TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KE3G IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80C, Tvj max = 150C TC = 25C, Tvj max = 150C IC nom IC 75 100 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 150 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 150 Ptot 355 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 3,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge Tvj = 25C Tvj = 125C VCE sat A A typ. max. 1,70 2,00 2,15 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,70 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 10 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 5,30 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,20 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 4,7 Tvj = 25C Tvj = 125C td on 0,26 0,29 s s Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 4,7 Tvj = 25C Tvj = 125C tr 0,03 0,05 s s Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 4,7 Tvj = 25C Tvj = 125C td off 0,42 0,52 s s Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 4,7 Tvj = 25C Tvj = 125C tf 0,07 0,09 s s EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH VGE = 15 V RGon = 4,7 Tvj = 25C Tvj = 125C Eon 7,00 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH VGE = 15 V RGoff = 4,7 Tvj = 25C Tvj = 125C Eoff 9,50 mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,35 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 preparedby:MM dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 1 tP 10 s, Tvj = 125C 300 A C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KE3G Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VRRM 1200 V IF 75 A IFRM 150 A It 1200 As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,65 1,65 2,15 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 75 A, VGE = 0 V IF = 75 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 75 A, - diF/dt = 2000 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C IRM 90,0 100 A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 75 A, - diF/dt = 2000 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Qr 7,00 14,0 C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 75 A, - diF/dt = 2000 A/s (Tvj=125C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Erec 3,00 6,00 mJ mJ VF V V Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,58 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 min. typ. max. R25 5,00 k R/R -5 5 % P25 20,0 mW C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100C, R100 = 493 Verlustleistung Powerdissipation TC = 25C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 t.b.d. K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 t.b.d. K AngabengemagultigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:MM dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 2 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KE3G Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) AI203 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 7,5 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 225 VISOL kV 2,5 min. typ. RthCH 0,009 LsCE 21 nH RCC'+EE' 1,80 m Tstg -40 125 C SchraubeM5-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm Gewicht Weight G 300 g preparedby:MM dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting 3 max. K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation FS75R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125C 150 150 Tvj = 25C Tvj = 125C 120 120 105 105 90 90 75 60 45 45 30 30 15 15 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 UbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 20 Tvj = 25C Tvj = 125C 135 105 14 90 12 E [mJ] 16 75 10 60 8 45 6 30 4 15 2 5 6 7 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C 18 120 0 0,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=4.7,RGoff=4.7,VCE=600V 150 IC [A] 75 60 0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 135 IC [A] IC [A] 135 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:MM dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 4 0 25 50 75 IC [A] 100 125 150 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS75R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=75A,VCE=600V TransienterWarmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 20 1 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C 18 ZthJC : IGBT 16 14 ZthJC [K/W] E [mJ] 12 10 8 0,1 6 4 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,00663 0,0202 0,17619 0,14698 i[s]: 0,0000119 0,002364 0,02601 0,06499 2 0 0 5 10 15 20 25 RG [] 30 35 40 0,01 0,001 45 SichererRuckwarts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=4.7,Tvj=125C 175 IC, Modul IC, Chip 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 150 135 Tvj = 25C Tvj = 125C 150 120 125 105 90 IF [A] IC [A] 100 75 75 60 45 50 30 25 15 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:MM dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 5 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FS75R12KE3G IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=4.7,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=75A,VCE=600V 10 8 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 125C 9 7 8 6 7 5 E [mJ] E [mJ] 6 5 4 4 3 3 2 2 1 1 0 0 25 50 75 IF [A] 100 125 0 150 TransienterWarmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 1 ZthJC [K/W] ZthJC : Diode 0,1 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,01097 0,03294 0,29244 0,24365 i[s]: 0,0000119 0,002364 0,02601 0,06499 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 preparedby:MM dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 6 0 5 10 15 20 25 RG [] 30 35 40 45 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KE3G Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehauseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:MM dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 7 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KE3G Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfurIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfurdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,furdiewireineliefervertraglicheGewahrleistungubernehmen.Eine solcheGewahrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfurdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsubernommen.DieAngabenindengultigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenotigen,dieuberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfurSiezustandigenVertriebsburoin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FurInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnteunserProduktgesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiRuckfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfurSiezustandigenVertriebsburoinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefahrdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfurdieseFalle -diegemeinsameDurchfuhrungeinesRisiko-undQualitatsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitatssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinfuhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhangigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheAnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:MM dateofpublication:2013-10-02 approvedby:RS revision:3.1 8 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: FS75R12KE3G