European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
VWK Nov. 1996
Marketing Information
T 618 NT 619 N
4
HK
plug 4,8 x 0,8
G
plug
2,8 x 0,8
on both sides
3,5 x 3,5 deep
C
A
ø36
ø36
C
A
ø30
ø3,5 x 2 deep
on both sides
ø30
HK
plug 2,8 x 0,8
G
plug
2,8 x 0,8
2
T 618 / 619 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...tvj max VDRM, VRRM
600 800 1000 1200
1400
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
voltage
tvj = -40°C...tvj max VDSM
600 800 1000 1200
1400
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...tvj max VRSM
700 900 1100 1300
1500
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current ITRMSM 1250 A
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C ITAVM 618 A
tc = 67°C 795 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms ITSM 11000 A
tvj = tvj max, tp = 10 ms 9500 A
Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I2 t605000 A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms 451000 A2s
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6, f= 50 Hz, (diT/dt)cr 200 A/µs
vL=10 V, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, vD =0,67 VDRM (dvD/dt)cr 1000 V/µs
5.Kennbuchstabe/5th letter F
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = tvj max, iT = 2000 A vTmax. 1,75 V
Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max VT(TO) 0,8 V
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = tvj max rT0,42 mΩ
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V IGT max. 250 mA
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V VGT max. 2,2 V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = tvj max, vD = 6 V IGD max. 10 mA
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V
Haltestrom holding current tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 ΩIHmax. 300 mA
Einraststrom latching current tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 ΩILmax. 1200 mA
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD = VDRM, vR = VRRM iD, iRmax. 50 mA
Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6, tvj=25°C, iGM=1A,
di
G
/dt=1A/µs
tgd max. 4 µs
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj=tvj max, iTM=iTAVM, vRM=100 V, vDM
=0,67
vDRM, dvD/dt=20V/µs,-diT/dt=10A/µs,
4.Kennbuchstabe/4th letter O
tqtyp. 250 µs
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche/cooling surface RthJC
beidseitig/two-sided, Θ =180° sin max. 0,045 °C/W
beidseitig/two-sided, DC max. 0,041 °C/W
Anode/anode, Θ =180° sin max. 0,074 °C/W
Anode/anode, DC max. 0,070 °C/W
Kathode/cathode, Θ =180° sin max. 0,104 °C/W
Kathode/cathode, DC max. 0,100 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche/cooling surface RthCK
beidseitig/two-sided max. 0,0075 °C/W
einseitig/single-sided max. 0,0150 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 125 °C
Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+125 °C
Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+140 °C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt,Amplifying-
Gate
Si-pellet with pressure contact,amplifying
gate
Anpreßkraft clamping force F6...12 kN
Gewicht weight Gtyp. 120 g
Kriechstrecke creepage distance 17 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Gehäuse
case
Titelseite / front page
T 618 N / T 619 N
Bild / Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
tvj = tvj max
T 618/619 N / 1
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0
iT
[kA]
vT [V]
0,5 1 1,5 2 2,5
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