1
TechnischeInformation/technicalinformation
FS400R12A2T4
preparedby:AU
approvedby:MM
dateofpublication:2012-11-06
revision:3.0
materialno:36841
ULapproved(E83335)
HybridPACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC
HybridPACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC
T
T
T
V†Š» = 1200V
I† ÒÓÑ = 400A / I†ç¢ = 800A
TypischeAnwendungen TypicalApplications
• •Anwendungen im Automobil Automotive Applications
• •Hochleistungsumrichter High Power Converters
• •Hybrid-Elektrofahrzeuge (H)EV Hybrid Electrical Vehicles (H)EV
• •Hybrid-Nutzfahrzeuge Commercial Agriculture Vehicles
• •Motorantriebe Motor Drives
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• •Erhöhte Zwischenkreisspannung Increased DC link Voltage
• •Niederinduktives Design Low inductive design
• •Niedrige Schaltverluste Low Switching Losses
• •Trench IGBT 4 Trench IGBT 4
• •TÝÎ ÓÔ = 150°C TÝÎ ÓÔ = 150°C
• •V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• •2,5 kV AC 1min Isolationsfestigkeit 2.5 kV AC 1min Insulation
• •Direkt gekühlte Bodenplatte Direct Cooled Base Plate
• •Hohe Leistungsdichte High Power Density
• •Integrierter NTC Temperatur Sensor Integrated NTC temperature sensor
• •Isolierte Bodenplatte Isolated Base Plate
• •Kupferbodenplatte Copper Base Plate
• •RoHS konform RoHS compliant
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23
2
TechnischeInformation/technicalinformation
FS400R12A2T4
preparedby:AU
approvedby:MM
dateofpublication:2012-11-06
revision:3.0
IGBT-Wechselrichter/IGBT-inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent ICN 400 A
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TF = 75°C, Tvj = 175°C
TF = 25°C, Tvj = 175°C
IC nom
IC300
400 A
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 800 A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation TF = 25°C, Tvj = 175°C Ptot 1500 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 300 A, VGE = 15 V
IC = 300 A, VGE = 15 V
IC = 300 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,55
1,75
1,80
1,85
V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage IC = 13,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Gateladung
Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG3,20 µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,9 Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 25,0 nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,10 nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 500 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
td on
0,16
0,18
0,19
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 500 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
tr
0,05
0,05
0,06
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 500 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
td off
0,42
0,53
0,61
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 500 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
tf
0,04
0,09
0,09
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 300 A, VCE = 500 V, LS = 20 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 5500 A/µs (Tvj=150°C)
RGon = 1,5 ΩEon
17,0
24,0
26,0
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 300 A, VCE = 500 V, LS = 20 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 2550 V/µs (Tvj=150°C)
RGoff = 1,5 ΩEoff
13,0
26,0
30,0
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 2300
2000 A
A
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
tP ≤ 8 µs,
tP ≤ 6 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
pro IGBT / per IGBT
cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol; ∆V/∆t =
10,0 dm³/min
RthJF 0,10 K/W
3
TechnischeInformation/technicalinformation
FS400R12A2T4
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dateofpublication:2012-11-06
revision:3.0
Diode-Wechselrichter/Diode-inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
ImplementierterDurchlassstrom
Implementedforwardcurrent IFN 400 A
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent IF300 A
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 800 A
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 13000
15000 A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 300 A, VGE = 0 V
IF = 300 A, VGE = 0 V
IF = 300 A, VGE = 0 V
VF
1,55
1,50
1,45
1,80
V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 300 A, - diF/dt = 3150 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 500 V
VGE = -15 V
IRM
315
400
400
A
A
A
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 300 A, - diF/dt = 3150 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 500 V
VGE = -15 V
Qr
27,0
52,0
60,0
µC
µC
µC
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 300 A, - diF/dt = 3150 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 500 V
VGE = -15 V
Erec
7,00
18,0
21,0
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocoolingfluid
pro Diode / per diode
cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol;
∆V/∆t = 10,0 dm³/min
RthJF 0,13 K/W
NTC-Widerstand/NTC-thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ
AbweichungvonR100
DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
Verlustleistung
Powerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
4
TechnischeInformation/technicalinformation
FS400R12A2T4
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dateofpublication:2012-11-06
revision:3.0
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate Cu
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)
basic insulation (class 1, IEC 61140) Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal 7,0
5,5 mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal 7,0
5,0 mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex CTI > 200
min. typ. max.
DruckabfallimKühlkreislauf*
Pressuredropincoolingcircuit* ∆V/∆t = 10,0 dm³/min; TF = 25°C
cooling fluid = 50% water/50% ethylenglycol ∆p100 mbar
HöchstzulässigerDruckimKühlkreislauf
Maximumpressureincoolingcircuit p 2,5 bar
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule LsCE 14 nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TF = 25°C, pro Schalter / per switch RCC'+EE' 0,80 mΩ
HöchstzulässigeSperrschichttemperatur
Maximumjunctiontemperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter,
Brake-Chopper Tvj max 175 °C
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter,
Brake-Chopper Tvj op -40 150 °C
Lagertemperatur
Storagetemperature Tstg -40 125 °C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M6 - mounting according to valid application note M 3,00 - 6,00 Nm
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M6 - mounting according to valid application note M 2,5 - 5,0 Nm
Gewicht
Weight G1250 g
*KühleraufbaugemäßgültigerApplicationNote.
*Coolersetupaccordingtothevalidapplicationnote.
*AccordingtoIEC60664(MaterialgroupIIIaandPD2)themax.DClinkvoltageshouldberestrictedto550V
5
TechnischeInformation/technicalinformation
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dateofpublication:2012-11-06
revision:3.0
AusgangskennlinieIGBT-Wechselr.(typisch)
outputcharacteristicIGBT-inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT-Wechselr.(typisch)
outputcharacteristicIGBT-inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT-Wechselr.(typisch)
transfercharacteristicIGBT-inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
VGE [V]
IC [A]
5 6 7 8 9 10 11 12 13
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT-Wechselr.(typisch)
switchinglossesIGBT-inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff=1.5Ω,VCE=500V
IC [A]
E [mJ]
100 200 300 400 500 600 700 800
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
6
TechnischeInformation/technicalinformation
FS400R12A2T4
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approvedby:MM
dateofpublication:2012-11-06
revision:3.0
SchaltverlusteIGBT-Wechselr.(typisch)
switchinglossesIGBT-Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=300A,VCE=500V
RG [Ω]
E [mJ]
0 2 4 6 8 10 12 14 16
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandIGBT-Wechselr.
transientthermalimpedanceIGBT-inverter
ZthJF=f(t)(∆V/∆t=10dm³/min)
t [s]
ZthJF [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,001
0,01
0,1
1
ZthJF : IGBT
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1
0,0062
0,0005
2
0,022
0,02
3
0,0238
0,058
4
0,038
0,45
5
0,01
2,19
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT-Wr.(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT-inv.(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.5Ω,Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A]
900 1000 1100 1200 1300
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
IC, Modul
IC, Chip
WärmewiderstandIGBT-Wechselr.
thermalimpedanceIGBT-inverter
RthJF=f(∆V/∆t)
coolingfluid=50%water/50%ethylenglycol
∆V/∆t [dm³/min]
RthJF [K/W]
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
0,095
0,100
0,105
0,110
0,115
0,120
RthJF: IGBT
7
TechnischeInformation/technicalinformation
FS400R12A2T4
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approvedby:MM
dateofpublication:2012-11-06
revision:3.0
DurchlasskennliniederDiode-Wechselr.(typisch)
forwardcharacteristicofdiode-inverter(typical)
IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
SchaltverlusteDiode-Wechselr.(typisch)
switchinglossesdiode-inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.5Ω,VCE=500V
IF [A]
E [mJ]
0 100 200 300 400 500 600 700 800
5
10
15
20
25
30
35
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
SchaltverlusteDiode-Wechselr.(typisch)
switchinglossesdiode-inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=300A,VCE=500V
RG [Ω]
E [mJ]
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
5
9
13
17
21
25
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode-Wechselr.
transientthermalimpedancediode-inverter
ZthJF=f(t)(∆V/∆t=10dm³/min)
t [s]
ZthJF [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,001
0,01
0,1
1
ZthJF : Diode
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1
0,0026
0,0006
2
0,0241
0,017
3
0,0517
0,053
4
0,0431
0,39
5
0,0095
3,2
8
TechnischeInformation/technicalinformation
FS400R12A2T4
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approvedby:MM
dateofpublication:2012-11-06
revision:3.0
WärmewiderstandDiode-Wechselr.
thermalimpedancediode-inverter
RthJF=f(∆V/∆t)
coolingfluid=50%water/50%ethylenglycol
∆V/∆t [dm³/min]
RthJF [K/W]
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
0,120
0,125
0,130
0,135
0,140
0,145
0,150
RthJF: Diode
NTC-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
TC [°C]
R[Ω]
0 20 40 60 80 100 120 140 160
100
1000
10000
100000
Rtyp
DruckabfallimKühlkreislauf*
pressuredropincoolingcircuit*
∆p=f(∆V/∆t)
coolingfluid=50%water/50%ethylenglycol,TF=25°C
∆V/∆t [dm³/min]
∆p [mbar]
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
325 ∆p: Modul
9
TechnischeInformation/technicalinformation
FS400R12A2T4
preparedby:AU
approvedby:MM
dateofpublication:2012-11-06
revision:3.0
Schaltplan/circuitdiagram
G1
E1
C1
G2
E2
C2
P1
1
N1
G3
E3
C3
G4
E4
C4
P2
2
N2
G5
E5
C5
G6
E6
C6
P3
3
N3
T
T11
T12
T
T21
T22
T
T31
T32
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
10
TechnischeInformation/technicalinformation
FS400R12A2T4
preparedby:AU
approvedby:MM
dateofpublication:2012-11-06
revision:3.0
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-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
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