000
20000
50000
100000
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Capacitance C
(pF)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
Cies
Coes
Cres
VGE=0V
f=1MHZ
TC=25℃
0 4 8 12 16 20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
TC=25℃
400A
IC=200A 800A
0 4 8 12 16 20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
IC=200A
400A
800A
TC=125℃
0246810
0
200
400
600
800
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(A)
Fig.1- Output Characteristics
(Typical)
TC=25℃
10V
9V
12V
15V
VGE=20V
8V
7V
0 100 200 300 400
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Collector Current I
C
(A)
Switching Time t
(μs)
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time
(Typical)
tOFF
tf
tr
tON
VCC=600V
RG= 1.0 Ω
VGE=±15V
TC=25℃
http://store.iiic.cc/
日本インター株式会社
ＰＣＨＭＢ４００Ｂ１２
01234
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Forward Voltage VF
(V)
Forward Current I F
(A)
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
TC=25℃ TC=125℃
0 400 800 1200 1600 2000 2400
10
20
50
100
200
300
500
1000
-di/dt
(A/μs)
Peak Reverse Recovery Current I
Rr M
(A)
Reverse Recovery Time trr
(ns)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics
(Typical)
IF=400A
TC=25℃
IRrM
trr
0.5 1 2 5 10 20 50
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
Series Gate Impedance R
G
(Ω)
Switching Time t
(μs)
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time
(Typical)
VCC=600V
IC=400A
VGE=±15V
TC=25℃
tf
tr
ton
toff
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
110
1
2x10
-4
5x10
-4
1x10
-3
2x10
-3
5x10
-3
1x10
-2
2x10
-2
5x10
-2
1x10
-1
2x10
-1
5x10
-1
1
Time t
(s)
Transient Thermal Impedance Rth
(J-C) (℃/W)
Fig.11- Transient Thermal Impedance
TC=25℃
1 Shot Pulse
FRD
IGBT
0 400 800 1200 1600
0.1
0.2
0.5
1
2
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(A)
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
RG=1Ω
VGE=±15V
TC≦125℃
http://store.iiic.cc/
