European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
VWK Apr. 1997
M a r k e t i n g I n f o r m a t i o n
FZ 800 R 17 KF4
M8
M4
61,5
18
130
31,5
28
7 16,5
18,5
C
E
C
E
E
G
C
2,5
1 1 4
screwing depth
max. 8
external connection
(to be done)
ext erna l conn ect io n
(to be done)
C
E
G
E
C
E
C
http://store.iiic.cc/
IGBT-Module FZ 800 R 17 KF4
Höchstzuläs sige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung colle ctor-emitter voltage VCES 1700 V
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current IC 800 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitiv e pe ak colle ctor current tp=1 ms ICRM 1600 A
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation tC =25°C, Transistor /transistor Ptot 6250 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage VGE ± 20 V
Dauergleichstrom DC forward current IF 800 A
Periodischer Spitzenstrom repetitiv e pe ak forw. curr ent tp=1ms IF RM 1600 A
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min. VISOL 3,4 kV
Charakteristische Werte / Characteristic va lues: Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage iC =800A, vGE =15V, tvj=25°C vCE sat - 3,3 3,7 V
iC =800A, vGE =15V, tvj=125°C - 4,4 4,8 V
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage iC =65mA, vCE =vGE , tvj =25°C vGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V
Eingangskapazität input capacity fO =1MHz,tvj =25°C,vCE =25V , vGE =0V Cies - 130 - nF
Kollektor-Emitter Reststrom colle ctor-emitter cut-off curren t vCE =1700V, vGE =0V , tvj=25°C iCES - 6 - mA
vCE =1700V, vGE =0V , tvj=125°C - 60 - mA
Gate-Emitter Reststrom gate leakage current vCE =0V, vGE =20V , tvj=25°C iGES - - 400 nA
Emitter-Gate Reststrom gate leakage current vCE =0V, vEG =20V, tvj=25°C iEGS - - 400 nA
Einschaltzeit (induktive Last) turn-on time (inductive load) iC =800A,vCE =900V,vL=±15V ton
vL=±15V, RG =2,4Ω, tvj =25°C - 0,8 - µs
vL=±15V, RG =2,4Ω, tvj =125°C - 1 - µs
Speicherzeit (induktive Last) storage time (in ductive load) iC =800A,vCE =900V,vL=±15V ts
vL=±15V, RG =2,4Ω, tvj =25°C - 1,1 - µs
vL=±15V, RG =2,4Ω, tvj =125°C - 1,3 - µs
Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) iC =800A,vCE =900V,vL=±15V tf
vL=±15V, RG =2,4Ω, tvj =25°C - 0,25 - µs
vL=±15V, RG =2,4Ω, tvj =125°C - 0,3 - µs
Charakteristische Werte / Characteristic va lues
Trans i s t or / Tr ansi s t o r
Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse iC =800A,vCE =900V,vL=±15V Eon
RG =2,4Ω, tvj =125°C, LS =70nH - 340 - mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse iC =800A,vCE =900V,vL=±15V Eoff
RG =2,4Ω, tvj =125°C, LS =70nH - 180 - mWs
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung forward voltage iF=800A, vGE =0V , tvj=25°C vF - 2,4 2,8 V
iF=800A, vGE =0V , tvj=125°C - 2,2 - V
Rückstromspitze peak reverse recovery current iF=800A, -diF/dt=4,5kA/µs IRM
vRM =900V , vEG =10V , tvj=25°C - 540 - A
vRM =900V , vEG =10V , tvj=125°C - 660 - A
Sperrverzögerungsladung recover ed charg e iF=800A, -diF/dt=4,5kA/µs Qr
vRM =900V , vEG =10V , tvj=25°C - 100 - µAs
vRM =900V , vEG =10V , tvj=125°C - 220 - µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case T r a n s i s t o r / t r a n s i s t o r , D C RthJC 0,02 °C/W
Diode /diode, DC 0,05 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module RthCK 0,01 °C/W
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 150 °C
Betriebstemperatur operating temperature tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur storage temperature tstg
-40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation internal insulation Al2O3
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque terminals M6 / tolerance ±10% M1 3 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque terminals M4 / tolerance +5/-10% M2 2 Nm
terminals M8 8...10 Nm
Gewicht weight G ca. 1500 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
in
combination with the belonging technical notes.
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
vCEM = V
CES
- 15nH x |di
c/dt|
http://store.iiic.cc/
FZ 8 00 R 17 K F4
FZ 800 R 17 KF4 / 1
iC
[A]
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
vCE [V]
1 2 3 4 5
FZ 800 R 17 KF 4 / 2
iC
[A]
vCE [V]
1400
1200
1000
800
600
400
200
01 2 3 4 5
15 V
VGE = 20 V
12 V
10 V
8 V
9 V
FZ 800 R 17 KF4 / 4
Z(th)JC
[°C/W]
t [s]
2 3 4 5 7 2 3 4 5 7 2 3 4 5 72 3 4 5 7
10-3 10-2 10-1 100 101
IGBT
Diode
2
3
4
5
7
10-1
10-2
10-3
2
3
7
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch) /
Tran s f e r char a c t er i sti c (t y pi ca l )
VCE = 20 V
Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
tvj = 125°C
Bild / Fig. 4
Trans i en t er i n n e r e r Wär m e w i de r st a nd (D C ) /
Trans i e n t t h e r m a l i m p e d a n ce ( D C )
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VGE = 15 V
tvj = 25°C
tvj = 125°C
FZ 800 R 16 KF 4 / 3
iC
[A]
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
vGE [ V ]
5 6 7 8 9 10 1 1
25 °C
125 °C
tvj =
http://store.iiic.cc/
FZ 8 00 R 17 K F4
FZ 800 R 17 KF4 / 5
iF
[A]
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
vF [V]
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
Bild / Fig. 6
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) /
Forward ch aracteristic of the inverse diode (typical)
tvj = 25°C
tvj = 125°C
http://store.iiic.cc/
