FZ1500R33HE3 IHM-BModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode VCES = 3300V IC nom = 1500A / ICRM = 3000A PotentielleAnwendungen * Chopper-Anwendungen * Mittelspannungsantriebe * Motorantriebe * Traktionsumrichter * USV-Systeme * Windgeneratoren PotentialApplications * Chopperapplications * Mediumvoltageconverters * Motordrives * Tractiondrives * UPSsystems * Windturbines ElektrischeEigenschaften * GroeDC-Festigkeit * HoheKurzschlussrobustheit * NiedrigeSchaltverluste * NiedrigesVCEsat * SehrgroeRobustheit * Tvjop=150C * VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures * HighDCstability * Highshort-circuitcapability * Lowswitchinglosses * LowVCEsat * Unbeatablerobustness * Tvjop=150C * VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanischeEigenschaften * AlSiC Bodenplatte fur erhohte thermische Lastwechselfestigkeit * GehausemitCTI>600 * IHMBGehause * IsolierteBodenplatte MechanicalFeatures * AlSiC base plate for increased thermal cycling capability * PackagewithCTI>600 * IHMBhousing * Isolatedbaseplate ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.3 2019-07-24 FZ1500R33HE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = -40C Tvj = 150C VCES 3300 3300 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 95C, Tvj max = 150C ICDC 1500 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 3000 A VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,55 3,00 3,15 3,10 3,45 V V V 5,80 6,40 V Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 1500 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 72,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 1800 V QG 42,0 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 0,42 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 280 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 6,00 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VCE sat VGEth Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 1500 A, VCE = 1800 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,47 , CGE = 330 nF Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 1500 A, VCE = 1800 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,47 , CGE = 330 nF Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 1500 A, VCE = 1800 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 1,5 , CGE = 330 nF Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 1500 A, VCE = 1800 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 1,5 , CGE = 330 nF Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 1500 A, VCE = 1800 V, L = 85 nH di/dt = 4500 A/s (Tvj = 150C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 0,47 CGE = 330 nF Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 1500 A, VCE = 1800 V, L = 85 nH du/dt = 2100 V/s (Tvj = 150C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 1,5 CGE = 330 nF Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 2500 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT tP 10 s, Tvj = 150C td on tr td off tf Eon Eoff ISC 0,35 0,38 0,38 s s s 0,35 0,38 0,38 s s s 3,00 3,20 3,20 s s s 0,30 0,35 0,35 s s s 1900 2550 2900 mJ mJ mJ 1600 2100 2300 mJ mJ mJ 6400 A RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 5,20 2 7,35 K/kW 10,0 -40 K/kW 150 C V3.3 2019-07-24 FZ1500R33HE3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = -40C Tvj = 150C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 150C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM 3300 3300 V IF 1500 A IFRM 3000 A It 590 550 PRQM 2400 kW ton min 10,0 s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kAs kAs typ. max. VF 3,10 2,75 2,65 3,85 3,25 IF = 1500 A, - diF/dt = 4500 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 1800 V Tvj = 125C VGE = -15 V Tvj = 150C IRM 1500 1800 1850 A A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 1500 A, - diF/dt = 4500 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 1800 V Tvj = 125C VGE = -15 V Tvj = 150C Qr 650 1350 1600 C C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 1500 A, - diF/dt = 4500 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 1800 V Tvj = 125C VGE = -15 V Tvj = 150C Erec 650 1650 1950 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 1500 A, VGE = 0 V IF = 1500 A, VGE = 0 V IF = 1500 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 3 V V V 13,0 K/kW 11,0 -40 K/kW 150 C V3.3 2019-07-24 FZ1500R33HE3 Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 6,0 kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD 10 pC VISOL 2,6 kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25C, 100 fit VCE D 2100 V AlSiC MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 32,2 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 19,1 mm > 600 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature 6,0 nH RCC'+EE' 0,12 m Tstg -40 150 C 4,25 5,75 Nm SchraubeM6-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlusse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Datasheet G 4 max. LsCE Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Gewicht Weight typ. 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 1200 g V3.3 2019-07-24 FZ1500R33HE3 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150C 3000 3000 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 2700 2700 2100 2100 1800 1800 IC [A] 2400 IC [A] 2400 1500 1500 1200 1200 900 900 600 600 300 300 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=0.47,RGoff=1.5,VCE=1800V,CGE=330 nF 10000 3000 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 2700 0 5,0 UbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V Eon, Tvj = 150C Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 125C 9000 8000 2100 7000 1800 6000 IC [A] E [mJ] 2400 1500 5000 1200 4000 900 3000 600 2000 300 1000 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 5 0 500 1000 1500 IC [A] 2000 2500 3000 V3.3 2019-07-24 FZ1500R33HE3 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=1500A,VCE=1800V,CGE=330nF TransienterWarmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 16000 100 Eon, Tvj = 150C Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 125C 14000 ZthJC : IGBT 12000 10 E [mJ] ZthJC [K/kW] 10000 8000 6000 1 4000 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 1 3,869 1,46 1,002 i[s]: 0,003 0,042 0,256 4,984 2000 0 0 1 2 3 RG [] 4 5 0,1 0,001 6 SichererRuckwarts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=1.5,Tvj=150C,CGE=330nF 3500 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 3000 IC, Modul IC, Chip Tvj = 150C Tvj = 125C Tvj = 25C 3000 2500 2500 2000 IF [A] IC [A] 2000 1500 1500 1000 1000 500 500 0 0 Datasheet 500 1000 1500 2000 VCE [V] 2500 3000 0 3500 6 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VF [V] 3,0 3,5 4,0 4,5 V3.3 2019-07-24 FZ1500R33HE3 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.47,VCE=1800V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=1500A,VCE=1800V 3000 3000 Erec, Tvj = 150C Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C Erec, Tvj = 125C 2000 2000 E [mJ] 2500 E [mJ] 2500 1500 1500 1000 1000 500 500 0 0 500 1000 1500 IF [A] 2000 2500 0 3000 TransienterWarmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0 1 2 3 4 5 6 RG [] 7 8 9 10 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=150C 100 3600 ZthJC : Diode IR, Modul 3000 2400 IR [A] ZthJC [K/kW] 10 1800 1 1200 600 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 2,414 6,266 2,787 1,509 i[s]: 0,002 0,036 0,252 5,587 0,1 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 7 0 500 1000 1500 2000 VR [V] 2500 3000 3500 V3.3 2019-07-24 FZ1500R33HE3 Schaltplan/Circuitdiagram Gehauseabmessungen/Packageoutlines Datasheet 8 V3.3 2019-07-24 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition2019-07-24 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726Munchen,Germany (c)2019InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfurdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes ("Beschaffenheitsgarantie")dar.FurBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewahrleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschlielich,ohnehieraufbeschranktzusein,dieGewahrdafur,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensamtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfurdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfurdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benotigen,wendenSiesichbitteandasnachsteVertriebsburovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnenProduktegesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnachstenVertriebsburovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrucklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,durfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernunftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenfuhren. IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics ("Beschaffenheitsgarantie").Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer'scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer'sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer'sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer'stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies'productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.