European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information FZ 800 R 17 KF4 61,5 18 M8 screwing depth max. 8 130 114 31,5 C C E E E G C 16,5 7 M4 28 2,5 18,5 external connection (to be done) C C E E C G E external connection (to be done) VWK Apr. 1997 http://store.iiic.cc/ IGBT-Module FZ 800 R 17 KF4 Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage VCES Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current IC Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tp=1 ms ICRM 1600 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation tC=25C, Transistor /transistor Ptot 6250 W Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage VGE 20 V Dauergleichstrom DC forward current IF Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prufspannung repetitive peak forw. current insulation test voltage tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min. IFRM VISOL collector-emitter saturation voltage iC=800A, vGE=15V, t vj=25C vCE sat Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazitat input capacity iC=800A, vGE=15V, t vj=125C iC=65mA, vCE=vGE, tvj=25C fO=1MHz,tvj=25C,vCE=25V, v GE=0V Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current vCE=1700V, v GE=0V, t vj=25C vCE=1700V, v GE=0V, t vj=125C Gate-Emitter Reststrom gate leakage current Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (induktive Last) gate leakage current turn-on time (inductive load) Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor Kollektor-Emitter Sattigungsspannung Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) 800 A 1600 A 3,4 kV typ. - 3,3 3,7 V 4,5 4,4 5,5 4,8 V 6,5 V Cies - 130 - nF iCES - 6 60 - mA - mA vCE=0V, v GE=20V, t vj=25C iGES - - 400 nA vCE=0V, v EG=20V, t vj=25C iC=800A,vCE=900V,v L=15V iEGS ton - - 400 nA vL=15V, R G=2,4, tvj=25C - 0,8 - s vL=15V, R G=2,4, tvj=125C - 1 - s - 1,1 - s - 1,3 - s - 0,25 - s - 0,3 - s - 340 - mWs - 180 - mWs - 2,4 2,2 iC=800A,vCE=900V,v L=15V fall time (inductive load) 800 A min. vGE(TO) iC=800A,vCE=900V,v L=15V vL=15V, R G=2,4, tvj=25C max. ts vL=15V, R G=2,4, tvj=25C vL=15V, R G=2,4, tvj=125C Fallzeit (induktive Last) 1700 V tf vL=15V, R G=2,4, tvj=125C Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse iC=800A,vCE=900V,v L=15V Eon RG=2,4, tvj=125C, LS=70nH Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse iC=800A,vCE=900V,v L=15V Eoff RG=2,4, tvj=125C, LS=70nH Inversdiode / Inverse diode Durchlaspannung forward voltage iF=800A, vGE=0V, t vj=25C iF=800A, vGE=0V, t vj=125C vF Ruckstromspitze peak reverse recovery current iF=800A, -diF/dt=4,5kA/s IRM Sperrverzogerungsladung recovered charge 2,8 V -V vRM=900V, v EG=10V, t vj=25C - 540 -A vRM=900V, v EG=10V, t vj=125C - 660 -A vRM=900V, v EG=10V, t vj=25C - 100 - As vRM=900V, v EG=10V, t vj=125C - 220 - As iF=800A, -diF/dt=4,5kA/s Qr Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC RthJC Diode /diode, DC 0,02 C/W 0,05 C/W Ubergangs-Warmewiderstand Hochstzul. Sperrschichttemperatur thermal resistance, case to heatsink max. junction temperature pro Module / per Module RthCK tvj max 0,01 C/W 150 C Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+125 C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+125 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Innere Isolation internal insulation Al2O3 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque terminals M6 / tolerance 10% M1 Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlusse / terminal connection torque terminals M4 / tolerance +5/-10% M2 terminals M8 Gewicht weight G zugehorigen Technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. http://store.iiic.cc/ 2 Nm 8...10 Nm Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den Unabhangig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v 3 Nm CEM = V CES - 15nH x |di c/dt| ca. 1500 g FZ 800 R 17 KF4 1600 1400 1400 iC [A] iC1200 [A] VGE = 20 V 15 V 1200 1000 1000 12 V 800 10 V 800 600 9V 600 400 400 8V 200 200 0 1 2 3 4 0 1 5 vCE [V] FZ 800 R 17 KF4 / 1 2 3 4 Bild / Fig. 1 Kollektor-Emitter-Spannung im Sattigungsbereich (typisch) / Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) VGE = 15 V tvj = 25C tvj = 125C 5 vCE [V] FZ 800 R 17 KF 4 / 2 Bild / Fig. 2 Kollektor-Emitter-Spannung im Sattigungsbereich (typisch) / Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) tvj = 125C -1 1600 10 tvj = 125 C 25 C 7 1400 iC [A] Diode Z(th)JC [C/W] 1200 3 IGBT 2 1000 -2 10 800 7 600 5 4 400 3 2 200 0 5 -3 6 7 8 FZ 800 R 16 KF 4 / 3 9 10 11 vGE [V] 10 10-3 Bild / Fig. 3 Ubertragungscharakteristik (typisch) / Transfer characteristic (typical) VCE = 20 V 2 3 4 5 7 10-2 2 3 4 5 7 10-1 2 FZ 800 R 17 KF4 / 4 Bild / Fig. 4 Transienter innerer Warmewiderstand (DC) / Transient thermal impedance (DC) http://store.iiic.cc/ 3 4 5 7 100 2 t [s] 3 4 5 7 101 FZ 800 R 17 KF4 1600 1400 iF [A] 1200 1000 800 600 400 200 0 0 0,5 1 1,5 2 FZ 800 R 17 KF4 / 5 2,5 3 vF [V] 3,5 Bild / Fig. 6 Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) / Forward characteristic of the inverse diode (typical) tvj = 25C tvj = 125C http://store.iiic.cc/