BAV18 ... BAV21
BAV18 ... BAV21
Superfast Switching Si-Planar Diodes
Superschnelle Si-Planar-Dioden
Version 2005-08-15
Dimensions - Maße [mm]
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
500 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...200 V
Glass case
Glasgehäuse
DO-35
(SOD-27)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.13 g
Equivalent SMD-version
Äquvalente SMD-Ausführung
BAV100...BAV102
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum rati ng s (TA =25°C) Grenzwerte (TA =25°C)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
BAV18 50 60
BAV19 100 120
BAV20 150 200
BAV21 200 250
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
TA = 25°C Ptot 500 mW 2)
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 25°C IFAV 250 mA 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 650 mA 2)
Peak forward surge current, t ≤ 1 s
Stoßstrom, t ≤ 1 s
TA = 25°C IFSM 1 A
Peak forward surge current, t ≤ 1 µs
Stoßstrom, t ≤ 1 µs
TA = 25°C IFSM 5 A
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+200°C
-50...+200°C
1 Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Ø 1.9
Ø 0.52
62.5
3.9
BAV18 ... BAV21
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF = 0.1 A VF< 1.0 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 100 nA
< 15 µA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 30 mA through/über
IR = 30 mA to IR = 1 mA
trr < 50 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 300 K/W 1)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
tot
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[A]
I
F
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
T = 25°C
j
T = 125°C
j
