TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R12KT4G_B15 EconoPIMTM3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC EconoPIMTM3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC VCES = 1200V IC nom = 50A / ICRM = 100A TypischeAnwendungen * Hilfsumrichter * Motorantriebe * Servoumrichter TypicalApplications * AuxiliaryInverters * MotorDrives * ServoDrives ElektrischeEigenschaften * NiedrigeSchaltverluste * NiedrigesVCEsat * Tvjop=150C * VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures * LowSwitchingLosses * LowVCEsat * Tvjop=150C * VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanischeEigenschaften * HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit * IntegrierterNTCTemperaturSensor * Kupferbodenplatte * Lotverbindungstechnik * Standardgehause MechanicalFeatures * HighPowerandThermalCyclingCapability * IntegratedNTCtemperaturesensor * CopperBasePlate * SolderContactTechnology * StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:AS dateofpublication:2013-11-05 approvedby:RS revision:3.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R12KT4G_B15 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 95C, Tvj max = 175C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 175C Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage 1200 V IC nom 50 A ICRM 100 A Ptot 280 W VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,70 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge VCE sat typ. max. 1,85 2,15 2,25 2,15 V V V VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,38 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 4,0 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,80 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,10 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 100 nA td on 0,16 0,17 0,17 s s s tr 0,03 0,04 0,04 s s s td off 0,33 0,43 0,45 s s s tf 0,08 0,15 0,17 s s s Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 15 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 15 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 15 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 15 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 20 nH Tvj = 25C VGE = 15 V, di/dt = 1400 A/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C RGon = 15 Tvj = 150C Eon 5,70 7,70 8,40 mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 20 nH Tvj = 25C VGE = 15 V, du/dt = 3600 V/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C RGoff = 15 Tvj = 150C Eoff 2,80 4,30 4,80 mJ mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,145 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:AS dateofpublication:2013-11-05 approvedby:RS revision:3.0 2 tP 10 s, Tvj = 150C 180 A 0,54 K/W K/W 150 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R12KT4G_B15 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VRRM 1200 V IF 50 A IFRM 100 A It 560 As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,70 1,65 1,65 2,15 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VF Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 50 A, - diF/dt = 1400 A/s (Tvj=150C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C IRM 54,0 60,0 63,0 A A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 50 A, - diF/dt = 1400 A/s (Tvj=150C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Qr 5,50 8,80 10,0 C C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 50 A, - diF/dt = 1400 A/s (Tvj=150C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Erec 1,70 3,00 3,70 mJ mJ mJ RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,215 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode V V V 0,81 K/W K/W 150 C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C VRRM 1600 V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 80C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM 80 A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80C IRMSM 100 A StostromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25C tp = 10 ms, Tvj = 150C IFSM 600 470 A A Grenzlastintegral It-value tp = 10 ms, Tvj = 25C tp = 10 ms, Tvj = 150C It 1800 1100 As As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. VF 1,15 V IR 1,00 mA RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,17 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:AS dateofpublication:2013-11-05 approvedby:RS revision:3.0 Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150C, IF = 75 A Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150C, VR = 1600 V Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode 3 0,65 K/W K/W 150 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R12KT4G_B15 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100C, Tvj max = 175C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 175C Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage 1200 V IC nom 25 A ICRM 50 A Ptot 160 W VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,85 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge VCE sat typ. max. 1,85 2,15 2,25 2,15 V V V VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,20 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 0,0 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,45 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,05 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 100 nA td on 0,05 0,06 0,06 s s s tr 0,03 0,04 0,05 s s s td off 0,34 0,43 0,45 s s s tf 0,05 0,07 0,08 s s s Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 37 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 37 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 37 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 37 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 20 nH VGE = 15 V RGon = 37 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Eon 2,00 2,65 2,90 mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 20 nH VGE = 15 V RGoff = 37 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Eoff 1,40 2,20 2,40 mJ mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt tP 10 s, Tvj = 150C ISC Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,25 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:AS dateofpublication:2013-11-05 approvedby:RS revision:3.0 4 90 A 0,95 K/W K/W 150 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R12KT4G_B15 Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VRRM 1200 V IF 15 A IFRM 30 A It 48,0 As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,75 1,75 1,75 2,15 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VF Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 1000 A/s (Tvj=150C) VR = 600 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C IRM 20,0 22,0 23,0 A A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 15 A, - diF/dt = 1000 A/s (Tvj=150C) VR = 600 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Qr 1,50 2,50 2,70 C C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 15 A, - diF/dt = 1000 A/s (Tvj=150C) VR = 600 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Erec 0,55 0,90 1,00 mJ mJ mJ Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,40 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 min. typ. max. R25 5,00 k R/R -5 5 % P25 20,0 mW V V V 1,50 K/W K/W C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100C, R100 = 493 Verlustleistung Powerdissipation TC = 25C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K AngabengemagultigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:AS dateofpublication:2013-11-05 approvedby:RS revision:3.0 5 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R12KT4G_B15 Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Kriechstrecke Creepagedistance VISOL 2,5 kV Cu Al2O3 Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 7,5 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 200 min. typ. RthCH 0,009 LsCE 60 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 4,00 2,00 m Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier Tvj max 175 150 C C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier Tvj op -40 -40 150 150 C C Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 C Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm Gewicht Weight G 300 g preparedby:AS dateofpublication:2013-11-05 approvedby:RS revision:3.0 Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25C,proSchalter/perswitch HochstzulassigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature 6 max. K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R12KT4G_B15 IGBT-Module IGBT-modules AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150C 100 100 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 80 80 70 70 60 60 50 40 30 30 20 20 10 10 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 UbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 80 90 100 20 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 90 70 14 60 12 E [mJ] 16 50 10 40 8 30 6 20 4 10 2 5 6 7 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 150C 18 80 0 0,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=15,RGoff=15,VCE=600V 100 IC [A] 50 40 0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 90 IC [A] IC [A] 90 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 preparedby:AS dateofpublication:2013-11-05 approvedby:RS revision:3.0 7 0 10 20 30 40 50 60 IC [A] 70 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R12KT4G_B15 IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=50A,VCE=600V TransienterWarmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 20 1 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 150C 18 16 ZthJC : IGBT 14 ZthJC [K/W] E [mJ] 12 10 8 0,1 6 4 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0324 0,1782 0,1728 0,1566 i[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 2 0 0 20 40 60 80 RG [] 100 120 0,01 0,001 140 SichererRuckwarts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=15,Tvj=150C 110 IC, Modul IC, Chip 100 1 10 100 90 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 80 80 70 70 60 60 IF [A] IC [A] 0,1 t [s] DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 90 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,01 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:AS dateofpublication:2013-11-05 approvedby:RS revision:3.0 8 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R12KT4G_B15 IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=15,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=50A,VCE=600V 5,0 5,0 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C 4,0 4,0 3,5 3,5 3,0 3,0 2,5 2,5 2,0 2,0 1,5 1,5 1,0 1,0 0,5 0,5 0,0 0 10 20 30 40 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C 4,5 E [mJ] E [mJ] 4,5 50 60 IF [A] 70 80 90 0,0 100 TransienterWarmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0 20 40 60 80 RG [] 100 120 140 DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) 10 150 ZthJC : Diode Tvj = 25C Tvj = 150C 135 120 105 1 IF [A] ZthJC [K/W] 90 75 60 0,1 45 30 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0486 0,2673 0,2592 0,2349 i[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 15 0 10 preparedby:AS dateofpublication:2013-11-05 approvedby:RS revision:3.0 9 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation FP50R12KT4G_B15 IGBT-Module IGBT-modules AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 50 27 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 45 24 40 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 21 35 18 IF [A] IC [A] 30 25 15 12 20 9 15 6 10 3 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0 3,5 4,0 140 160 0 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [C] 120 preparedby:AS dateofpublication:2013-11-05 approvedby:RS revision:3.0 10 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R12KT4G_B15 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehauseabmessungen/packageoutlines In fineon preparedby:AS dateofpublication:2013-11-05 approvedby:RS revision:3.0 11 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP50R12KT4G_B15 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfurIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfurdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,furdiewireineliefervertraglicheGewahrleistungubernehmen.Eine solcheGewahrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfurdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsubernommen.DieAngabenindengultigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenotigen,dieuberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfurSiezustandigenVertriebsburoin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FurInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnteunserProduktgesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiRuckfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfurSiezustandigenVertriebsburoinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefahrdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfurdieseFalle -diegemeinsameDurchfuhrungeinesRisiko-undQualitatsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitatssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinfuhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhangigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheAnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:AS dateofpublication:2013-11-05 approvedby:RS revision:3.0 12 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: FP50R12KT4G_B15